Способ легирования халькогенидного стекла

Способ легирования халькогенидного стекла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик Н И Е < 475094

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

ВАТЬ фощ 3:ИЫП

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву

2 (5 I ) M. Кл. (22) Заявлено 12.12.72 (2l ) 1 85554Я/26-2 л

В О) Z (7/00 с присоединением заявки .%—

Государственный момнтет

СССР оо делам мзобретвммй

w открытей (23) Приоритет

Опубликовано 1 з.10.79. Бюллетень М Зй

Яата опубликования описания "0.10. 70 (53) УДК 621.382 (0HR.R) (72) Авторы изобретения

Б, Т, Копоглиеп,, Г, A, A ндрее ва, Э. А. Л ебеде в, И. А. Такс амь и В. Х. Шпунт

О)здена Ленина физико-технический институт им. A. ф. Иоффе (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА

Способ пегирования халькогенидного стекла путем осуществления контакта с

Изобретение относится к полупроводниковой технологии.

Известные методы пегирования, напри мер диффузии, обеспечивают равномерное и постепенное изменение состава и

5 свойств пегируемого материала. При резком локальном изменении состава легируемого вещества можно получить новые свойства в легируемой области.

Бель изобретения — создание локальных новообразований, состоящих из исходного и легирующего материалов, обладающих новыми свойствами.

Это достигается тем, что осуществляют контакт пегируемого материала с легирующим металлом. После чего прикладываются импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна или больше напряжения переключения исходного халькогенидного стекла, при этом длитель- ность импульсов напряжения устанавливают меньше времени образования проводящих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве пеги зуемого материала берут диэлектрик ипи халькогенидное стекло, а в качестве легирующего материала — серебро, платину, индий.

Пример. На графитовую подложку наносят слой хапькогенидного стекла.

Легируюшим электродом выбирают серебро. Между пегирующим электродом и халькогенидным стеклом прикладывают импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна или больше напряжения переключения исходного халькогенидного стекла. При этом легирование должно происходить быстрее, чем образование проводящих каналов. В местах контактов образуются локальные новообразования.

Они имеют большую прочность и отличаются от исходного материала. формула изобретения

»»егируюкчим материалом и приложения импульсов электрического напряжения, амплитуда которых равна или больше напряжения переключения исходного хялькогенипного стекла, о т л и ч я ю щ и й- s с я тем, что,с целью получения локяльо4 4 ных новообразований, сo(.òîÿ»»»»»õ из хял»,— когенидного стекля и легиру»о»»»его материала, длительность импульсов пяпряжения устанавливают ме»п,ше време»п» образования проводяп»их кристаллических каналов в исходном хялькогенидном стекле.

Составитель A. Адонин

Редактор Е. Месроповя Техред М. Петко Корректор М. немчик

Заказ 6286/57 Тираж 877 Подписное

ПНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11Э035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, r. Ужгорода ул. Проектная, 4