Способ удаления окисной пленки и загрязнений с деталей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Й И C А Н Й "Е I (II! 476О41

Се(ез Саветскнх

Сщкв(1 -.ствчески((Рве((уел(((( (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.08.71 (21) 1695276 26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. В 08Ь 1/00

Совете Минкст((сс Г; -„ p

II0 лелм !(сйрете;,11В я Отк1ь(1",.(! (53) УДК 533.9(088,8) Опубликовано 05.07.75. Бюллетень ¹ 25

Дата опубликования оппсашгя 04.11.75 (72) Авторы изобретения

М. Х. Зстерлис, M. 10, Борухов, A. М. Ягудаев, С. Л. Кельберт и 3. Х. Эстсрлис (71) Заявитель

Институт электроники ЛН Узбекской ССР (51) СПОСОБ УДЛЛЕНИЯ ОКИСНОЙ ПЛЕНКИ

И ЗЛГРЯЗНЕНИЙ С ДЕТЛЛЕИ

Предмет 1!зобретенпя

"всУдевств """"1! KUMH (23) Приоритет

Изобретение относится к технике очистки деталей от окисной пленки и загрязнений.

Известен способ очистки деталей путем обработки их при атмосферном давлении устойчивым дуговым разрядом. Этим способом невозможно очищать металлические детали, так как они окисляются при атмосферном давлении.

Целью изобретения является увелпчеш(е скорости очистки деталей из тугоплавкпх металлов, например молибдена.

Поставленная цель достигается тем, чTo деталь из тугоплавкого металла подвергают ооработке в режиме падающего участка вольтамперной характерист:(ки дуги прп давлешш

10- — 10 — " мм рт. ст.

Способ заключается в следующем. Обраоатываемую деталь помещают в вакуумную камеру, которую откачивают до давления 10 —"—

10 —" мм рт. ст. Деталь крепят к электрическому вводу, на который подают положительный потенциал. Зажигают дуговой разряд в режи5 ме падающей вольтамперпой papal TeplicTIIiI(.

Прп таком режпъ(е деталь не плавится. Резут(ыаты очистки оценив(!ются визуально.

Способ удален(!я окпсцой пленки и загрязнений с;(еталей путем обработки последних дуговым разрядом, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости очистки дсталей пз тугоплавкпх металлов, !(апрпмер мол 110 1 е и 3, р а 3 11 я; (11 о (. . Г ) 1 ж 1 i в а! о т (3 р с ж и м е и (I;.!ающего у .астк;i:1о,(ьгамперной характсрпcTi(K((;l1 1l IlpIi,1 I(I lcH !ill 10- — 0 — 31м pT. cT.