Способ полировки и травления монокристаллов вольфрама

Способ полировки и травления монокристаллов вольфрама

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со)оз Советских

Социалистических

Республик

;>!) 4735I3 (6 ) ) IO! to» f ï)тсл !toe 1 . 3 В! . Спид-В<> (22) ЗЯ)с»лспо 02. 04. 73 {21) 1903637/23-26 (51) М. Кл. В Оlj 17/00

С 23k 3/00

С П ) t!(ОC1! l i(CII! IC М Зl! и»f(11 >(O

Государственный коиитет

Совета Министров СССР

I)0 делам изоЬретений

И ОТКРЫТ>(>> (23) Приор((гст ——

О;1) бликоваш> 15.06.75 Бю, IOTcill> ¹ 22 (53) Ъ ДК ()48 55(088 8) . ..1а га Опуб 1)tкова)tпH 01)itCBil?tH 01.12.76 (72) Авторы и",î б р ете.п: гя

Л. Е. М:(к((рова и Ю. И. Раг03?IH (7j) За !=it!ель

Пермский политехнический институт (54) СПОСОБ ПОЛИРОВКИ И ТРАВЛЕНИЯ

)ЧО НОКР ИСТАЛЛО В ВОЛЬФРАМА

СКО,! ЬК((. >; (СК< ПД Дi> <111!1.) ПОЛ > ЧИTI> 11 > жl(>, iO

К Я,) Т 1111 (! Р 3 В 1 С П 1! 5! 1! Я Р 3 3 1 1>1 Х I I.ч 0 С КО С T 5) К.

П р il а! с р. Пот(гот<1»<(ива!Ог поверхность 0()j> 3.>ца мС 3 ииЧСС!.Ой 110 1 и))овк01! it )(j)OT)1p 310 г спиртом. В электролит. состоящий из 12 г КОН.

36 г К;;()=е((:Õ) <) и!00 г Пе>О,;)ог))у?ка!О(оора., iI. Л !Од. — (брязсц, к»10 — — псj))t 3:(»сlо!ц Iя

> Г

1 () Iс j)сз В!>(. I j) я ми 1 с,! ь подк, 110<(3 lот э зск! ))О 1! I ()<> 1 !11! > (> папи > . 1 1(), 1! t))(>f)>!i 5Â, т10 с; травление --прп 1„, 1 А/см, 1 20 C т и ип. ПО, lс vf>!>cp <пос! t> О :>)ы1> Ilf!101 (г(прод> кто» р<1!»1сиl(я и ill>l(шift)><1 .????, (,il()i>i! 1i(),1!Ij>() .fi()i П TP(11!ЛСП»51 М()ПО!>РП.

2i> (I 1 >и>л ьф j>;! м 3» п(СЛO Ill(>)t р (!("(ВО!

К;,1) с(С.")„). от.»<«(I><)(<((<(

СС к(>; <Сl I I I)I I I < il ) Оп,(ll liH проц(ii (>В по l)l j) Ol> l(1!

1I 1>)кои 11 i. г(>г j) 3ll If!l, !3 j)3 >, 1 1 IЫ. :IЛ(>СКОС (5!К, il) :>Ц(C(1> Д(i . .РП

ii<1, !Ожсil I; . Э. ii; j)!1,CCÊÎÃO ПОЛ

25 С, 1 5- 7Б, т--- сскуиды, для травления дпслок(!ill! Il, олоков и субграипц, с предвари)ельной оораооткой в Н О>, 1„;, 0.5 — 1 А/см"-, 30 < 20- 2)С, т 05- 2 мип.

1 ?300)?cTc)f lie OTllocl! 1>05(1(00. i 3(. и пOЛ и ров!(п

)l трав IQIIIIH моиокрпстаl;103 вольфрама и мо?кст примсияться в мсталловсдеиии

Извсстшя спосоо электролитичсского тра»лспия кp)ict. fллоь вольфрама» растворе фосфор окислого патрllH и способ вь!5!Влепи)! дi!c:(OKBUIfI(ll КП .>! П<(ССКОМ РЯВИТС;!(, C<>?IC j>)fi3щем КОН, К (Ге(СХ) ) и воду.

jIåc(0cTатк3ми известив!х ci)ocooo» I!0,1!Ij)i>ll к(! 11 1 p3ÂËCI!! IH м Оиокр псТЯ, I;! ОВ ВÎ, (Ьф j)<1м 3 являются зпач)ггсльпыс затра (ы»ремспп ll<

i1Ол11рО Вк >> i ((I ОС, IС.(у(0 п(CС 1 p а il,1 C 1 () l с, п СО О. (О;(имОст1> и»и>>!сисп пя j) 3зп(lх p3(. т ВО))ОВ !1 j)сжпмо». I(,poilc того, травлсиис дислокаций !

ВlcT tlc ll3»сск плоскостя.;, а также загр) дпсIlO В:l li51111IC гp3il?ltl О, Iоко» и )) Bill!if, Суоз pCll.

Цель пзобрстеп(гя — - ускорение п упро(цспис

llP0l)(. С(..ОВ.::!O it!)?OINK!1 МОИОКРПСТЯЛ,)ОВ П I Р;!»вЂ” лсппя (l(cлокаций, границ блоко» !(границ суозсpcll па раз;(ичи1>1." и. IоскосT)lx..) 1 О;1 ОС игастся тем, что процесс Ведут прп наложении э (cKT)?l)÷ñcкого иол51 Ilp)l рсж!1мftx для э;!сктропол?!ровки 1„,, 2,0 — 7>0 А/см-, t 20---25 С, ! 5 — 7В, т — секунды, для травления дислока((fiji(, блоков lt субгранпц, с прс:(вари гсл(ин>й обработкой в Н.О>ь !„,, 0.5 — 1 А/см, t 20— — 25 С, т 0,5- 2 мии.

О;юсоб прост В ирпмсцсшп(, удобен» раоотс, так как ч(озволяет одно»рсмс!шо огпог(ироfl3п поверхиость образца !1 быст>и> (От пс11рсдмет изоорете пи я