Интегральная схема

Интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

е °

ОП И „ЩФ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскии

Социалиатическин

Республик (11) 470237.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву2 (51) M. Кл.

Н 01 1 27/00 (22) Заявлено 24.08,73 (21) 1955264/26-25

Государственный номитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий (23) Приоритет(43) Опубликовано05.07."77.Бюллетень №25 (53) УДК 621.382 (088.8 ) (45) Дата опубликования описания 24.08.77

К, А. Поляков и А. И. Тромбовецкий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (S4) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА с присоединением заявки №

Изобретение относится к полупроводниковым интегральным микросхемам, в частности к микросхемам с диэлектрической изоляцией компонентов и подложкой из поликристаллического полупроводникового ма- о териала.

Известны полупроводниковые микросхемы, межсоединения в которых содержат, по меньшей мере, одно пересечение, представ- t0 ляюшее собой легированную примесями область полупроводникового материала. На поверхности этой области размешены два омических контакта, к которым присоединены концы одного межсоединения, а дру- 15 гое межсоединение размещено на диэлектрическом покрытии между омическими контактами. В известных микросхемах с подложкой из поликристаллического кремния и диэлектрической изоляцией компонен- 20 тов область пересечения размешается в углублении подложки, заполненном монокристаллическим кремнием и изолированном диэлектриком, вслетк:твие чего плотность размешения активных элементов невысока. 25

11ель изобретения - повышение плотности расположения элементов интегральной схемы, Поставленная цель достигается тем, что пересечения межсоединений размешены не« посредственно в подло кке из поликристаллического полупроводникового материала, причем область пересечения представляет собой легированную, например, фосфором область поликристаллического кремния подложки.

Удовлетворительные характеристики области пересечения достигаются в случае, если размеры зерен лоликристаллического кремния в этой области не превышают

2,0 мкм. Высокая воспроизводимость электрофизических характеристик области пересечения достигается при размере зерен поликристаллического кремния в ней от

100 до 10000 А

На чертеже показан участок микросхемы с разрезом по А-А, содержаший подложку 1 из поликристаллического кремнитт с удельным сопротивлением около

2, 10 ом см, размером зерен до 1 мкм

470237 и преимущественной ориентацией зерен в кристаллографической плоскости (1 10); углубления 2 в подложке 1, заполненные монокристаллическим кремйием с удельным сопротивлением 1 ом см и ориентацией в кристаллографической плоскости (111), изолированные слоем двуокиси кремния 3 толщиной 2 мкм; область 4 П -типа про водимости, созданной методом локальной диффузии примесей в поликристаллическом 10 кремнии подложки 1, и обладающей концентраВО е3 цией примесей (фосфора) около 1 1й см с геометрическими размерами 50х50х3 мкм; диэ лектрическое покрытие 5 из двуокиси кремния толщиной О,- мкм на поверхности области

4; омические контакты 6 и 7 к области 4, представляющие собой слой алюминия толщиной 1 мкм; межсоединения 8 и 9, выполненные также из алюминия толщиной 1 мкм, шириной .1.0 мкм, 20

Концы межсоединения 8 подсоединены к омическим контактам 6 и 7, а межсоединение 9 размещено на диэлектрическом покрытии 5 области 4, Описанная конструк- . 25 ция обеспечивает изолированное пересечение межсоединений 8 и 9 в микросхеме, размещенных в одной плоскости, В рабочем состоянии микросхемы достигается независимая передача информации по межсоедине- 30 ниям благодаря изоляции, обеспечиваемой диэлектрическим покрытием 5

Размещение пересечения межсоедиыений

8 и 9 микросхемы в области подложки из

U поликристаллического кремния позволяет повысить плотность размещения компонентов микросхемы на единицу площади подложки, так как в незанятых областями пересечения межсоединений углублениях подложки могут быть размещены дополнительные активные элементы, например диоды и транзисторы, Формула изобретения

Интегральная схема, включающая поликристаллическую подложку, активные и пассивные элементы, размещенные в изолированных диэлектриком участках монокристаллического полупроводника, систему металлизированных межсоединений с пересечениями, о -. л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повьпиения плотности размещения элементов на кристалле, пересечения межсоединений выполнены в виде расположенных непосредственно в подложке высоколегированных участков с размерами зерен поликристалла, не превышающими

2 мкм.

470237

Составитель B. Кремлев

Редактор Т, Орловская Тех е р д M. девипкая Корректор Н, Ковалева

Заказ 2191/224 Тираж 976 Подписное

Ш-1ИИПИ Гос а осударственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Ф илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная 4 роектная,