Устройство дешифракции на цилиндрических магнитных доменах

Устройство дешифракции на цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (11) 46740 4

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 13.04.73 (21) 1006721/18-10 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.75. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 18.07.75 (51) М. Кл. G 11с 11/14

Н 031< 13/247

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и отнрытчй (53) УДК 681.327,66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н. Л. Прохоров, Ю. В. Федотов и С. В. Замковец

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕШИФРАЦИИ

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (ЦМД) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах для предварительной логической обработки подлежащей хранению информации.

Известны устройства для дешифрации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), содержащие для N — разрядного адресного слова 2 источников доменов, каналы продвижения ЦМД, образованные Т-образными и прямоугольными аппликациями из магнитомягкого материала, шины управления, переключатели ЦМД и аннигиляторы доменов.

Однако в таких устройствах шины управления имеют сложную конфигурацию, которая вызвана необходимостью удерживать домен в центре Т-образной аппликации для последующего его перевода из основного в дополнительные каналы продвижения ЦМД, а необходимость производить возбуждение тока в управляющих шинах с каждым циклом управляющего поля и зависимость длительности импульсов возбуждения ст времени, в течение которого домен удерживается в центре

Т-образной аппликации, предъявляют высокие требования к устройству синхронизации.

Цель изобретения состоит в уменьшении габаритов устройства и снижении требований к схеме синхронизации.

Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве каждый переключатель ЦМД выполнен в виде прямоугольной аппликации из магнитожесткого материала, расположенной на горизонтальной части Т-образной апплика5 ции из магнитомягкого материала, вертикальная часть которой размещена параллельно каналу продвижения ЦМД, соединена под прямым углом с вертикальной частью другой

Т-образной аппликации из магнитомягкого

10 материала и образует вместе с последней аннигилятор доменов, а каждая шина управления пересекает аппликации из магиитожесткого материала, при этом ее направление в месте пересечения изменяется на противопо15 ложное через 2" —" каналов продвижения

ЦМД, где n — порядковый номер шины управления начиная от старшего разряда.

На чертеже представлено описываемое устройство для двухразрядного адресного слова

20 (N =2), где (S — S4) — источники доменов.

На поверхности пластины 1 магнитоодноосного кристалла расположены прямоугольные

2 и Т-образные 3 аппликации из магнитомягкого материала, составляющие каналы 4 — 7

25 продвижения ЦМД. Прямоугольные аппликации 8 из магнитожесткого материала расположены на горизонтальных частях Т-образ ных аппликаций 9 из магнитомягкого материала, вертикальные части которых размеще

30 ны параллельно каналам 4 — 7, соединены под

467404

30

40

50

Предмет изобретения

Устройство для дешифрации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), содержащее для N — разрядного адресного слова 2 55 источников доменов, каналы продвижения

ЦМД, образованные Т-образными и прямоСоставитель Е. Иванов

Техред М, Семенов

Корректор Н. Аук

Редактор И. Шубина

Заказ 1665/3 Изд. № 1394 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, РК-35, Раушскзя наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 г прямым углом с вертикальными частями Т-ооразных аппликаций 10 и вместе с последними составляют аннигиляторы. Шины управления

А и Б пересекают аппликации 8 из магнитожесткого материала и направление их в месте пересечения изменяется на противоположное: через две прямоугольные аппликации

8 — для шины управления А и через одну прямоугольную аппликацию 8 — для шины управления Б.

В соответствии с кодом, записанным в регистре адресного слова, по каждой из шин управления А и Б пропускают импульсный ток того или иного направления, который соответствующим образом перемагничивает прямоугольные аппликации 8 из магнитожесткого материала. При совпадении направления вектора управляющего поля с направлением намагниченности аппликаций 8 на их торцах, обращенных к каналу продвижения ЦМД, будет образован удвоенный положительный полюс. Если намагниченность аппликаций 8 имеет противоположное направление, то торцы совмещенных аппликаций 8 и 9, обращенные к каналу продвижения ЦМД будут нейтральными. Поэтому домены, продвигающиеся по каналам 6 и 7, когда вектор поля ориентирован вверх, занимают позицию под верхним торцом аппликаций 8 и 9 и при дальнейшем вращении вектора управляющего поля аннигилируют, а домены в каналах 4 и 5 продолжают продвигаться вдоль этих каналов.

При ориентации вектора управляющего поля в канале 4 вверх домен, продвигающийся по этому каналу, занимает позицию под верхним торцом аппликаций 8 и 9 и при дальнейшем вращении вектора поля аннигилирует.

Каждой комбинации входных переменных шин управления А и Б соответствует единственный канал продвижения ЦМД, в котором при ориентации вектора управляющего поля вверх торцы прямоугольных аппликаций 8 из магнитожесткого материала и Т-образных аппликаций 9 из магнитомягкого материала, обращенные к каналу продвижения ЦМД, нейтральны, и домены, продвигающиеся по этому каналу, занимают позицию под торцом прямоугольных аппликаций 2 из магнитомягкого материала и проходят на выход устройства. угольными аппликациями из магнитомягкого материала, шины управления, переключатели

ЦМД и аннигиляторы доменов, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью уменьшения габаритов устройства и снижения требований к схеме синхронизации, каждый переключатель

ЦМД выполнен в виде прямоугольной аппликации из магнитожесткого материала, расположенной на горизонтальной части Т-образ10 ной аппликации из магнитомягкого материала, вертикальная часть которой размещена параллельно каналу продвижения ЦМД, соединена под прямым углом с вертикальной частью другой Т-образной аппликации из магни15 томягкого материала и образует вместе с последней аннигилятор доменов, а каждая шина управления пересекает аппликации из магнитожесткого материала, при этом ее направление в месте пересечения изменяется на

20 противоположное через 2-" — каналов продвижения ЦМД, где n — порядковый номер шины управления, начиная от старшего разряда.