Устройство выдержки времени

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

147917l

Союз Советскик

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.01.74 (21) 1983869/26-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Опубликовано 30.07.75. Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 15.06.76 (51) М. Кл. Н 01h 47/18

1-1 031< 17/28

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 621.318.562.7 (088.8) (72) Авто;з изобретения

Е. P. Лившиц (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ВЫДЕРЖКИ ВРЕМЕНИ

Устройство относится к телефонии и может найти применение в аппаратуре электросвязи.

Известно устройство выдержки времени, содержащее времязадающую КС=цепь, пороговый стабилитрон, включенный в базовую цепь выходного транзистора с делителем напряжения в коллекторной цепи, в котором чем больше время задержки, тем более малый ток течет через базоэмиттерный переход выходного транзистора, что значительно снижает надежность работы устройства, а кроме этого, ограничивается время задержки.

С целью повышения выдержки времени и надежности работы параллельно времязядающему резистору подключен участок эмиттерколлектор доиолиителbиого транзистора, база которого соединена со средней точкой делителя Hàïpff>êåHHÿ в коллекторной цепи выходного транзистора.

II» чертеже изображена схема устройства выдержки времени срабатывания реле.

Устройство состоит из выходного транзистора 1, в базовую цепь которого включен стабилитрон 2, обеспечивающий порог срабатывания, и времязадающей цепи, состоящей из резистора 3 и конденсатора 4. Причем резистор включен между эмиттерно-коллекторным переходом транзистора 5, служащего для повышения надежности работы выходного транзистора. База транзистора 5 включена в делиTeëü напряжения, состоящий из резистОров 6 и 7, которые одновременно являются коллекторной нагрузкой выходного транзистора. 1 åзистор 8, включенный между базой транзистора 1 и катодом стабилитрона 2, служит для регулирования базового ток» транзистор» 1 в тот момент, когда открыт транзистор 5.

Устройство работает таким образом, что в исходном состоянии ввид> QTc I тствия питания

10 транзисторы закрыты, а конденсатор ие имеет заряда.

При включении питания черсз резистор 3 на 1ииaeT заряжаться 1<Оидеис(1тop. Когда и»при жение и» исм достигнет величины пробоя стя1» билитрОИ», пос I(,диий прООивяст(я H в Оаз" транзистора в иервона I».füíûff момсHT идут двя тока. Первый ток оиреде IffcTcff величиной врсмязадяющего резистора If является недостаточным для QTI

2О второй ток крятковремеииьш, но по величине достаточный для открывяш<я транзистора и определяемый сопротивлением базовой цепи транзистора 1. По существу этот ток является током подзаряда конденсатора и протекает

25 только в момент установления режима пробоя стабилитроня. Тяк как в первоначальный момент транзистор 1 открылся. открывается транзистор 5, который шунтирует своим эмиттерно-коллекторным переходом времязадаю3О щий резистор, а следовательно, резко увеличи479171

Составитель В. Задорожный

Редактор Г. Яковлева Техред Л. Казачкова Корректор И. Позняковская

Заказ 2582 Изд. № 1741 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 1(-35, Раугнская наб., д. 4/5

Череповецкая городская типография вается ток в базу транзистора 1, что позволяет улучшить режим его работы. Сигнал управления, появляющийся при открывании транзистора 1, передается на исполнительное устройство или можно вкл1очпть обмотку исполнительного реле вместо одного из резисторов делителя напряжения, включенного в коллектор транзистора 1.

Предмет изобретения

Устройство выдержки времени, содержащее времязадающую 1(С-цепь, пороговый стабилптрон, включенный в базовую цепь выходного транзистора с делителем напряжения в коллекторпой цепи, отлачаюи1ееся тем, ITo, с целью повышения выдержки времени и надежности работы, параллельно времязадающему резистору подключен участок эмиттерколлектор дополнительного транзистора, база которого соединена со средней точкой делителя напряжения в коллекторной цепи выходного транзистора.