Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

c=".о оз:ма о чатен-: / .::;,сиам

1-. „.,фффффр ма ЙЫД (II) 466 544

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Ресоуолик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 11.03.74 (21) 2004880/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 08.07.75 (51) М. Кл. 6 1lc 5. 12

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.6 (088.8) по делам нзооретений и открытий (72) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин и H. Д. Новик

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления матриц для запоминающих устройств (ЗУ) ЭВМ.

Известен способ изготовления матриц для

ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Однако при использовании известного спосооа толщина изоляционного слоя между шинами и магнитным слоем неравномерна из-за неоднородности поверхностного натяжения слоя изолирующего материала в процессе его нанесения, а изоляция в местах утоньшения ненадежна.

Целью изобретения является повышение кач еств а м атр ицы.

Эта цель достигается тем, что перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины наносят смесь из неплавкого материала, например MgO.

На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны — адресные, а с другой — ортогональные им разрядные шины. Оплавляют матрицу в потоке горячего газа. На шины наносят методом опудривания смесь: окись ме5 талла — связующее, например MgO и эпоксидная смола (2:1). Затем изолируют шины эпоксидной смолой, металлизируют и покрывают методом химического осаждения магнитным материалом с прямоугольной петлей гистере10 зиса.

15 Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизи ров анный диэлектрик, оплавлении диэлектри-а, расположенного между шинами, пото20 ком горячего газа с последующей изоляцией эпоксидной смолой, металлизацией и покрытием этих шин магнитным материалом с прямоуго IbEIOH петлей гистерезиса, отличаюшийся тем, что, с целью повышения качест25 ва матрицы, перед нанесением изоляционного покрытия из эпоксидной смолы на шины напосят смесь из неплавкого материала, например MgO.