Негативный фоторезист
Иллюстрации
Показать всеРеферат
((() 475595
Сок)з Советских
Со((иалистических
Республик ..ф ) (áI) Зависимое 0Т авт. свидетельства (22) Заявлено 02.03.73 (21) 1889236, 23-4 (51) М. Кл. G 03с 1 68 с присоединением заявки ¹
Государствеик(тй комитет
Совета Мииистров СССР ло делам изобретеиий и открытий (32) Приоритет
Опубликовано 30,06.75. Ь(оллетснь № 24
Дата опубликования описания "2).09.75 (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы
ИЗООРСТСI!(IЯ
А. В. Олейник, Л. H. Карякина, Г. A. Смирнова, Г. М. Белевич, Г. А. Шапкин и О. А. Колмаков (71) Заявитель (54) НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Изоорстспис касается негативного фоторсзиста, используемого в фотолитографии, при изготовлении печа!ныл плат, офсстнык форм клише, трафаретов и другик отрасляк Iipoмышленности.
Известен негативный фоторсзист марки
ФН-11 на основе полимера и фотосшиватсля бисазидпогO TH!l3. В качестве полимера применен модифицированный фенолом и эпиклсрГH)(PHIIO)I, 2 TBI Н Ы и I< 2 > I !! Ê.
Недостатком изьсстного негативного фоторсзиста является нсвоспроизводимость качественного защитного рсльсфа прп нсизмсннык
У C:Л 0 В И и Х Э К C ..1 11 О Н И Р 0 Р 2 11 П Я .
С цсльло ) )lc!! ьшсни я I! 3 Iоpi(док Вpc. .! (>!! и экспонирован(гя Ilëcíîê фоторсзиста нрсдлагаIОТ ПРИЗ!С1!)IТЬ Р> !<2ЧССТВС ПОЛИЗ!ЕР1!01! OCHOBI>I ф стор сзиста Высск0410.7cI< jлярнуlо фракциlо циклизоваппого каучука с узким распределением iio молекулярным весам.
Плснкообразующий компонент фоторсзиста
ПОЛУ 12!ОТ Рве ВОРСН(ТСМ ЦИ!< 7H3022HIIOI 0 КВУчука в органи !сском растворителе (толуол, ксилол и др.).,(обавлснисм к раствору определенного количества осадитсля (ацетон, меl илОВый снп171 этилс ьlп cIIHp! и др ) нагреванием дс,с.шсго растворения вьшавшего осадка, осая<дснисм прп медленном окла>кдснпп фракции каучука, дскантацисй п сушкой с(lip!I комнатной температуре под вакуумом.
Фоторезист получают растворением в орга-! шчсском растворителе или смеси растворитс5 лей плспкоосразующсго компонента с распрслс !el!Hei(но молекулярным I.cc2)i 30000(.Ц„(35000 и фотосшиватсля бисазидного типа 13 колит!сс l вс 3 — /,:; От Веса п07и. )!ера.
I I р п м е р. 10 г цпклпзованного натурально10 Го i 25 Al 7/l ) растьоряют в 50 мл толу0;13. К раствору дос)2HëH от 25 мл а!(стопа. Смесь нагрсвак)т до
ilî1Iioi о расп)срснпя вы (авшего осадка и мсд, 1 (! l! 1 О 0;1 2 КК Д 2! 0 Г, (Р Р (l 1(I I I I IO 1< 3 ! ) 1< 2 Д т> К (Н! И15 рую-. п лшат !п)д вакуумом при компап!Ой
С т:l Pа.:У!)C.
l(!,1, т(;Н01 2.0 Г !< 1 т тт",!<11 c ????:l!>(. дснпсй HH к()т: (;>:O 36 .т:.1 Г. ! О ссствс 1 С Вуст р(lснрСдСл нпю по молску7!!!pili> м весам 3(, 000(11„
20 35000. ГотовЯт 15 а-ный РаствоР пслУчснпой фрак!шп каучука в смсси рас!Воритслсй !
Олусл-.и-ксплол (3: 1) и добавляют 3")) 4.4дпазпдбспзальппклогсксансна от веса полит)т>тт )
25 1эас; Вор нанося (11 Очт(щснн).io ii обе т<п
pi!.! ) i0 Ноя.lс (
li(псга Ив. ЭкспoIIHpol33011), 10 пл(. нку фс475595Предмет изобретения
Составитель A. Мяртыиеико
Редактор Т. Никольская Техред Л. Казачкова Корректор T. Добровольская
Заказ 2264!15 1!зд,
Ц11ИИПИ Госудярствсииого комите <а Совета Министров СССР по долям изобретений и открытий
Москва, 2К-35, Рау пскяя иаб., д. 415
1! !и!огряфия, ир. < аптиова, 2 торсзиста обрабатывают уайт-спиритом, в I
30 мин. Защитны!! рельеф структированного фоторсзиста толщиной в 2 х!ю! позволяет проводить травление ковара (к!еди, никеля) па глубину 100 мкм.
Негативный фоторезист характеризуется следующей особенностью. Высокомолекулярная фракция каучука с узким молскулярновесовым распрсдслснием определяет высокую степень структурирования пленок фоторезиста при облучении их малой дозой ультрафиолетового излучения. В результате зак!с1!ы плспкообразующего компонента в фоторезисlc марки ФН-11 (ТУ М 6-14-631-71 МХП) выcoI
5 рельефа время экспонирования пленок фоторсзиста в эквивалентных условиях.
10 Негативный фоторезист на основе циклизованного каучука ароматического бисазида и растворителя, отл и ч а ющийся тем, что, с целью уменыпсния па порядок времени экспонирования пленок фоторсзпста, применена гы15 сокомолекулярная фракция циклизова!нного каучука с узким распределенисх! по х!Олскуляршв! вссам 30000(М„(35000