Способ измерения температуры полупроводниковой структуры

Способ измерения температуры полупроводниковой структуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

7 н

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ » 480925

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТ )РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б!) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 10.07.72 (21) 1808116/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 15.08.75. Бюллетень № 30 (51) М.Кл. G Olk 11/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретейий и открытий (53) УДК 536.51(088.8) Дата опубликования описания 14.09.76 (72) Авторы изобретения С. Г. Калашников, Б. В. Корнилов, Ю. И. Завадский и И. В. Карпова

Институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявители (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

15 Предмет пзоб р стс и пя

Изобретение относится к области электронной техники, автоматики и теплотехники. Оно может найти применение в различных электронных схемах, где требуется прецизионное измерение температуры или ее малых отклонений.

Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 ° 10 з С в интервале температур от

50 до +100 С.

В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).

Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п — типа, у которого Nz„+Nр,+2hz„, легированном цинком, при помещений его в электрическое поле. Исследование кремния, легированного цинком и фосфором, показало, что колебания тока наблюдаются не во всех кристаллах, а в тех из них, в которых реалиб зуются условия:

1) рт„) ат, 2) Ьдр > 1 диф

3) р>5 10 ом см, здесь р, n — концентрации дырок и электронов в полупроводнике, т„, т — время жизни электронов и дырок, /,р — длина дрейфа неосновных носителей, L„,ф — диффузионная длина.

Способ измерения температуры полупроводниковой структуры, заключающейся в определении температуры внешней среды с по20 мощью пластины, компенсированной донорными и акцепторными примесями, питаемой постоянным напряжением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, прикладывает электрическое поле такой вели 5 чины, что дрейфовая длина неосновных носителей становится больше диффузионной.