Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов

Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДВТЙЛЬСТВУ

Сеюз Советских

Социалистических

Уеслублик (») 485566 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04 10 72 (21) 1835430/18-24 с присоединением заявки №(23) Приоритет(51) М. Кл.

С. Ilс 11/02

Гасудврстввнимй квмитвт

Свввтв Иинивтрвв СССР вв делам иэаврвтвний н вткрмтий (43) Опубликовано 25.09-75 Бюллетень _#_e 35 (45) Дата опубликования описаиия2Ъ11.75 (53) УДК 628.327.6 (088. 8) (72) Авторы изобретения

B. К. Раев и В. Е. Красовский (71) Заявитель

Институт электронных управляющих машин (54) ДАТЧИК ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ БИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Предлагаемое изобретение относится к вычислительной технике.

Известно устройство, предназначенное для считывания цилиндрических магнитных доменов (БМД) и содержащее в качестве считывающего датчика тонкопленочный пер.маллоецый магнитореэистор, состоящий из нескольких соединенных последовательно магниторезистивных эуэментов, расположенных в плоскости поверхности магнитного носителя. Такие датчики получили наибольшее распространение для-считывания

БМД. Их отличает простая технология, малая потребляемая мощность, высокие ча";стотные свойства и практически неограни ,ченный срок службы.

Однако возможное количество магнитоl реэистивных элементов в таких датчиках весьма ограничено и уровень выходного сигнала, соответственно мал. Это объясняется тем, что магниторезистивные эле» менты можно располагать только в области, где",радиадьная составляющая поля

ЦЖД заметно изменяет состояние намагниченности пермаллоевой пленки, т. е. не I далее как на расстоянии, равном радиусу дамена от границ последнего. Ширина отдельного магнито-реэистивного элемента выбирается на практике равной примерно

0,5 г, где 1 - радиус дамена. С учетом этих фактов количество магниторезистивных элементов возможно не более 6-8.

Бель предлагаемого изобретения — повышение уровня выходного сигнала магни10 торезистивного датчика.

Для этого магнитореэистор выполнен в виде многослойной структуры, в которой магнитопленочные элементы, легкие оси которых параллельны, расположены друг

И под другом, разделены изолирующими слоями и через контактные окна в изолирую щих слоях последовательно соединены проводящим материалом, причем первый и последний магнитопленочные элементы.

20 . подключены к контактным выводам.

На фиг. 1 изображено распределение поля домена; на фиг. 2 - предлагаемый магнитореэис.:тивный датчик.

Попе домена имеет напряженность, до25 статочную для, намагничивания магнито- 1

485500

45 пленочного элемента, размещенного не только в непосредственной близости у по-, верхности магнитного носителя, но и уда ленного от нормали от етой поверхности при мерно в пределах радиуса домена (см.фиг.i, 5 где — радиус домена Я - расстояние: j

pro нормали от плоскости носителя; Н ,напряженность поля дрменк 47 Mg - на-1 магниченноеть насыщения носителя).

Датчики содержат магниторезистивные 16 элементы, расположенные в. плоскости на поверхности магнитного носителя; таким .:образом, значительная часть поля рассеяния.домена не используется. Эффективное

;использование поля ЦМД и, как следствие, 15 возрастание уровня сигнала достигается ппИменением магнитрезистивного датчика, показанного на фиг. 2. Если учесть, что .толщина магниторезистивных элементов зна- чительно (в 100 и более ра@ меньше его размеров в плоскости магнитного носителя, расположение магниторезистивных эле ментов, показанное на фиг. 2, позволяет создать датчик, содержащий во много раз большее число элементов, чем это возможно при размещении их в одной плоскости.

Соответственно увеличивается амплитуда выходного сигнала датчика.

Предлагаемый датчик выполнен следующим образом.

ЗО

Магниторезистивные элементы 1 расположены друг под другом таким образом, что легкие оси их параллельны, разделены изолирующими слоями 2 и через контактные окна в изолирующих слоях соединены между собой последовательно проводящим материалом 3. Магниторезистивные элемен« ты 1 размещены над магнитным носителем

4 с ЦМД 5, Отдельный магниторезистив: ный элемент 1 представляет собой магнит»

40 ную пленку различной конфигурации толщи- . ной несколько сотен ангстрем, 4

Работа устройства начинается с подачи в магниторезистивные элементы 1 электрического тока. В исходном состоянии век тор намагниченности магниторезистивных ,элементов 1 ориентирован полем анизотропии пленки параллельно вектору тока и со», противление каждого магниторезистивного элемента 1 равно определенной величине

Ири наличии вРаизи датчика UMf1 5, который располагается таким образом что <.

l отклоннет своим полем вектор, намагничен- ности магниторезистивных элвментвв 1 в направлении, перпендикулярном вектору тока, сопротивление каждого магниторезистив-; ного элемента 1 изменяется на величину

t й-Я . Соединенные последовательно магни- . торезистивные элементы 1 дают изменение сопротивления ЬЯ= Q ЬR „. Размещение

i,"1 в рабочем объеме большого числа магнито фезистивных элементов приводит к сущест- . венному увеличению выходного сигнала.

Суммарный сигнал регистрируется мостовой схеМой и подается на усилитель.

Предмет изобретения

Датчи для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащий магниторезистор и контактные выводы, о т л ичающийс я тем, что, с целью повы-: шения уровня выходного сигнала, магнито-, резистор выполнен в виде многослойной структуры, в которой магнитопленочные элементы, легкие оси которых параллельны, расположены: друг под другом, разделены изолирующими слоями и через контактные окна в изолирующих слоях последовательно соединены проводящим материалом, причем первый и последнкй магнитопленочные элементы к контактным выводам.

Составитель В,Гордонова

РедакторА. Морозова Техред Н.Ханеева Корректор И.Позннковская

Заказ ЯЗф Изд. М ted+ Тираж @4

Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24