Импульсный усилитель мощности на мдп транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

КОЛ Я О Г:3НК М - A (»> 482612

) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

CQUNBANCYNN6CKNX .ре<пубпик (61) До — îëíèòåëüíîå к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.01.73(21) 1874682/26-21 (50 N. Кл.

Н 031 19/08

Н 031 . 6/02

Гасудерстеееный кеиитет

Сенате Менестрае ССР

M делен НЗееретеике н открытий (23) Приоритет(43) Опубликовано 25.08.755толлетень ¹ 31 (N) А 621.375.1 (088.8) (45} Дата опубликования опиаания12, 1 1. 75 (72) Авторы изобретения

В. И. Шагурин и Г. A. Бугрименко

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт (54 ) ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛ11ТЕЛЬ с присоединением заявки №

Изобретение Огносится к области импульспой техники.

Известен импульсный усилитель мощности на МДП-транзисторах, содержащий ве11ч тиль с токостабиаизированной нагрузкой на трех транзисторах и одном конденсаторе и

ВыхОднОЙ двух гак 1 ный каскад с вар яд11ым и разрядным 1 ранзисторами.

Цель изобрете«ия — увеличение амплитуды выходного сигнала и повышение козс фи-, Г циента использования напряжения питания,:

Для этого выход вентиля подключен к

1 ,одной обкладке другого конденсатора, вто рая обкладка которого соединена непо- средственно с затвором зарядного транзи1стора двухтактного каскада и через дополl нительные 11ДП-транзисторы с шиной ис точника питания и общей шиной.

На чертеже представлена схема предлагаемого устройст ва.

Усилитель содержит три МДП-транзистора 1, 2, 3 и первый конденсатор. 4, соединейные йо схеме вентиля с токостаби-

1 лизирующей нагрузкой, а также зарядный транзистор 5 и разрядный 6, соединенные I 25 по схеме пушпульного каскада. Выходной электрод BQHTNëÿ соединен с одной обкладкой второго конденсатора 7, вторая обкладка которого соединена с затвором транзистора 5 и через дополнительные транзисторы 8 и 9 с шиной источника питания 10 и общей шиной 11. Затворы транзисторов 1, 6, 8 и 9 подключены к выходному выводу 12 усилителя. Выходной сигнал снимается с выходного электрода 13 пушпульного каскада.

Схема работает следующим образом, В исходный момент на входе действует высокий уровень напряжения. Тогда транзисторы 1, 6, 8 и 9 открыты, Напряжение на выходе вентиля близко к нулю. Напряжение на затворе зарядного транзистора 5 опредеияется коэффициентом передачи реостатного делителя, образованного открытыми транзисторами 8 и 9, параметры которых выбраны: так, что зто напряжение равно пороговому напряжению МДПтранзисторов. При этом конденсатор 7 за- ряжен до напряжения, близкого к пороговому напряжению МДП- транзисторов, а .-1

4820). 2

Составитель д дубровс ая "да""р О.Стенина Техред H,Ханеева Корректор A.дэесова

3 H3" K $4) "яра к 902 Подписное

ЦНИИИ1 I l îñóäàрствениого комитета Совета Министров. СССР ио делам иаобрегеиий и открытий

Москва, 1!3035, Раушская наб., 4

И наприятие «!%пента, Москва, Г 19, Ьережковскан наб., 24 транзистор В заперт, и выходное напряжение равно нулю. При подаче на вход им пульсного сигнала, запирающего транзисто ры 8 и О, цепи разряда конденсатора 7 обрываются, а первоначальное падение на- пряжения на нем сохраняется. В то же время на выходе вентиля формируется им-. пульс с амплитудой, близкoN к напряженцю литания. Этот импульс через конденсатор 7 передается на зарядный транзистор 5, зат вор которого оказывается под потенциалом, равным сумме первоначального напряжения,, иа.конденсаторе 7 и амплитуды импульса: на выходе вентиля.

Поскольку транзистор 6 запирается под воздействием входного сигнала, а транэисгор 8 отпирается под воздействием потенциала на его затворе, напряжение на выходе усилителя повышается. Так как потенциал на затворе транзистора 5 превышает напряжение питания на величину порогового напряжения транзистора, выходное

4 напр жение усилителя оказывается равным напряжению питания.

Предмет изобретения б

Импульсный усилитель мощности на MLUlтранзисторах, содержащий вентиль с токостабилиэирсаанной нагрузкой на трех тран30 зисторах и одном конденсаторе и выходной двухтактный каскад с зарядным и разрядным транзисторами, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, что, с целью увеличения амплитуды выходного сигнала и повышения коэффи- .

15 циента испсльзования напряжения питания, выход вентиля подключен к одной обкладке другого конденсатора, вторая обкладка ко;торого соединена непосредственно с затвором зарядного транзистора двухтактного

20 каскада и через дополнительные МДП-транзисторы с шиной источника питания и об.щей шиной.