Устройство для высокочастотного нагрева

Устройство для высокочастотного нагрева

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

11 ц 470 090

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сааз Советскик

Социалистических, Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05;01.73 (21) 1868668/24-7 (51) М. Кл. Н 05b 9, 00

F .27d 11/12 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.05.75. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 28.07.75

Государственный комитет

Совета .Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.365.51 (088.8) (72) Авторы изобрстсния

H. Ф. Глебко и Л. С. Ламнев

BFigg

ФВД,"",, (,11,, ДР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО НАГРЕВА

Изобретение относится к области электротехники и может применяться, например, для высокочастотного нагрева мелких деталей.

Известное устройство для высокочастотного нагрева, содержащее замкнутый магнитный ,контур, выполненный из основного и дополнительного магнитопроводов, на которых размещены рабочая обмотка, обмотки управления и обратной связи, имеет увеличенное время реакции цепи регулирования на изменение переменного магнитного потока.

Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что с целью упрощения и повышения быстродействия в нем дополнительный магнитопровод выполнен не замкнутым, в зазор между его полюсами введен основной магнитопровод, например, перпендикулярно дополнительному, а обмотка управления подключена к обмотке обратной связи непосредственно.

На чертеже представлена схема устройства, состоящего .из основного магнитопровода 1 и дополнительного 2. На магнитопроводе 1, включающем участки 3, 4, 5, намотана рабочая обмотка б, подключенная к высокочастотному генератору 7, и обмотка обратной связи

8.,В зазоре 9 магнитопровода 1 производится разогрев деталей, а в зазоре магнитопровода

2 между его полюсами находится участок 4 магнитопровода 1. Магнитопроводы расположены так, что их оси, например, перпендикулярны друг другу. Магнитопровод 2 снабжен обмоткой управления 10, подключенной к обмотке обратной связи 8 непосредственно.

5 Основная часть магнитных потоков, создаваемых обмотками 10 и б в случае, когда длина участка 4 намного меньше среднего диаметра магнптопроводов 1, 2, замыкается соответственно по замкнутому контуру 2 4 2 и и по разомкнутому — 3 4 5 — 9 — 3. В участке

4 магнитные потоки пересекаются под углом, зависящим от взаимной ориентации магнитопроводов. Магнитная проницаемость участка

4 в направлении средней линии одного магни15 топровода находится в обратной зависимости от величины магнитного потока в другом магпптопроводе.

Так как обмотка управления !О подключена к обмотке обратной связи 8, напряжение

20 на которой пропорционально магнитному потоку в магнитопроводе 1 с зоной нагрева, а знак приращения тока обмотки управления

10, обратный знаку приращения магнитного потока в магнитопроводе 1, то в устройстве

25 имеется отрицательная обратная связь по,магнитному потоку.

Так при увеличении по каким-либо причинам магнитного потока в магнитопроводе 1 увеличивается высокочастотная э.д.с., инду30 цпрованная в обмотке обратной связи 8, ток

470090 в цепи обмотки 10 и магнитный поток в магнитопроводе 2. При этом магнитная проницаемость участка магнитопровода 4 увеличивается в направлении средней линии магнитопровода 2 и уменьшается в направлении средней линии магнитопровода 1. Магнитное сопротивление магнитопровода 1 увеличивается.

Это приводит к восстановлению прежнего значения магнитного потока, создаваемого рабочей обмоткой б.

С уменьшением потока в сердечнике 1 ток обмотки управления 10 уменьшается, что также приводит к восстановлению прежнего значения потока.

Степень влияния магнитного потока в одном магнитопроводе на,магнитное сопротивление другого магнитопровода, а вместе с тем и коэффициент стабилизации магнитного потока зависит от величины ампервитков обмоток 8, 10, геометрических размеров магнитопроводов, угла между их плоскостями и других факторов.

При прочих равных условиях коэффициент стабилизации магнитного потока в значительной степени зависит от формы кривой намагничивания магнитопроводов 1 и 2.

В некоторых случаях для повышения коэффициента стабилизации участок 4 может быть выполнен из монокристалла ферромагнитного материала, например монокристалла железа.

В общем случае, когда угол между векторами магнитных потоков отличен от нуля, в устройстве имеется отрицательная обратная связь по магнитному потоку, так как при этом в участке магнитопровода 4 присутствует как продольная составляющая магнитного потока, так и поперечная, а наличие поперечной составляющей влияет на величину магпштпого сопротивления участка 4 для продольной составляющей потока,;независимо от структуры ферромагнитного материала.

5 В отличие от известных индукторов непосредственная связь обмоток 8,и 10 позволяет уменьшить время переходного процесса, в течение которого восстанавливается магнитный поток в магнитопроводе 1 и одновременно

10,кратковременные выбросы переменного потока, ухудшающие параметры нагреваемых деталей.

При необходимости устройство может быть снабжено ручной регулировкой. Для этого до15 статочно подключить обмотку обратной связи

8 к оомотке управления 10 через регулятор переменного тока, а в более простом случае выполнить обмотку обратной связи 8 или обмотку управления 10 с отводами и включать

20 в цепь обратной связи с помощью переключателя определенное количество их секций.

Предмет изобретения

25 Устройство для высокочастотного нагрева, содержащее замкнутый магнитный контур, выполненный из основного и дополнительного магнитопроводов, на которых размещены рабочая обмотка и обмотки обратной связи и

30 управления, о тл ич а ющеес я тем, что, с целью упрощения и повышения быстродействия, дополнительный магнитопровод выполнен пс замкнутым, в зазор между его полюсами введен основной магнитопровод, например, 35 перпендикулярно дополнительному, а обмотка управления подключена к обмотке обратной связи непосредственно.

470090

Составитель Н. Писаревская

Редактор В. Фельдман Техред М. Семенов Корректор Л. Орлова

Заказ 1851/7 Изд. Ме 697 Тираж 869 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2