Фотопотенциометрический датчик

Фотопотенциометрический датчик

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

!

-r

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 46646О

Союз Сооетокик

Соииалкотичзекик (6!) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.11.72 (2!) 1856282 18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовапо 05.04.75. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания !0.07.75 (5!) М. Кл. G Olr 17/20

Н Olc 9/00

Государотееииыр комитет

Сооета Мииистрое СССо по делам иаооретеиио и открытий (53) УДK 621.317.7(088.8) (72) Авторы изобретения

А. А. Плют и В. М. Гречишников

Куйбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева (7!) Заявитель (54) ФОТОПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК

Изобретение относится к измерительной технике.

Известны фотопотенциометрические датчики, имеющие общую подложку, на которую нанесены контактирующие друг с другом резистивный слой, фотоэлектрический слой и токосъемник.

Цель изобретения — обеспечение температурной стабильности параметров датчиков— достигается тем, что на общую подложку предлагаемого датчика между фотоэлектрическим слоем и токосъемником нанесен терморезистивный слой в виде полос с противоположными по знаку температурными коэффициентами сопротивления, которые контактируют с фотоэлектрическим слоем и токосъемником, а профиль фотоэлектрического слоя и величина полос терморезистивного слоя выбраны в соответствии с законом изменения сопротивления датчика.

Устройство изображено на чертеже.

Датчик состоит из изоляционной подложки

1, резистивного слоя 2, токосъемника 3, фотоэлектрического слоя 4 и терморезистивного слоя 5.

Принцип действия датчика заключается в следующем.

При движении узкого светового луча шириной h вдоль координаты х сопротивление датчика между выходными зажимами изменяется, например, линейно. Освещенная зона фотоэлектрического слоя 4 выполняет функции контактной щетки. Дестабилизирующее действие температуры вызывает изменение сопротивления как резистивного слоя 2, так и освещенного участка фотоэлектрического слоя. Кроме того, изменяется проводимость темновых участков фотоэлектрического слоя 4.

Все это вызывает значительные температур10 ные погрешности датчика, которые при данной координате х компенсируются благодаря последовательному включению между фотоэлектрическим слоем 4 и токосъемником 3 нескольких, минимум двух, узких полос 5 термо15 резистивного слоя с противоположными по знаку температурными коэффициентами сопротивления. Это включение обеспечивается той же освещенной зоной фотоэлектрического слоя. Оставшиеся полоски терморезистивного

20 слоя подключают через темновое сопротивление фотоэлектрического слоя 4, которое велико. Поэтому в термокомпенсации участвуют только полоски терморезистивного слоя в зоне освещения.

25 В силу того, что сопротивление датчика изменяется при движении узкого светового луча, для более точной термостабилизации необходимо изменить аналогичным образом и величину терморезистивного слоя. Это достигает30 ся благодаря тому, что терморезистивный

466460

Составитель Ю. Лучников

Техред В. Рыбакова

Редактор Б. Федотов

Корректор Н. Стельмах

Заказ 1613/8 Изд. № 660 Тираж Зо 11одписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская нао., д. 4/Ь

Типография, пр. Сапунова, слой нанесен в виде узких полосок различной длины, которая выбрана в соответствии с характером изменения сопротивления датчика.

Удельное сопротивление терморезистивного слоя, его температурный коэффициент сопротивления и количество полос выбирают так, чтобы в заданном интервале изменения температуры изменение суммарного сопротивления терморезистивного слоя компенсировало влияние температуры на резистивный и фотоэлектрический слои.

Чтобы последовательное подключение участков терморезистивного слоя с различными сопротивлениями не искажало характеристику преобразования датчика, профиль фотоэлектрического слоя, контакирующего с резистивным слоем, выполняют криволинейным в соответствии с требуемым законом изменения суммарного сопротивления резистивного и терморезистивного слоев.

Достоинствами предлагаемой конструкции фотопотенциометрического датчика являются ее простота, технологичность и термостабильность в рабочем интервале температур.

5 Предмет изобретения

Фотопотенциометрический датчик, содержащий общую подложку, на которую нанесены контактирующие друг с другом резистивный

10 слой, фотоэлектрический слой и токосъемник, отличающийся тем, что, с целью обеспечения температурной стабильности, на общую подложку между фотоэлектрическим слоем и токосъемником нанесен терморезистивный

15 слой в виде полос с противоположными пь знаку температурными коэффициентами сопротивления, которые контактируют с фотоэлектрическим слоем и токосъемником, а профиль фотоэлектрического слоя и величина по20 лос терморезистивного слоя выбраны в соот. ветствии с законом изменения сопротивления датчика.