Фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно- противоположным типом проводимости

Фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно- противоположным типом проводимости

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСА-Н-И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ ((() 475727

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.06.73 (21) 1930821/26-21 с присоединением заявки №

ГосУдаРственныЙ комитет (23) Приоритет

Совета Министров СССР щ„„,щ „„,„„„- Опубликовано 3006.75. Бюллетень № 24 (51) N. Кл. Н 03k 4/50 (53) УДК, 621.373.44 (088.8) и открытий

Дата опубликования описания 15.09.75 (72) Автор изобретения

С. Б. Фролов (71) Заявитель (54) ФАНТАСТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР НА ДВУХ ТРАНЗИСТОРАХ

С ВЗАИМНО ПРОТИВОПОЛОЖНЫМ ТИПОМ ПРОВОДИМОСТИ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и радиоизмерительной техники.

Известен фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно-противоположным типом проводимости, содержащий времязадающий конденсатор, интегрирующий и коммутирующий транзисторы, резистор связи и диодно-резистивные цепочки, недостатками которого являются нестабильность амплитуды и длительности генерируемого импульса.

Целью изобретения является стабилизация амплитуды и длительности генерируемого напряжения.

Для этого резистор связи включен между коллектором интегрирующего и базой коммутирующего транзистора, эмиттер которого соединен с общей точкой первой диодно-резистивной цепи, включенной между базой интегрирующего транзистора и минусом источника питания, а коллектор коммутирующего транзистора соединен с общей точкой второй диодно-резистивной цепи, включенной между обкладкой времязадающего конденсатора и шиной нулевого потенциала.

Схема фантастронного генератора представлена на чертеже.

Предлагаемый генератор содержит времязадающий конденсатор 1, элементы 2 и 3 первой диодно-резистивной цепи, образованной резистором 2 и диодом 3, интегрирующий транзистор 4, резистор 5, элементы 6 и 7 второй диодно-резистивной цепи, образованной резистором 7 и диодом 6, коммутирующий транзистор 8, резистор 9 связи, резисторы 10 и 11.

Фантастронный генератор работает следующим образом. В процессе формирования прямого хода пилы времязадающий конденсатор

1 разряжается по цепи, состоящей из резистора 2, прямого сопротивления диода 3, внутреннего сопротивления источника питания, сопротивления промежутка эмиттер — коллектор интегрирующего транзистора 4 и резистора 5.

Поскольку с диодно-резистивной цепи, образованной элементами 2 и 3, в цепь базы интегрирующего транзистора подано напряжение отрицательной обратной связи, то разряд времязадающего конденсатора осуществляется практически линейно и, следовательно, потенциал коллектора интегрирующего транзистора также будет изменяться по линейному закону. Поэтому линейно будет меняться и ток в цепях, образованных резисторами 5 и 11 и резисторами 9 и 10. Тогда по мере возрастания потенциала коллектора интегрирующе25 го транзистора потенциал базы коммутирующего транзистора 8 будет увеличиваться линейно, в то время как скорость возрастания потенциала эмиттера этого транзистора из-за нелинейности вольт-амперной характеристики

30 диода 3 окажется больше скорости увеличе475727

+Ед

Составитель В. Задорожный

Редактор В. Булдаков Техред Т. Миронова Корректоры: Е. Рожкова и Н. Учакина

Заказ 2215/17 Изд. № 1555 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская на6., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова. 2 ния потенциала базы коммутирующего транзистора, вследствие чего последний будет надежно закрыт. По мере разряда времязадающего конденсатора запирающее напряжение между эмиттером и базой коммутиру1ощего транзистора постепенно убывает по модулю, так как рабочая точка диода 3 выходит на крутой участок его вольт-амперпой характеристики, где большим изменениям прямого тока соответствуют незначительные приращения прямого напряжения. Поэтому, начиная с некоторого момента времени, коммутирующий транзистор окажется приоткрытым; после чего процесс формирования прямого хода пилы будет происходить, как и в случае прототипа, с использованием пологого участка входной характеристики коммутирующего транзистора.

Однако теперь относительное время пребывания рабочей точки на пологом участке входной характеристики коммутирующего транзистора при правильно выбранных параметрах схемы составит лишь незначительную часть общей длительности прямого хода. Поэтому влияниедестабилизирующих факторов па длительность и амплитуду генерируемого напряжения, обусловленных нестабильностью входной характеристики коммутирующего транзистора, значительно уменьшится, а стабильность амплитуды и длительности генерируемого напряжения возрастет.

После выхода рабочей точки коммутирующего транзистора на крутой участок его входной характеристики произойдет опрокидывание схемы, коммутирующий транзистор 8 перейдет в насыщенное состояние, а времязадающий конденсатор 1 начнет заря>катися от источника питания через промежуток эмиттер — база интегрирующего транзистора 4, прямое сопротивление диода 6, промежуток эмиттер — коллектор насыщенного коммутирующего транзистора 8 и прямое сопротивление диода 3. Зарядный ток времязадающего конденсатора переводит интегрирующий транзистор в насыщенное состояние. Однако по мере заряда конденсатора рабочая точка интегрирующего транзистора переходит в активную область, фиксируя момент прекращения процесса формирования обратного хода пилы, после чего в схеме вновь устанавливается процесс формирования прямого хода.

На резисторе 7 оказывается сформированным стабильное по амплитуде напряжение прямоугольной формы.

Предмет изобретения

Фантастронный генератор на двух транзи20 сторах с взаимно противоположным типом проводимости, содержащий времязадающий конденсатор, интегрирующий и коммутирующий транзисторы, резистор связи и диоднорезистивные цепочки, отличающийся

25 тем, что, с целью стабилизации амплитуды и длительности генерируемого напряжения, резистор связи включен между коллектором интегрирующего и базой коммутирующего транзистора, эмиттер которого соединен с общей

30 точкой первой диодно-резистивной цепи, включенной между базой интегрирующего транзистора и минусом источника питания, а коллектор коммутирующего транзистора соединен с общей точкой второй диодно-резистивной

35 цепи, включенной между обкладкой времязадающего конденсатора и шиной нулевого потенциала.