Датчик магнитосопротивления

Датчик магнитосопротивления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(!!) 470772

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со)оз Советскик

Социалистических

Республик

Ф

I (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.10.73 (21) 1961839/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.05.75. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 20.08.75 (51) М. Кл. 6 01г 33/06

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317.44 (088.8) (72) Автор изобретения

Ш. С. Сафинов

Уфимский авиационный институт им. Орджоникидзе (71) Заявитель (54) ДАТЧИК МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров магнитного поля или в качестве чувствительного элемента в устройствах информационно-измерительной техники и автоматики.

Известные датчики магнитосопротивления, в которых для уменьшения температурной погрешности и влияния разброса параметров материала четыре магииторезистора соединены в мостовую схему и расположены на одной подложке, отличаются трудностью экранирования двух магниторезисторов из четырех от действия магнитного поля. Практически трудность заключается в балансировке схемы, так как введение дополнительных балансировочных элементов снижает термостабильность, с помощью мостовой схемы невозможно получеиие высокой температурной стабильности.

Для упрощения конструкции, повышения термостабильности и надежности предлагаемый датчик выполнен в форме параллелепипеда, иа четыре грани которого нанесен слой м11! nnTop83HcTHI3nol 0 мaTcplla;Ia с фасками Ila рсбрах этих граисй, делящих магниторезистивный слой иа равныс части, и с металлическими контактами иа двух других гранях дат 1ика.

На чертеже показана конструкция предлагаемого датчика.

Датчик магнитосопротивления состоит из подложки 1 в форме параллелепипеда из фер5 родиэлектрика с нанесенным иа четыре ее грани слоем магниторезистивного материала 2 и металлизацией 3. Четыре ребра граней имеют фаски 4, благодаря которым грани с слоем магниторезистивного материала образуют

10 !остовую схему.

Если датчик находится в магнитном поле так, что его вектор перпендикулярен одной из четырех рабочих граней, то при изменении величины индукции магнитного поля изменяет15 ся сопротивление только двух граней с слоем магниторезистивного материала. Сопротивпение двух граней не изменяется, так как их плоскость параллельна вектору магнитного поля.

Предлагаемая конструкция датчика позволяет осуществить балансировку .вращением его вокруг своей оси симметрии, перпендикулярной двум граням со слоем магниторезистивного материала, относительно вектора магнитного поля и имеет высокую термостабильность

25 и надежность, потому, что все элементы мостовой схемы выполнены из одного и того же материала за одну технологическую операцию нанесения магниторезистивного материала на подложку в форме параллелепипеда.

470772

Предмет изобретения

Составитель H. Данилин

Редактор И. Шубина Техред О. Гуменюк Корректор Л. Денисова

Заказ 1994/13 Изд. № 1436 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, 1 аушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Датчик магнитосопротивлепия, содержащий четыре магпиторезистора на подложке, включенные по мостовой схеме, о тл и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения конструкции, повышения термостабильности и надежности, датчик выполнен в форме параллелепипеда, на четыре грани которого нанесен слой магниторезистивного материала с фасками на ребpav этих граней, делящих магниторезистив5 пый слой на равные части, и с металлическими контактами на двух других гранях датчика.