Способ определения энергетического положения уровней локализации электронов в электролюминесцирующих веществах

Способ определения энергетического положения уровней локализации электронов в электролюминесцирующих веществах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

O ll H C A H H E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 47649 I

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.03.73 (21) 1897983/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 17.11 75 (51) М. Кл. G Оlп 21/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 535,376(088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. В, Нуварьева и П. Е, Рамазанов

Сибирский физико-техничсский институт им. В. Д. Кузнецова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО

ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЕЙ ЛОКАЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ

В ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИХ ВЕЩЕСТВАХ

Изобретение относится к способам измерения физических характеристик люминесцирующих веществ.

Известный способ определения энергетического положения уровней локализации электронов в люминссцирующих веществах закгпочастся в следующем. Исследуемый ооразсц охлажда(от до возможно более низкой температуры, возбуждают его источником энергии, вызывающим люмишесценцию, после прекращения возбуждения образец равномерно нагревают, чтобы поочередно освободить электроны, запасенные на уровнях локализации различной глубины. В процессе нагревания образца измсряют температурную зависимость интенсивности люминесцентного свечения — кривую термовысвечивания и по характеристикам ее пиков определяют энергетическое положение уровней локализации электронов путем использования соответствующих формул.

11едостатком известного способа является невозможность определения энергетического положения уровней локализации, освобождаемых в области температурного гашения люминесценции, и малая точность определения энергетического положения близкораоположенных уровней локализации в результате частичного перекрытия пиков термовысвечивания.

Цель изобретения — определение энергетического положения уровней локализации, освобождаемых в области температурно-о гашения люминесценции, и повышение точносги

5 определения энергетического положсни» близкорасположенных уровней.

Поставленная цель достигается бла годар» тому, что к возбужденному электричес).пм полем образцу во время термовысвсчнвания прн10 кладывают периодическое импульсное однонолярное напряжение ннфранизохой частоты; значения интенсивности свечения измеряют в конце тех полупериодов, когда напряжение на образце равно нулю. В результате получают

15 новую кривую термовысвечнвания, на которой четко проявляются пики в области температурного гашения, т. е. становится возможным определение энергетического положения уровней локализации в области температурного

20 гашения, и лучше различаются частично, перекрывающиеся пики, соответствующие близкорасположенным уровням локализации, т. с. повышается точность определения нх энергетического положения.

25 Способ, согласно изобретению, заключается в следующем.

Измеряется термовысвечивание сублимированного пленочного электролюминесцирующего образца ZnS — Сп, Аl, Вг — сульфида цинз0 ка, легированного медью, алюминием, бро476491

Предмет изобретения

Составитель Н, Новикова

Техред Т. Курилко

Гедактор T. Орловская

1(орректор T. Гревцова

Заказ 2694!3 Изд. ¹ 882 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дела 1! изобретений и откр!ятпЙ

Москва, К-35, Раугнская наб., д. 4!5 тппогр1п1п!::., Il,) сапунова, 2 мом. Образец — электролюминесцентный конденсатор, один электрод которого для вывода излучения выполнен из проводящего стекла (SnO ), другой из напыленного алюминия; между электродами находится легированная цинксульфидная пленка (— 2 мкм), отделенная от алюминиевого электрода напыленной пленкой S10. Возбуждение образца производится при Т= — 170 С электрическим синусопдальным полем (1 кгц, 7 !0" в/см) в течение

10 мин; после прекращения возбуждения образец высвечивается 3 мин без изменения температуры, а затем нагревается со скоростью -8 град/мин. Бо время термовысвечивания к образцу прикладывается однополярное (+ SnO ) прямоугольное напряжение (1,7. 10" в/см) инфранизкой частоты (0,05 Гц или 0,2 Гц).

Интенсивность свечеьц1я в конце тех полуп=риодов, когда напряжение на образце равно нулю, измеряется с помощью ФЭУ-19 и записывающей системы с зеркальным гальванометром. Измеренные значения интенсивности свечения, построенные в зависимости от температуры, образуют новую кривую термовысвечивания — кривую электротермовысвечивания, на которой четко проявляются пики в области температур выше — 70"С. 1(а>кдый из пиков соответствует уровням локализации определенной глубины, которая может быть о»ределена путем использования соответствующих формул.

Например, способ термовысвечивания дo. полнительно выявил в области температурного гашения четыре пика (— 51, — 30, — 10, —; 37 С), каждый из которых соответствует уровням локализации определенной энергетической глубины. Два низкотемпературных пика (— 153, — 128 С) при обычном термовысве11: чивании частично перекрываются, а при электротермовысвечивании хорошо разделяются.

15 Способ определения энергетического положения уровней локализации электронов в электролюминесцирующих веществах (например, ZnS — CU, Л1, Br) путем термовысвечивания с предварительным электровозбуждением

20 охлажденного образца, отличающийся тем, что, с целью определения энергетического положения уровней в области температурного гашения и повышения точности определения энергетического положения близкораспо25 ложенных уровней, к образцу. во время термовысвечивания прикладывают периоди-1ес. .ое импу, !1>снос Однопо !ярное напряже!1ие 1111франизкой частоты, а интенсивность свечения измеряют в конце тех полупериодов. когда í"30 пряжение на образце равно нулю.