Способ грохочения материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

, itt) 473529

Союз Советсиих

Социалистических

Республин

ОП ИСАНИЕ, ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.10.72 (21) 1833208. 29-33 (51) Ч. 1 л. В 07Ь 1 28 ! с ffp! tcocl it itcfl! Ic заявк:! ¹â€”

Государственный комитет

Совета Министров СССР

00 делам изобретений и открытий

t 23) П р и о р итст—

Ои) î !Нковаио 14 06:5 г)!О i,.""тсиь ) (53) УД1), 621,928 (088.8) ! !

Дс) 1 ii 0tl) Î, 11! t(OE> it it!1Я Оп иссl и!!)1 22.0! .70. (72) Лвто)) и3001) Tt litt)

В. M. Л ар ионов (71) Заяв)пель Всесоюзный научно-исследовательский институ1 нерудныи строительных

МсlтЕРИВЛОВ И ГИДРОМЕХс3НИЗЙЦИИ

; 54 ) С П О С О Ь Г Р О Х О Ч Е?> И >1 М А Т Е Р И Л Л А

Пр L,ä Ì C T И З О б р С> Г (t t it c) 11зобрс; 11!Ic ог!косит(я к иромып Ici!!!Gcти (! !)О И ГС.1!>иl>!л )I а I СР tl iKIOI).

1 l3i>ccTclt I!0(ОО ГpO. .0 чеп пя м с)! cp f le! 1ОВ и с

TC)1 CI О П() 1!Од!!с!ССI ОГО 1!Одбр с1СЫВЯП Пя ll с> !0В J)XIIOC! Il Э.1 сlез i!cI HO) 0 1!T3.

1!СГ!1, lt3c0(:PCTCtt tIEf — ПОВЫШСНИ(ЭффСКтИВ ОС!!, ИРОЦС(cl ГРОКОЧЕEI III. ЗтО ДОСтИГ))Сто)! тем, что подорасывапис материаëà осуществляют iio фропту бегущей волны, путем соооИ(СII Ii)t 3;I cl(I.u l I!0)l) С!IT) ВОЛ НОЬОГО ДВПЖ" НПЯ.

Сущ!кисть спосооа грокочсния матсриа IQB состоит в liìttóëücпoм взаимодействии материала с фро!Лом бегущей волны эластичного сll i i. распростраияющсгося периодически с опрсд ;Icillloii частотой от загрузочного к разГРУЗОЧ!ЮМУ КОНИ, CIITci.

СЛОЙ Матср!)аЛ ИОдбрс3СЫВаетоя:1 тра)10Il .)i) 1 и131 ется 0Т Заг()>> зочнОГО кони а к разГрузо-1:ому. Eip!i этом происходит интенсивиос разрыклеH!I(слоя и иросеиваиие ча(T!11, мат>3 р:1:зла через отвер(тия сита.

Способ t.poxo÷åltèÿ материала путем иерио-!

Г) дического подбрасывания его Efi) flof)cpufncTI. элас гичпого сита, отл!!с!аюир!1ся тем, что,: целью повышения эффективности процесса

I рокочения, подбрасывание материала ocуществляют по (рронту бегущей волны, пут(м

15 сообщения эзастичному ситу волнового дв:1Гкcí! IЯ.