Полупроводниковый переключающий прибор
Патент 481227
Авторы
Полупроводниковый переключающий прибор
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 290573(21) 1922997/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 0510.78,Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 160878 ©юз CosevcNNx
Социавистическик
Республик (11) 481227 (51) N. Кл.
Н 01 L. 11/00
Н 01 L 19/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и. открытий (о@) УДК 621. 382 (088.8) P2) Авторы изобретения
Н.М.Беленьков, А.И.Курносов и Е.E .Ìàëèöêèé (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧИОЩИИ ПРИБОР
Изобретение относится к области полупроводниковой техники.
Известны полупроводниковые переключатели, содержащие выемку в области узкой базы и в ней дополнительную 11 -область, смыкающуюся с широкой базой. Соотношение концентраций примесей на две выемки и на поверхности дополнительной. области определяет у этих приборов величину напряжения включения.
Однако известные приборы имеют высокое значение температурного коэффициента напряжения (ТКН) включения, обусловленное наличием значительного сопротивления .растекания в цепи тока включения из-за низкой концентрации примесей на дне выемки и, как следствие этого„ низкую температурную стабильность и значительный разброс по напряжению переключения от прибора к прибору.
Для снижения величины ТКН включения и повышения стабильности переключателя в предлагаемом приборе в выемку, расположенную в узкой базе, вводят дополнительную область того же типа проводимости, что и узкая база, с концентрацией примеси на поверхнос .ти, по крайней мере, на порядок превышающей значение концентрации примеси на дне выемки. Укаэанная область может иметь, концентрацию приме и
-Ь порядка 10 см . Область может иметь на поверхности слой металла.
На чертеже представлена схема предлагаемого полупроводникового переключающего прибора.
Прибор содержит р-змиттер 1, контакт к нему (электрод) 2, широкую
П -базу 3, узкую р-базу 4,tl -змиттер
5, контакт кт1 -эмиттеру (электрод)
6, дополнительную область 7 р -типа, выемку 8, локальную область 9 A -типа, защитное покрытие 10.
Прибор работает следующим образом.
Рабочее напряжение подается между электродами 2 и 6 полупроводникового переключателя и при его значении, меньшем напряжения переключения, прибор находится в закрытом состоянии.
При превышении величины напряжения на электродах 2 и 6, большей значения напряжения пробоя р-h-перехода, образованного базой 4 и областью 9 по цепи 2-1-3-9-4-7-5-6 начинает протекать ток, являющийся током управления четырехслойной структуры по узкой р-базе, под действием кото481227
Формула изобретения
Составитель О.Федюкина
Редактор E.Ìåñðoïoâà Техред Н.Бабурка Корректор з. Сердюк,Заказ 5463/1 Тираж 960 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 рого полупроводниковый переключающий Прибор переходит i проводящее состояние.
Наличие дополнительной области 7 на дне выемки и поверхности узкой р-базы с поверхностной концентрацией примеси, по крайней мере, на порядок превышающей значение концентрации примеси на дне выемки, обеспечивает. малые значения динамического сопротивления вольтамперной характеристики. в области пробоя, что и обуславливает малое значение ТКЦ включения прибора и малый разброс по напряженйю переключения от прибора к прибору в технологической партии ° Минимальный
)разброс указанного параметра получается у приборов с предельно высокой (порядка 10 см ) концентрацией примеси на поверхности дополнительнОй области 7. р-типа при условии, что эта область частично перекрывает
И -эммиттер прибора и ее расстояние до геометрической границы р-и-перехода, образованного базой 4 и областью 9, не менее ширины обедненной области этого р-и- перехода.
1. Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий многослойную структуру иэ чередующихся слоев противоположного типа проводимости, выемку в области узкой базы к область типа проводимости, противоположного узкой базе, смыкающуюся с широкой базой, о т л к ч а ю шийся тем, что, с целью снижения температурного
10 коэффициента напряжения включения прибора, в узкой базе между эмиттерным р-A- переходом и областью типа проводимости, противоположного узкой базе, создана приповерхностная об15 ласть того же типа проводимости, что и узкая база, с концентрацией примеси, по крайней мере, на порядок большеучем в базе.
2. Прибор по п.3,, о т л и ч а ишийся тем, что, указанная область имеет концентрацию примеси порядка 10 см
3. Прибор по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что область имеет на поверхности слой металла.