Электрофотографический слой
Иллюстрации
Показать всеРеферат
СПИ ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ пп 4673l5 союз Советских
Социалистических республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.07.73 (21) 1944579/28-12 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 15.04.75. Бюллетень № 14
Дата опубликования описания 26.09.75 (51) М. Кл. G 03g 5/02
Государственный комитет
Совета Министров CCCP по делам изобретений и открытий (53) УДК 772.93(088.8) (72) Авторы изобретения Г. Б. Абдуллаев, В. Г. Агаев, Д. Т. Гусейнов, Р. Х. Нани и Э. Ю. Салаев
Ордена Трудового Красного Знамени институт физики
АН Азербайджанской ССР (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ СЛОЙ составляет р, = 10" — 10" ом.см, Изобретение относится к технике электрофотографии, в частности к электрофотографическим слоям.
Известен электрофотографический слой, состоящий из подложки, связующей среды и фоточувствительного материала.
Недостатком известного слоя является низкая фоточувствительность.
С целью увеличения фоточу вствительности в видимой области спектра и ликвидации тем- 10 новой адаптации в .качестве фоточувствительного материала используют соединения, имеющие общую формулу
СдбаМ„где М Se u S.
Электрофотографический слой изготавливается методом диспергирования в связующей среде, При этом в качестве связующей среды используют полистирол, растворенный в бензоле. Измельченные кристаллы 20
CdGa,Se, или CdGa,S,, полученные после синтеза, диапергируют в связующей среде. Затем эмульсию наносят на подложки, в качестве которых используют или 25 обычную белую чистую бумагу или алюминиевую пластинку. Далее электрофотографические слои толщиной 20 — 50 мкм высушивают, при этом оптимальное весовое соотношение использованных материалов составляет: 0,4 г 30 измельченного кристалла; 0,04 — 0,08 г полистирола и 2 мл бензола.
При 293 К темновое сопротивление электрофотографических слоев на основе соединений
CdGa,Se, и CdGa,S, а относительная фоточувствительность тех же слоев при освещенности 10 лк составляет р,/р„= (0,4 — 8) - 10 .
Максимумы спектральной фоточувствительности этих слоев находятся в области длин волн света 400 — 600 нм, диэлектрическая проницасMocTb в темноте при частоте электрического поля 1 кГц составляет 6 — 8.
Первым этапом технологии электрофотографического процесса на полученных слоях является их электризация в темноте в поле коронного разряда. Вследствие низкой концентрации уров ней прилипания в слоях
CdGa,Se, и CdGa,S, процесс темновой адаптации перед электризацией практически отсутствует.
Процесс экспонирования проводят по схеме позитив †позит, 467315
Составитель В. Агаев
Техред М. Семенов
Редактор В. Блохина
Корректоры: В. Петрова и E. Давыдкина
Заказ 2407/16 Изд. № 1583 Тираж 559 Подписное
ЦНИИПИ Государственного, комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2
Для проявления скрытого электростатического изображения, зафиксированного на поверхности слоев, после процессов их электризации и экспонирования применяют один из методов сухого проявления, так называемое каскадное проявление и метод погружения в жидкостный проявитель.
Процесс закрепления проявленного изображения в случае сухого проявления осуществляется методом закрепления в парах растворителя. При жидкостном проявлении процесс закрепления осуществляется непосредственно в процессе проявления.
Изображения, полученные на поверхности электрофотографических слоев на основе
4 соединений CdGa,Se., и CdGa,S,, являются достаточно четкими и контрастными, Предмет изобретения
Электрофотографический слой, состоящий из подложки, связующей среды и фоточувствительного материала, отличающийся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности в видимой области спектра и ликвидации темновой адаптации, в качестве фоточувствительного материала используют соединения, имеющие общую формулу
15 CdGa,Ì„ãäå М вЂ” Se u S.