Элемент памяти на магнитоуправляемом контакте

Элемент памяти на магнитоуправляемом контакте

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИОАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

>Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22} Заявлено 14.07.72 (21) 815335/18-24 (51) М. Кл.

G 11с 11/50 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет, (43) Опубликовано 25.07.75„Б}оллетень № 27

Гооударстаеиньй . > : и .ет

Соната MHHIIcTPt :; . :т Р по делам иэооретекий и открытий (53) УДК ,681.327.2 (088,8) (.4о) Дата опубликования описании 02.04.76

Ю. В. Крыхтин, В. Г, Лобода, В. Г. Максименко и А, Ф. Страхов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ 11АМЯТ} } НА МАГН}}ТОУПРАВ1ИЕМОМ

КОНТАКТЕ

}}зобретение относится к дискретнои автоматике и вычиспитепьной технике и может быть использовано при построении зяпол11п>а1ощих устройств.

}}звесп1ый элемент памяти на магнито- 5 но к эт,шттеру б, зе траизисто ра, коппек г<>} упраы>яел1ол> контакте, со, I»IJæl>IIHø ферри, с обл>огкал1и и язычковое реле (геркен), Нс и»звоня> T III>icTL сч>=. гн> 1Й I>xone,, попучать и лшупьспые выходные сит папы и

1 пмегь бопьшои диапазон коммутируемых токов 11 напр1>женпй .

L}cIIh изобре гения — расширить область, прил>енения элемента памяти.

Это достигается тем, что эпемент содержит I}JI»uHcrop и пинию задержки; входная обмотка, состоящая и > двух равных и вкпючепных встречно частей, распопожеHх, базовая оомотк:l, состоящая и:1 двух р»иных вк>п<>ченных согпасно частей, распопожена н<1 <>1>»11х по>1овинах фе}>}1ид>>, 1> Об1ио гка н > >д1 о ГОГ> к и 1l копнеK I o}JHHH Обм о 1 к 11 рас и c.—, JIowi>ны на разных половинах феррида; кон1 пь> С»;..1о>п>й обмотки подключены соответствен-> K0T0poI через нагрузочный резистор с<;;.- 1 динен с началом коплекторной, обмотки; вход пинии задержки соединен с концом обмотки подготовки, а выход п11ни11 задер.. ки подключен к концу входной обмотки, и,чапо которой соединено с нача11ол1 обмoIIJI подготовки.

На чертеже изображено нредпагаемо» ус тройс.г в о.

Элемент памяти содержит магнитоупрс< ляемый контакт (геркон) 1, магнитный шунт 2 и обмотки: подготовки 3, подк>>кл-. ченну1о ко входу 4,5; входную, состоящую из двух равных частей 6 и 7, вкпюченных встречно и расположенных на обеих Но»<>ВИНаХ ЭЛЕМЕНта ПаЛЛятп С цОдКПЮ1»ННО11 линией задержки 8; базовую, состоящую из равных половин 9 и 10, вкпючг -ш>ых последовательно; коппекторную } j на одной из половин феррида.

H эл1иттере транзистора 1 2 вкпю I<. ц > ограничив»к>щее сопротивление 1 3, 11ь>1>>в ющееся одновременно выходным с>эп}>оти1JIcH»ev по, напряжению. К кпемм;>м 1 } и

Ъ

15 при необходимости возможно подк>ll»(чение нагрузки. Контактный выход осу шествляется с выходных клемм 16 и 17, Устройство работает следующим обра зом.

В исходном состоянии правая половина;

i феррида имеет остаточный поток Ф, а под действием первого счетного импульса обмотка 3 переводит левую половину феррида в состояние, определяемое остаточным потоком Ф . При переходе в это состояние импульсы помех, возникающие в базовой обмотке Д из-за неидеальности прямоугольной петли гистерезиса элемента памяти, запирают транзистор, и ток в его коллекторной цепи практически отсутствует. Через некоторое время, определяемое линией задержки 8, после поступления на вход счетного импульса последний, протекая по обмоткам 6 и 7, перемагничивает левую и правую половины элемента памяти в направлениях, противоположных. исходным.

При этом в базовой обмотке 9, 10 наводятся э.д.с. взаимоиндукции, направленные навстречу одна другой. Транзистор

12 закрыт, нет сигнала на выходах 14, 15 и 18, контакты геркона разомкнуты, так как по геркону 2 протекают потоки в противоположных направлениях. Следующий счетный импульс, протекая по обмотке 3, возвращает левую половину элемента пам яти в с ос тояние, оп редел яем ое потоком

Ф, а через время задержки восстановится поток Ф, с помощью обмотки 7. Правая половина элемента памяти остается без изменений. Результирующая э.д.с. базовой обмотки 9, 10 открывает транзистор 12, !!о коллекторной цепи протекает ток (воз никший;блокийг-процесс резко увепичивает его), который, протекая по коллекторной обмотке 11, переводит правую половину элемента памяти в состояние, определяемое потоком Ф . Контакты геркона замкну1. ты до прихода третьего счетного импульса, причем выходной импульс можно снимать с клемм 14, 15 или с выхода 18.

Далее при поступлении на счетный, вход

10 4,5 следующих импульсов цикл работы повторяется.

Предмет изобретени я

l5

Элемент памяти на магнитоуправляемом .контакте, содержащий феррид с обмотками и язычковое реле (геркон), о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью расщи20 рения области применения, он содержит транзистор и линию задержки; входная обмотка, состоящая ид двух равных и включенных встречно частей, расположена на обеих половинах феррида, базовая обмотк.а, состоящая из двух равных и включен-, ных согласно частей, расположена на обеих половинах деррида, а обмотка подготовки и коллекторная обмотка расположены HQ разных половинах феррида; концы базо30 вой обмотки подключены соответственно, к эмиттеру и базе транзистора, коллектор которого через нагрузочный резистор соединен с началом коллекторной обмотки; вход линии задержки соединен с концом

Зб обмотки подготовки, а выход линии задер— жки подключен к концу входной обмотки, начало которой соединено с началом обмотки подготовки.

Составитель И.Розенталь

Техред !т, . .- !корректор (!.Éðç èêîâñ.êàÿ

Ре.!акко )

О.Си енина

Заказ

Изд. K $(Q Тираж 643 Подписное

1!ред риятие «Патент», Москва, Г-09, Бережковская наб., 24

1811!1!1!П 1 осударствениого комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий

Москва, !13035, Раушская наб., 4