Полупроводниковая линия задержки
Патент 478430
Авторы
Полупроводниковая линия задержки
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е (и)4 в4зс, ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.10.72 (21) 1841076/26-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) M. Кл Н оэк 5/158
Н 03h 7/30
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам иэооретений и открытий (43) Опубликовано 25.07.75Бюллетень ¹ 27 (53) УДК 621.374.5 (088.8) (45) Дата опубликования описаиия20.06.75 (72) Авторы изобретения
Е. С. Ильчинский, М. А. Скоробогатов и Е. С. Минин (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ
Изобретение относится к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано, в частности, при разработке многоканальных генераторов импульсов наносекундного диапазона.
Известны полупроводниковые линии задержки, состояшие из е1 последоватеш но соединенных сложных инверторов, выполненных на элементах транзисторнотранзисторной логики, каждый из которых содержит входной транзистор, включенный по схеме с обшей базой, коллектор котся. рого соединен с базой транзистора парафазного каскада, выходной эмиттерный повторитель на составном транзисторе с ключевым транзистором в качестве эмиттерной нагрузки, подсоединенный базой к эмиттеру транзистора парафазного каскада.
Однако в известных полупроводниковых линиях задержки ограничен диапазон регулировки временной задержки.
Белью изобретения является расширение диапазона регулировки задержки.
Для этого резисторы в эмиттерных цепях транзисторов парафазных каскадов всех инверторов подсоединены к обшей шине через обший резистор, который выполнен регулируемым.
5 На чертеже приведена принципиальная электрическая схема линии задержки.
Полупроводниковая линия задержки содержит fi последовательно соединенных сдвоенных сложных инверторов, каждый из которых содержит входной транзистор
Т 1, включенный по схеме с обшей базой, коллектор которого соединен с базой транзистора Т 2, образуюшего парафазный каскад. Выходной эмиттерный повторитель собран на составном транзисторе Т3 с ключевым транзистором Т 4 в качестве эмиттерной нагрузки. Резисторы 1 1 с одной стороны подключены к эмиттерам транзисторов Т 2 и к базам транзисто20 ров Т 4, а с другой — подключены через обший резистор 1к, 2 к обшей шине питания.
Начальная минимальная задержка выходного сигнала по отношению л входному определяетсч временем прохождения его
ese au
Первый ин3ертор
1 (1
Составитель П. белинкова
Реда ктоP А.ЗиньковскийТехРед 1,1.(арандашова Корректор Т. Г ревцова изд.,% Ь99
Зака.-.
Тираж 902
Подписное (((-11(111111 (остдарственного комитета Совета Министров СССР но делам иаобрсzeIIIIiI и открытий
Москва, 113035, Раушскаи наб., 4
Г(ш анрIIBTII сГ(атент», Москва, Г-59, Барс.кковская наб., 24
<рь лд Г(Зак 13908 Тир. 8 через tl последовательно включенных сдвоенных инверторов при минимальном сопротивлении резистора К 2. При .увеличении сопротивления резистора 2 одноврелаенно увеличивается время выключения транзисторов Т 4 всех инверторов и суммарная задержка линии возрастает.
Сопротивление резисторов (1 берется таким, чтобы не допустить выход транзисторов Т 4 из насышения во всел диапазоне изменения сопротивления резистора 3 2.
Предмет изобретения
1. Полупроводниковая линия задержки, состоящая из П последовательно соединенных сложных инверторов, выполненных на элементах транзисторнс транзисторной логики„каждый из которых содержит входной транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с базой транзистора парафазного каскада; выходной,эмиттерный повторитель на составном транзисторе с ключевым транзистором в качестве эмиттерной нагрузки, подсоединенным базой к эмит» теру транзистора парафазного каскада, 10 о т л и ч а ю ш а я с я тем, что, с целью расширения диапазона регулировки задержки, резисторы в эмиттерных цепях транзисторов парафазных каскадов всех инверторов подсоединены к общей шине т5 через общий резистор.
2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю— ш е е с я тем, что общий резистор выполнен регулируемым.
° ° °
1 и-й
1инРеолор I
I 1
I д
1 Юых
О
I (l (