Матрица запоминающего устройства

Матрица запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11) 48ЬФ9

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДПБЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.02.73 (21) 1878554/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25 09 75 Бюллетень № 35 (45) Дата опубликования описания 27.11.75 (51) М. Кл.

С- 11с 11/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088. 8) (72) Авторы изобретения

К. Г. Самофалов и Я. В. Мартынюк

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) MATPMIIA ЗАПОМИНАЮШЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известна матрица запоминающего устройства, содержащая сегнетопьезоэлектрическую пластину, на которую нанесены 5 управляющие электроды, объединенные проводящими полосками в соответствующие шины.

Однако при ее изготовлении практически исключена возможность применения методов планарной технологии, так как конструкция известной матрицы исключает нанесение всех электродов на одну грань пластины. При этом весьма затруднительно точное взаимное раоположение взаимосвязанных электродов Н8 различных гранях, осоьенно при малых геометрических размерах запоминающих элементов, когда незначительное смещение взаимосвязанных электродов может привести к существенному изменению параметров соб- gp ственно запоминающего элемента, что накладывает ограничения на выбор минимальных геометрических размеров элементов, а следовательно, и на возможность ,увеличения быстродействия матрицы. t ж

Цель изобретения — упрощение матрицы и повышение технологичности ее изготовления.

Достигается это благодаря тому, что управляющие электроды расположены на одной грани пластины, а управляющие шины изолированы друг от друга пленками диэлектрика в местах пересечения.

На фиг. 1 приведена конструкция матрицы запоминающего устройства, вариант; на фиг. 2 — запоминающий элемент, Предлагаемая матрица содержит сегнетопьезоэлектрическую пластину 1, на которую нанесены управляющие электроды

2-6. Все электроды — числовые 2, общие

3, 4 и разрядные 5, 6 — расположены на одной грани пластины 1. Эти электроды проводящими полосками объединены соответственно в управляющие числовые 7, общие 8, 9 и разрядные 10, 11 шины. В данном варианте конструкции числовые шины 7 расположены в направлении, пересекающемся с направлением общих 8, 9 и разрядных 10, 11 шин. B другом варианте конструкции общие шины могут быть

485499 расположены в направлении, параллельном с направлением числовых шин. В местах пересечения на поверхности пластины шины разделены пленками диэлектрика 12.

Для повышения технологичности матрицы пленки диэлектрика 12 наносятся на поверхность пластины в виде полос, причем по одной полосе на каждые два числа. Все шины 7-11 подсоединены к соответствующим контактным площадкам 13. В зависимости от последовательности технологических операций при изготовлении матрицы и требований, предъявляемых к разрядным и числовым шинам по ик входным емкоI стям, проводящие полоски числовых шин 7, а также разрядных 10, 11 и общих 8, 9 шин могут быть расположены как на поверхности слоев диэлектрика (см. фиг. 1) так и под ними. Итак если необходимо, чтобы шины имели малую входную емкость, о их располагают на поверхности пленок диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которых значительно ниже диэлектрической проницаемости материала пластины 1.

Участки материала между разрядными 25

5, 6 и общими 3, 4 электродами в данном варианте конструкции, числовыми 2 и общими 3, 4 электродами в другом варианте конструкции продольно заполяризованы

I в одном направлении (направления вектора 30 поляризации Р показаны на фиг. 2). Поляризация этих участков пластины является постоянной и не меняется в процессе работы матрицы. Матрица работает следую- . щим образом. 35

Запись информации осуществляется путем приложения напряжений поляризации к числовым 7 и общим 8, 9 шинам. При этом участки материала между электродами выбранного числа поляризуются так, что их @ направление поляризации соответствует коду записываемого числа. В остальных запоминающих элементах поляризация участков между электродами остается неиз1 мени мой. 45

В режиме считывания информации все общие шины 3, 4 подключаются к общей

4 точке матрицы (на чертеже не показана).

При этом на выбранную числовую шину 7 подается импульс напряжения считывания, амплитуда и длительность которого выбирается таким образом, что действие импульса не приводит к изменению спонтанной поляризации, а следовательно, не приводит и к разрушению записанной информации.

Под действием импульса считывания участки материала между соответствующими числовыми 2 и общими 3, 4 электродами деформируются. à .деформациа передается на участки материала мекду разрядными

5, 6 и общими 3, 4 электродами. В ре: ! зультате прямого пьезоэффекта на симметричных разрядных шинах 10, 11 по-, являются импульсы напряжения. Импульсы на обеих разрядных шинах в каждом разряде имеют противоположную полярность, Разнополярность импульсов определяется противоположным соотношением заданных направлений поляризации участков материала, расположенных между разрядными и общими, числовыми электродами по обе стороны от каждого числового электрода. А полярность импульсов на каждой разрядной шине определяется направлением поляризации участков материала между числовыми и общими (разряд-! ными, общими) электродами выбранного числа, установленного при записи информации.

Предмет изобретения

Матрица запоминающего устройства, содержащая сегнетопьезоэлектрическую пластину, на которую нанесены управляющие электроды, объединенные проводящими полосками в соответствующие управляющие шины, отличающаяся тем, что, с целью упрощения матрицы и повышения технологичности ее изготовле» ния„управляющие электроды расположены на одной грани пластины, а управляющие шины изолированы друг от друга пленками диэлектрика в местах пересечений.

485499

Состгвнтеаь Н Рудаков

Корректор З.Тарасова

Редактор E.Ãoí÷àð Техред Н.Ханеева

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытии

Москва, !!3035, Раушская наб,, 4

Предприятие сПатент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Заказ З 7 т Изд. Ъ /д.Ь Тираяг 648 Подписное