Способ определения скорости собирательной рекристаллизации

Способ определения скорости собирательной рекристаллизации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«и> 4648 I S

Союз Советскик

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 24.06.71 (21) 1677045/22-1 с присоединением заявки № 1677044/22-1 (.32) Приоритет—

Опубликовано 25.03.75. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 27.08.75 (51) М. Кл. 6 01п ЗЗ/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 548.53:621. .793.14 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. М. Герт и А. А. Бабад-Захряпин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ

СОБИРАТЕЛЬНОЙ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Известный способ определения скорости собирательной рекристаллизации заключается в нанесении окисных пленок, отражающих структуру подложки исследуемого материала, отжиге и металлографическом анализе перемещения границ зерна, пр;t этом скорость рекрнсталлизации определяется среднестатическим методом.

Однако при помощи такого спосооа невозможно определить фактическую скорость перемещения границы зерна, так,как канавки термического травления оказывают тормозящее действие на перемещсние границы зерна.

Предлагаемый способ позволяет определить фактическую скорость перемещения границы зерна. Для этого на поверхность диффузпонно неактивной подложки наносят слой и:следуемого материала в эпитаксиальном режиме прп температуре рекристаллизации, затем изгoTBB;IHBBIoT шлиф в заданном направлении, а скорость определяют по тангенсу угла наклона границы зерна относительно нормали к поверхности материала.

При определении скорости собирательной ре:<р.и сталлизации в изучаемой точке в выбра|нном направлении шлиф;изгота злзлвают в плоскости, проходящей через выбранное направление и нормаль к поверхности материала в излучаемой точке. На этом шлифе перемещение излучаемой точки во время нагрева при температуре рекрпсталлизац:п| имеет вид кривой, я вляющейся межкрпсталлптной гра5 ницей в нанесенном слое.

Кр вую переносят на кальку в системе координат так, чтобы излучаемая точка была началом координат. Увеличение микроскопа

10 определяет масштаб по оси ординат (мкм) и величину h, а масштаб по оси абсцисс определяют с учетом скорости роста слоя (см. фиг. 1).

Кривая ВА представляет сооой зависимость

5=тр(т), где т — время. Графическим дифференцированием с определением 1ди в каждой точке кривой определяют изменение скорости перемещения границы зерна от времени (см.

20 фиг. 2).

При определении скорости сооирательной рекристаллпзации для ВсЕ7 точек границы зерна в люоом направлении изготавливают шл 1фы В плоскости, llapaËËeË(úHÎ t TI,10CÊÎÑTÈ

-..одложки и, используя совоку;шость голожения границ зерна, строят пространственную

:модель, по плоским сечениям которой определяют фактическую скорость по методике, описа.иной выше.

464818

ГюкмЗ

Is !

/1 ! с ив 1

5. мкм зо

25 го

1О

V, мкп ;. н

О 10 2030 /05050 70 Х,мои 0 10 Zg 50 405 Й7 70 r, м о

Фиг. 2

Составитель Л. Голубева

Техред М. Семенов

Редактор Т. Фадеева

Корректор В. Гутман

Заказ 551/1089 Изд. № 610 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Пример. Фактиеску!о скорость !!еремещения границы зерна определяют в прокатанных молибденовых пластинах толщиной

200 л1л, предварительно отожженных в вакууме при 1400 С .в течение 2 час. При 1400"C и скорости роста 3 л1к,ч/!1ин методом конденсации в вакууме на исследуемой пластике Doразуется, слой толщиной 200 лкм. Затем пзгота!в JHBBIGT шлиф в плоскости,,перпендикулярной к поверхност1! и.!!аст,и!Иы, Предмет изобретения

Способ определения скорости собиратель-!

1Ои ppKplli0TBллизации путем измерения перемещения границ зерен, отличающийся тем, что, с целью о!!ределения фактической скорости, се измеря!От по тангенсу угла наклона границы зерна, сформированной при нанесении слоя исследувмого материала в зч!Итаксиальном режиме на поверхность подложки lip:! температуре рекристал l::1çàöèè.