Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

<и) 466545

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со сз Советских

Социалистических, Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 11.03.74 (21) 2004826/18-24 (51). М. Кл. С l tc 5/12. с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень ¹ 13

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.6 (088.8) Дата опубликования описания 28.07.75 (! ) Авто)>41 !! зобпетсппя

В. В. Бушин, Ю. В. Остапенко, 3. В. Литвишко, Н. Д. Новик и Ю. П. Панев

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявнтел;, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц для запоминающих устройств (ЗУ).

Известен способ изготовления матрицы для

ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин методом электроосаждения, активации, активации диэлектрика раствором хлористого палладия, химической металлизации и покрытии этой системы шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Недостатками известного способа является необходимость применения солей драгметаллов, например, для металлизации диэлектрика, частая регенерация и корректировка раствора химического никелирования или меднения, что ведет к непроизводительной затрате химических реактивов, а операция металлизации диэлектрика не обеспечивает достаточной адгезии.

Целью изобретения является упрощение технологии изготовления матрицы, что достигается тем, что диэлектрик перед нанесением магнитного материала металлизируют путем обработки его спиртовым раствором отвердителя, затем опудривают смесью высокодисперсных порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления

5 плавкого связующего и затем обрабатывают в растворе соли менее активного металла, чем металл-наполнитель.

Матрица для (ЗУ) по предлагаемому способу изготавливается следующим образом.

I0 На металлизированном лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные, а с другой ортогональные им разрядные шины. Лавсановую основу оплавляют потоком горячего газа при 300 — 350 С.

15 В результате чего образуются отверстия между шинами. Открытые участки шин покрывают слоем диэлектрика, например, обрабатывая в спиртовом (1 — 3% ) растворе отвердителя, опудривая высокодисперсным порош20 ком эпоксидной смолы и полимеризуя при

150 С в течение 30 мин. Далее диэлектрик покрывают слоем металлонаполненного полимера, погружая заизолированную систему шин в спиртовой раствор (1 — 5% ) полиэтиленпо25 лиамина, высушивая на воздухе, опудривая смесью высокодисперсных порошков эпоксидной смолы и карбонильного железа (соотношение в вес. ч. от 50:80 до 20: 80, соответственно) подвергая термообработке при 80—

30 120 С в течение 20 — 40 мин и замещая желе466545

Составитель В. Вакар

Техрсд Е. Подурушина

Корректор Л. Орлова

Редактор Л. Утехина

Заказ 1815/1 Изд. № 673 Тираж 648 Пбздпи с нов

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 зо медью в насыщенном растворе медного купороса при 20 — 50 С в течение 10 — 30 мин. На образовавшийся слой меди толщиной 3—

10 мк методом электролитического осаждения наносят слой 83% Ni, 17% Fe из ванны состава NiSO4 7НвΠ— 340 г/л, МС1а 6Н О—

15 г/л, FeSO4 7Н20 — 8 г/л, НзВОз — 30 г/л, сахарин 0,8 г/л, лимонная кислота б г/л, плотность тока — 8 маlсм, время оваждения

1 час, толщина осажденного слоя 8 мк.

Предмет изобретения

Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин и покрытии его магнитным материалом с

5 прямоугольной петлей гистерезйса, о т л ич а ю шийся тем, что, с целЬю уйрощения технологии изготовления Матрицы, Дйэлектрик перед нанесением магнйтнозго материала металлизируют путем обработки его сййрто10 вым раствором отвердителя, затем ойудривают смесью высокодиеперсных. порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления плавкого связующего

15 и затем обрабатывают в растворе соли менее активного металла, чем металл-наполнитель.