Датчик температуры
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬРЕтЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оп 476462
Сома Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.06.73 (21) 1930086/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опу бликовано 05.07.75. Бюллетень № 25 (51) М. Кл. G Olk 7/22
Государственный комитет
Совета Министров СССР ао делам изобретений н открытий (53) УДК 536.531(088.8) Дата опубликования описания 11.11.75 (72) Авторы изобретения А. В. Сандулова, С. С. Варшава, К. С. Шербай и В. В. Вайнберг
Львовский ордена Ленина политехнический институт (71) Заявитель (54) ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ
Предмет изобретения
Изобретение относится к области тепловых измерений.
Известны датчики тем пер ату.р, содержащие термочувствительный элемент в виде диодной структуры из арсенида галлия и выводы.
Недостатком таких датчиков является низкая чувствительность 3 мв/град и отсутствие линейности выходной характеристики в широком температурном диапазоне.
С целью устранения указанных недостатков в предлагаемом датчике термочувствительный элемент выполнен в виде р+ — р — и+ структуры, содержащей в базе высокоомный перекомпенсированный слой и обладающий S-образной вольтамперной характеристикой при прямом смещении.
На фиг. 1 изображен термочувствительный элемент предложенного датчика; на фиг. 2— семейство вольтамперных характеристик датчика при прямом смещении и различных температурах.
Термочувствительный элемент 1 представляет собой пластинчатый кристалл баЛь, содержащий низкоомный диффузионный слой р-тппа 2, высокоомный перекомпенсированный слой р-типа 3, низкоомный слой п-типа 4 и омические контакты 5.
Датчик включается в измерительную цепь, со5 стоящую из последовательно включенных сопротивления нагрузки и источника стабилизированного напряжения. Чувствительность датчика при выборе рабочей точки на отрицательном участке ВАХ непосредственно после
10 срыва достигает 1,4 в/град при сопротивлении нагрузки 4 мом и напряжении питания 400 в.
Датчик температуры, содержащий термочувствительный элемент, собранный на диоде из арсепида галлия и снаоженный контактами, отличающийся тем, что, с целью
2О улучшения линейности выходных характеристик в широком диапазоне измеряемых температур, в нем использован пластинчатый кристалл из арсенида галлия с р+ — р — и+ переходом.
476462,у ю j(l °
Составитель В. Куликов
Тскред М. Семенов
Редактор Е. Братчикова
Корректор Л Денискина
Типография, р. Сапунова, 2
Заказ 2743/12 Изд. № 905 Тираж 740 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5