Емкостный преобразователь

Емкостный преобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И Я (») 486265

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20,06.73 (21) 1932397/26-25 (51) Ч. Кл. 6 Oln 27/22 с прнсоедш|ен»ем заявки №

Гасударственный комитет (23) Г1ртюрйтет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 551.508,7 (088.8) О:<убликовг»го 30.09,75. Бюллетень Хо 36 1,а га о»убликовашгя о»и «»пя 02.02.76 (72) Автор изобретения В. В. Ветров (71) Заявитель Ленинградский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени технологический институт им. Ленсовета (54) ЕМКОСТН Ый П РЕОБРАЗОВАТЕЛ Ь

Изобретение относится к области измерения диэлектрических и технологических параметров вещества, например его концентрации, влажности, химического и структурного состава.

Известные емкостные преобразователи, содержащие плоские электроды на диэлектрической подложке, имеют значительную паразитную емкость между электродами за счет подложки.

Цель изобретения — уменьшение паразитной емкости между электродами и возможность получения управляемой собственной индуктивности преобразователя.

Предлагаемый емкостный преобразователь отличается от известного тем, что в нем между электродами и диэлектрической подложкой имеется слой парамагнитного диэлектрика с нелинейной магнитной проницаемостью.

Такое отличие позволяет скомпенсировать паразитную емкость между электродами и управлять собственной индуктивностью преобразователя. Компенсация паразитной емкости в самом преобразователе позволяет увеличить его информационный к.п.д., а возможность управления индуктивностью позволяет получить бесконтактный модулятор сигнала в самом преобразователе и тем самым дает возможность с большей эффективностью контролировать и регулировать технологические процессы.

На фиг. 1 изображен предлагаемый емкостный преобразователь с рассеянным полем; на

5 фиг. 2 — эквивалентная электрическaÿ схема преобразователя.

Преобразователь содержит диэлектрттческую подложку 1, пле»ку 2 нз парамаг»»тного диэлектрика, плоские электроды 3.

10 При малых проводимостях вещества влиянием параметра L,, (индуктивность электродов) можно пренебречь, и полная проводимость преобразователя будет

15 G == 6„+ С.,— где С„н G„— емкость и проводимость преобразователя с контролируемым материалом.

L,, — индуктивность электродов через пара20 магнитного пленку.

Параметр L„„является функцией магнитной проницаемости парамапштного слоя и его толщины. Выбирая соответствующим образом толщину парамагнитного слоя, можно ском25 пенсировать паразнтную емкость преобразователя, а изменять собственную индуктивность т „можно, например, изменяя напряженность вспомогательного электромаг1титт ого поля.

Преобразователь работает следующим обра30 зом. Риг Z

Составитель П. Петрушин

Техред М, Семенов

Редактор Е. Караулова

Корректор О. Тюрина

Заказ 5241 12 Изд. ¹ 1855 Тираж 966 Подписное

Ц1!ИИПИ Госуд!l ::ñ",иси юго комитс,и Совста Министров СССР

lIo делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушскап пав, д 4/5

T!I!to! !! !(!Il !, I:p Савинова, 2

Преобразователь с парамагнитной пленкой, например из феррита, помещают в контролируемую среду. Полная емкость между электродами складывается из паразитной емкости через подложку С, и через слой парамагнитного диэлектрика С, и из емкости через контролируемую среду — С„: См = С+ С,+ C„„.

При о(С +Се) = — происходит компенса. -с„ ция паразитпой емкости преобразователя. При этом емкость преобразователя пропорциональна контролируемому физическому параметру среды, например влажности. Помещая преобразователь с контролируемым материалом во вспомогательное электромагнитное поле, получают возможность управлять собственной индуктивностью электродов через магнитную проницаемость парамагнитной пленки, завися5 щей от напряженности вспомогательного поля.

Предмет изобретения

Емкостный преобразователь, содержащий плоские электроды на диэлектрической под10 ложке, о тл ич а ю щи и ся тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости, между электродами и подложкой помещен слой из диэлектрика с нелинейной магнитной проницаемостью, например феррита.