Генератор импульсов

Генератор импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (11) 48377 5

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.01.73 (21) 1872080/26-21 с присоединением заявки Ке (23) Приоритет

Опубликовано 05.09.75. Бюллетень Ке 33

Дата опубликования описания 12.12.75 (51) М. Кл. Н 03k 3/335

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374.335 (088.8) (72) Автор изобретения

И. А. Ерофеева

Генератор может быть использован в системах с частотно-импульсной модуляцией и импульсных каскадах с электронной регулировкой частоты повторения формируемых импульсов.

Известен генератор импульсов, содержащий один однопереходный и два биполярных транзистора разных типов проводимости, времязадающий конденсатор, диод и резисторы, причем коллектор р — и — р транзистора соединен с времязадающим конденсатором и эмиттером однопереходного транзистора, а база связана с базой однопереходного транзистора. База и — р — и транзистора через диод и резистор соединена с общей шиной.

Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот, Данная цель достигается за счет того, что эмиттер и — р — и транзистора соединен с базой р — и — р транзистора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема генератора импульсов.

Генератор импульсов состоит из резистора 1, соединенного с эмиттером транзистора 2 типа р — n — р, времязадающего конденсатора 3, биполярного транзистора 4 типа n — р — и, однопереходного транзистора 5, резисторов 6 — 8, диода 9, конденсатора 10.

Работает генератор импульсов следующим образом.

После включения источника питания на базе транзистора 4, работающего в режиме эмиттерного повторителя, устанавливается напряжение, задаваемое делителем из резистора 7, диода 9 и резистора 8. Это напряжение

5 повторяется в эмиттере транзистора 4, т. е. на базе однопереходного транзистора 5, напряжение включения которого пропорционально напряжению на его второй базе.

Конденсатор 3 заряжается до напряжения

10 включения коллекторным током транзистора

2, который зависит также от напряжения на второй базе транзистора 5. Переменное управляющее напряжение передается через конденсатор 10 на базу транзистора 4 и изменяет ве15 личину суммарного напряжения на базе этого транзистора. Напряжение на эмиттере транзистора 4 также изменяется. При повышении суммарного напряжения на базе транзистора 4 напряжение включения однопереходного тран20 зистора 5 также нарастает. Коллекторный ток транзистора 2 при этом уменьшается.

Продолжительность заряда конденсатора 3, практически равная периоду колебаний, в данном случае изменяется из-за воздействия

25 сразу двух факторов: роста напряжения включения однопереходного транзистора 5 и уменьшения коллекторного тока транзистора 2, т. е. скорости заряда. Таким образом, по сравнению с известными схемами в данном генера30 торе одно и то же приращение управляющего

483775

В,гад ад

Составитель В. Назарова

Текред Т. Миронова

Редактор Б. Федотов

1(орректор Т. Фисенко

Заказ 3017/3 Изд. № 962 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 напряжения дает существенно больший диапазон изменения частоты повторения выходных импульсов, что дает возможность расширить диапазон рабочих частот генератора и повысить крутизну модуляционной характеристики преобразования управляющего напряжения в частоту колебаний.

Предмет изобретения

Генератор импульсов, содержащий один однопереходный и два биполярных транзистора разных типов проводимости, времязадающий конденсатор, диод и резисторы, причем коллектор р — а — р транзистора соединен с времязадающим конденсатором и эмиттером однопереходного транзистора, а база связана с базой однопереходного транзистора, база а — р — а транзистора через диод и резистор соединена с общей шиной, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с целью расширения диапазона

10 рабочих частот, эмиттер и — p — а транзистора соединен с базой р — и — р транзистора.