Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти

Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

v Яф

;-.,31 " в1

О П И С А Н И Е 1п1 46655О

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.02.72 (21) 1751138/18-24

". присоединением заявки № (23) 11риоритет

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 26.06.75 (51) М. Кл. б 11с 11/38

Государственный комитет

Совета Министров СССР

Il0 делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327(088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. В. Трусевич и О. П. Назаров (71) Заявитель (54) ТУННЕЛЪНО-ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники.

Известна туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти, содержащая два транзистора, два обращенных диода, дифференцирующую 5 цепь, диоды развязки и фиксации.

Однако в известном устройстве считывающий транзистор, подключенный непосредственно к средней точке пары Гото, не обеспечивает высокой нагрузочной способности по цепи счи- 10 тывания, а наличие резистора в коллекторной цепи транзистора записи не позволяет получить высокую нагрузочную способность по цепи записи.

Целью изобретения является создание устройства с меньшей потребляемой мощностью, большей нагрузочной способностью по цепям записи и считывания и большим быстродействием. 20

В предлагаемом устройстве эта цель достигается тем, что между эмиттером транзистора считывания и средней точкой пары Гото включен девятый диод, к коллектору транзистора 25 записи подключен эмиттером транзистор нагрузки, коллектор которого подключен к шине источника питания, а база — через резистор ко второй тактовой шине.

На чертеже представлена схема ячейки. ЗО

Ячейка содержит диоды 1 — 9, обращенные диоды 10, 11 (пара Гото) транзисторы считывания 12 и записи 13, транзистор нагрузки 14, резисторы 15 — 17 и конденсаторы 18, 19. Конденсатор 18 и резистор 16 образуют дифференцирующее звено.

Ячейка работает следующим образом.

При отпирании транзистора записи 13 в его коллекторной цепи течет ток, который переключает триггер на обращенных диодах 10 и

11 в «единичное состояние». При этом диод 10 находится в «высоковольтном состоянии», а диод — 11 — в «низковольтном». Так как транзистор нагрузки 14 заперт (тактовое напряжение в его базовой цепи отсутствует), то весь ток транзистора записи 13 используется для записи на N аналогичных ячеек.

При подаче отрицательного тактового импульса транзистор считывания 12 эмиттерным током переводит диод 10 в «низковольтное», а диод 11 — в «высоковольтное» нулевое состояние.

Отрицательный перепад напряжения дифференцируется конденсатором и персдним фронтом отпирает следующий транзистор записи.

Диод 9 в эмиттерной цепи транзистора считывания 12 заперт, если пара Гота, находится в

«нулевом» (высоковольтном) состоянии, и

466550

Предмет изобретения

Составитель Ю. Трусевич

Техред Е. Подурушина

Корректор Н. Аук

Редактор Л. Утехина

Заказ 1435/15 Изд. № 643 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 транзистор записи 13 считывает со следующих

N — 1 ячеек, из которых т ячеек могут находиться в «единичном» состоянии (m(N — 1).

При подаче тактового напряжения в базовую цепь нагрузочного транзистора 14 его эмиттерный ток восстанавливает начальные значения напряжений на конденсаторе 19 и на коллекторе транзистора записи 13.

Таким образом, осуществляется передача сигнала по ячейкам в каждом такте.

Диоды 1, 2 и 7 служат для развязки ячеек между собой при подключении N — 1 параллельных ячеек. Диод 3 обеспечивает протекание тока считывания через «нижний» обращенный диод пары Гото. Диоды 4, 5 фиксируют напряжение тактового импульса, ограничивая его при больших амплитудах. Диод 6 служит для быстрого восстановления начального напряжения на конденсаторе 18 после записи, а диод 8 — для восстановления напряжения на конденсаторе 19. Диод 9 служит для расширения нагрузочной способности и развязки обращенных диодов при подключении

N — 1 ячеек к транзистору считывания.

Конденсатор 19 обеспечивает развязку в цепи питания.

Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти, содержащая пару Гото, к средней точке

5 которой подключены два последовательно соединенных диода и дифференцирующее звено, третий диод, включенный между шиной источника смещения и парой Гото, транзистор считывания, к базе которого подключены после10 довательно соединенные четвертый и пятый диоды и резистор, подключенный к первой тактовой шине, а к коллектору — шина питания; транзистор записи, база которого через конденсатор дифференцирующего звена под15 ключена к средней точке пары Гото и к аноду шестого диода, катод которого соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор транзистора записи через разделительный конденсатор подключен к средней точке последова20 тельно соединенных седьмого и восьмого диодов, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, между эмиттером транзистора считывания и средней точкой пары Гото включен девятый диод; к коллектору

25 транзистора записи подключен эмиттером транзистор нагрузки, коллектор которого подключен к шине источника питания, а база— через резистор ко второй тактовой шине.