Амплитудный дискриминатор импульсов

Амплитудный дискриминатор импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Il И С А Н И Е (и> 1о1ооо

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Уеспубпик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.02.73(21) 1883746/26- 2» с присоединением заявки № (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.08.75Бюллетень Жв3» (45) Дата опубликования описания 18.11.7 (Ы) М. 1 я.

HO3k 1/14

HO3k 5/20

Гаоудоротввиный комитет

Йоотв Министров ССР оо делам изооретоиий и открытий (И) УДК

621.374.33

{ 088. 8) Г. А. М. Ализаде, Ю. Б, Лещинский и Д. Г. — оглы Ализаде (72) Авторы изобретения

Азербайджанский институт нефти и химии им. М. Азизбекова (71) Заявитель (54) АМПЛИТУДНЫЙ ДИСКРИМИИАТОР ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной технике н ожет использоваться в экспе риментальной ядерной физике, в частности, в схемах амплитудных анализаторов.

Известный амплитудный дискриминатор импульсов, содержащий ждуший релаксационный генератор на однопереходном транзисторе, между эмиттером и первой базой которого включен копденсатор, причем первая база подключена к положительному полюсу источника питания, а между полюсами источника включен цотенциометр, средняя точка которого подключена к эмиттеру транзистора, обладает малой чувствительностью и температурной стабильностью.

11ель изобретения - увеличение чувствительности и повышение температурной стабильности устройства

Достигается это за счет того, что в цепь второй базы однопореходного транзистора включен полевой транзистор, на затвор которого поданы дискриминирующие импульсы, сток которого соединен со второй базой однопереходного трянзйстора, а исток — с отрицательной шиной источника питания, На чертеже приведена схема амплитудного дискриминатора.

Амг:итудный дискриминатор выполнен в виде ждущего релаксатора на однопереходном транзисторе 1, накопительном конденсаторе 2, В цепь второй базы транзистора 1 последовательно включен тп сток полевого транзистора 3, исток которого подключен к отрицательному полюсу источника питания 4. Дискриминируемый сигнал подается на затвор полевого транзистора 3 через RC цепочку, @ состоящую из резистора 5 и конденсатора 6, Работает амплитудный дискриминатор следутощим образом.

При отсутствии входного сигнала на20 пряжение включения вкл. однопереходного транзистора 1 больше напряжения на эмиттере U . благодаря чему схема находится в ждущем режиме. При подаче дискриминируемого Ilf fffgJII>cB на вход

25 устройства, полевой транзистор 3 уведи3

Юьеход

Составитель В.Назаоова

Редактор E.l"ончар

Текред И.Яарандашова корректор -Л.Денискина

Заказ,ф Я g Изд. М gpss Тираж 9О2 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров CCCP по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб„ 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24 пинает свое сопротивление, что вызывает уменьшение межбазового напряжения однопереходного транзистора 1 и соответственно уменьшается его напряжение включения. При выполнении условия 9 вкл. в схеме происходит регенеративный процесс разряда накопительного конденса-, тора 2 до напряжения выключения Овыкл. однопереходного транзистора 1, При этом на второй базе однопереходного транзис- ® тора 1 формируется выходной импульс.

Меняя напряжение на эмиттере однопереходного транзистора с помощью переменного резистора,. каким является полевой транзистор 3, можно регулировать в широких пределах порог дискриминации.

Так как температурный коэффициент сопротивления сток-исток полевого тралзистора 3 имеет одинаковый знак с температурйым коэффициентом межбазового сопротицления однопереходного транзистсьра 1, то напряжение включения транзистора 1 оказывается температурно независимым.

Такое выполнение схемы дискриминатора 2о позволяет получить следующие параметры: порог дискриминации порядка 7 - 8 мв; динамический диапазон 800 и нестабильность порога дискриминации в диапазоне о температур 20 — 60 С не хуже 0,1 % на1С..

Предмет изобретения

Амплитудный дискриминатор импульсов, содержаший ждущий релаксационный генератор на однопереходном транзисторе между эмиттером и перво„й базой которого включен конденсатор, причем первая база подключена к положительному полюсу источника питания, а между полюсами источника включен потенциометр, средняя точка которого подключена к эмиттеру транзистора

У

О.т л и ч а ю шийся тем> что> с целью увеличения чувствительности и повышения температурной стабильности, в цепь второй базы однопереходного транзистора включен полевой транзистор, на затвор которого поданы дискриминирующие импульсы, сток которого соединен со второй базой однопереходного транзистора, а исток— с отрицательной шиной источника питания,