Способ выращивания монокристаллов сульфида цинка кубической модификации

Способ выращивания монокристаллов сульфида цинка кубической модификации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИС-А НИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик (») 477736

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свил-ва(22) Заявлено 16.11.73 (21) 1968241/23-26 (51) М. Кл.

В 01 17/04

С 01 9/08 с присоединением заявки №вЂ”

{32) Приоритет

Государственный комитет

Совата Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК548.55 (088.8) Опубликовано25.07.75,Бюллетень № 27

Дата опубликования описаиия29.07.75 (72) Авторы изобретения

А. А. Штернберг и Ю. М. Мининзон (71) Заявитель ОРдена ТРУдового КРасного Знамени инститУт кРисталлогРафии им. А. В. Шубникова АН СССР (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СУЛЪфИДА

ПИНКА КУБИЧЕСКОЙ МОДИфИКАБИИ

Изобретение относится к способам вы-

l ращивания монокристаллов сульфида цинка, которые могут быть использованы в качестве зффективных модуляторов света.

Известен способ выращивания монокри сталлов 7.тт 8, когда растворителем служит концентрированная Н Р0

3 4

Однако оптические свойст"а монокри таллов ZnS, выращиваемых в концентрированных 0 растворах Н ГО,, ухудшаются из-за вхождения фосфора в кристаллы. Кроме того, pacTBopHM0cTb сульфида цинка в концентрирован ной Н РО высока, что приводит к растворению затравочных кристаллов в начальной Ь стадии процесса выращивания и невозможности вы ращивания кристаллов на затравку, Белью изобретения являются предотвращение растворения затравочных кристаллов, уменьшение содержания фосфора в кристал- 20 лах и получение менее дефектных кристаллов.

Это достигается тем, что процесс ведут в водных растворах ортофосфорной кислоты

)концентрацией 20-40% при 420-460 С и: 25

1пРи пеРепаде темпеРатУР 4-10 С между о зонами роста и растворения.

Пример. В автоклав объемом

125 см, футерованный платиной, помешают (в корзинку) 25 r шихты — порошка

Xh8 марки "Для люминофоров".

В зоне роста развешивают пять затравочных кристаллов Етъ S, представляющих собой пластинки толщиной 1,5-2 мм, вырезанные параллельно граням (111) и (100).

В автоклав заливают 83 см 30%ного

3 раствора Н РО и помешают в печь сопро4 тивления, где нагревают в нижней зоне до о о

450 С, а в верхней - до 445 С. В резуль тате выращивания в течение 25 суток получают пять монокристаллов -вв с размерами . в направлениях (111) н 1100) 8-9 мм.

Получеййые монокрйсталлы оптически однородны, слабо окрашены, обладают хорошими электрооптическими свойствами и могут быть использованы в качестве модуляторов света в приборах квантовой ,электроники.

477736

Составитель tl.Гангардт

Р "дактор Е,КРавцова Техред Л.Казачина (орректор Jl.öðûõíèíä з"- „ ФА 3 им. > + 1 тнр.. -7в.>

Подписное

ЦП1И4ПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, П3035, Раушская наб., 4

Предприятие <Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Предмет изобретения

Способ выращивания .монокристаллов сульфида цинка кубической модификации гидротермальным методом с использованием раствора фосфорной кислоты, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью предотврашения растворения затравочных кри

I сталлов. уменьшения содержания фосфора в кристаллах и получения менее дефект-. ных кристаллов, используют 20-40%-ный

5 раствор фосфорной кислоты и процесс ведут при 420 460 С и при перепаде темо ператур между зонами роста и растворе-! ния 4-10оС.