Датчик давления

Датчик давления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

11 11 475522

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.07.73 (21) 1942478/18-10 (51) М. Кл. G Oll 9/08 с присоединением заявки ¹

Государствеиный комитет

Совета 1нинистров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.06.75. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 19.09.75 (53) УДК 531.787.91 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. В. Новиков и И. И. Кривоносов (71) Заявитель (54) ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Работа датчика заключается в преобразовании давления P в деформацию, электрическое напряжение и ток. Вследствие того, что полупроводниковая пластина укреплена на изо5 ляционных опорах, при действии на нее давления P возникает тепзорезистивный эффект.

Этот эффект в основе своей низкочастотный и способствует р а с шире нию а мпл итудно-частотных характеристик в области низких частот.

10 При деформации пьезоэлектрических слоев 4 возникает пьезоэффект, который, являясь по своей природе высокочастотным, способствует расширению амплитудно-частотных характеристик в области высоких частот.

15 Для ослабления чувствительности к направлению вибраций кристаллографические оси пьезоэлектрических слоев расположены под углом, - что обеспечивает самокомпепсаци!О ложного сигнала. Кроме того, температурные

20 коэффициенты сопротивлений полупроводниковой структуры выбраны разнозпачнымп, что делает датчик малочувствительным к изменениям температуры окрухкающей среды.

Датчик да11леппя, содержаппгй корпус, пьезоэлектрический кристалл и полевой трапзн30 стор с электродами затвора, о т л и ч а ю щ и йИзобретение относится к контрольно-измерительной технике.

Известные датчики давления, содержащие корпус, пьезоэлектрический кристалл и полевой транзистор с электродами затвора, имеют недостаточную точность и надежность измерения.

Цель изобретения — повышение точности и надежности датчика.

Это достигается тем, что в предлагаемом датчике давления на электродах затвора полупроводниковой пластины полевого транзистора, укрепленной на изоляционной опоре и контактирующей одним концом с боковым выступом корпуса, нанесены пьезоэлектрические слои, связанные своими электродами с торцовыми поверхностями корпусами.

На чертеже приведена конструкция датчика.

В корпусе 1 датчика размещены полупроводниковая пластина 2 полевого транзистора, имеющего электроды 3 затвора, на которые нанесены пьезоэлектрические слои 4. Пьезоэлектрические слои связаны своими электродами 5 с торцовыми поверхностями корпуса 1.

Полупроводниковая пластина укреплена на опорах б, выполненных из изоляционного материала. Один конец пластины снабжен электродом 7, а другим концом пластина контактирует с боковым выступом 8 корпуса.

Прс,1мет пзобрете!.,::>.

475522

Составитель Л. Никиточкина

Техред Т. Миронова

Редактор Т. Рыбалова

Корректор Н. Учакина

Заказ 2269/5 Изд. № 1554 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 с я тем, что, с целью повышения точности и надежности, в нем на электродах затвора полупроводниковой пластины полевого транзистора, укрепленной на изоляционной опоре и коцтактирующей одним концом с боковым выступом корпуса, нанесены пьезоэлектрические слои, связанные своими электродами с торцовыми поверх: остями корпуса.