Способ термообработки кристаллических образцов

Способ термообработки кристаллических образцов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик )ц 484891

{6l) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено08.05.73 (21)192.2250/23 8 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано25.09.75 Бюллетень № 35

Дата опубликования описания 21.01,7á

4 (51) И. К... B О1) 17 ОО

Кузнецова

Государственный номнтет

Соввтв Мнннстров СССР оо делам изооретеннй н открытнй (5З) VQK 548.55{088,8) (72) Авторы Ю. С. Нечаев, А. В, Ванкков, А. А. Жуховицкий, А. A. Офицеров, изобретения Ю. А. Пустов, А. С. Сыромятникова и М. М. кункин

Московский ордена Трудового Красного Знамени институт (71) Заявитель стали и сплавов (54) СПОСОБ ТЕРМООБРА зОТКИ

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ

Изобретение относится к способам термообработки кристаллических образцов и может найти применение в полупроводниковой технике.

Известен способ удаления дефектов, например пор, путем многократного нагрева кристалла go темпера уры

То

= {0,8-0,9) Т К и последующего пл охлаждения до температуры, = {0,41 о 3

;0,7) T К в камере под давлением 10—

-10 ат.

Известный способ не обеспечивает эффективного удаления примесей, так как для этого необходимн специальные режимы охлаждения.

С целью понижения остаточного содержания примесей с ноложителы и энергией связи с вакансиями, после термообработки образцов процесс охлаждения ве-2 +2 дут со скоростью 10 - 10 град/сек.

Возникшую приповерхностную сегрега» ию примесей периодически удаляют, например, химическим растворением.

Пример 1. Поликристаллы кад3 мия размером 0,6х5х30 мм с величиной зерна/1 мм подвергают десятикрат 5 Ъ ному нагреву и охлаждению от Т < 20 С о

2 до Т = 290 С в вертикальной вакуумной

1 -3 печи с разрежением 10 торр со око

10 ростью 1 град/сек {посредством перемешения образцов в печи). При Т образцы выдерживают 15 мин, После каждого цикла нагрев - охлаждение проводят химическое,:растворение

1приповерхностного слоя толшиной 10 мкм

:в бидистилляте азотной кислоты. Содержимое примесей в исходном кадмии составляет, вес.%: И 5 10 7п 2 ° 10

В ° ° ф

Ф

После обработки кадмия по предлагаемому способу содержание этих примесей за пределами химико-спектрального ана-5 4 лиза, вес Л: Р 5 2 10; Z па 1 0

Пример 2. Поликристаллы алюми

j5! 46() i

Составитель Гангардя

Техред М Левицкая

Корректор И Гок нч

Редактор О. Кузнецова, Заказ 1 048

Подписное

Тираж 782

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, Ж-35, Раушская наб,. д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

3 ния размером 0,6х5х30 мм с величиной зерна P 1 мм подвергают десятикратному о,, о нагреву от Т «20 С до Т «600 С и

1 охлаждению со скорость;о. - 5 град/сек в воздушной атмосфере. При Т образцы вы1 держивают 15 мин. После каждого цикла нагрева - охлаждения растворяют приповерхностный слой толшиной 10 мкм ь кийящем бидистиллите азотной кислоты.

Исходный алюминий содержит примеси, весЛ: 3 1,6 10;Mg5 0 10 бп Э,о Ох;Ь7-10-Я Мо1 10

2;в 2, - Ю .

После термоциклирования содержание магния, железа, молибдена уменьшилось в 2-3 раза, а содержание остальных примесей в пределах погрешности спектрального анализа осталось без изменения.

Предмет изобретения

Способ термообработки кристаллических образцов путем многократного нагреlO о ва до Т (0,8-0,9) Т К w охлажденяя доТ, (0407) Т К,отличают и Й с я тем, что, с целью поняженяя остаточного содержания примесей с положительной энергяей связи с вакансиями, процесс охлаждения ведут со скоростью

-2 +2

10 10 град/сек.