Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок

Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

11Ц 486374

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЯЬСТВУ

Союз Соватских

Социалистических

Республик. (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 01.03.68 (21) 1221807/18-24 (51) Ч. Кл. G 11c 11/14 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 30.09.75. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 09.01.76 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

° з i»

Н, А. Данилов и Г. П. Жариков

Институт кибернетики AH Украинской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ МАГНИТНЫХ

АНИЗОТРОПНЫХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к разделу технологии производства запоминающих устройств на тонких магнитных пленках.

Известен способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок из пучка атомов на подогретую до 200 — 300"С плоскую полированную подлохкку, движущуюся вдоль силовых линий магнитного поля поперек узкого щелевого отверстия диафрагмы, расположенной между подложкой и испарителем с малым сравнительно с отверстием диафрагмы диаметром.

Однако магиигные пленки, изготовленные известным способом, обладают неоднородной по величине анизотропией. Так как величина анизотропии косого угла падения увеличивается с увеличением угла между нормалью к подложке и направлением пучка, то результатирующая анизотропия от центрального участка подложки к боковым относительно направления движения краям подложки возрастает. Неоднородность поля одноосной анизотропии создает разброс амплитуд считываемых ситналов и приводит к разбросу требуемых для переключения пленочных элементов числовых токов. Величина числового тока выбирается по максимальному току, требуемому для переключения пленочного элемента с максимальным полем апизотропии, поэтому пороговые поля разрушения элементов с минимальным полем анизотропии будут пониженными, вследствие пониженного отношения полей помех, наводимых числовыми токами в

5 соседних числовых проводниках, к полю анпЗО ТPOПИИ ЭТИХ ЭЛЕМС11ТОВ.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что подложку располагают относительно источника паров магнитного сплава

10 так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к боковому относительно направления двп?кения кра10 подложки и 1 Ондепсир) ют слой половинной толщины. Затем подложк) располагают так, чтобы пучок атомов падал под прямь|м углом к противоположному краю, и кондснсируют второй слой, доращивающий пленку до требуемой толщины.

Сочетанием двух приемов конденсации слоев с асод:1ород ым по площади полем анизо00 тропин создается новый эффект — однородность поля анизотропии участков сплошных или дискретных пленок, расположенных на общей подложке.

Описываемый способ поясняется чертежом.

Б Подогретая нагревателем 1 плоская полированная подложка 2 дважды продвигается вдоль силовых линий магнитного поля 3 над щелевой диафрагмой 4, через которую проходит пучок 5 испаренных атомов. При первом

30 продвижении под;1 Ож ка 1з а сполагается Отно486374

56у/

У !

Заказ 3239/13

Изд. № 1841

Тираж 648

Подписное

Типография, пр. Саг«у««ова, 2 сительно испарителя 6 так, чтобы пучбк атомов падал под прямым углом к участку поверхности подложки, прилегающему к одному се боковому краю, IlpH втором продвижении (на чертеже показано пунктиром) — и другому. Слои, конденсируемые при каждом продвижении подложки, равны по толщине, и сумма их толщин равна требуемой толщине пленки. Зависимость константы или поля анизотропии, возникающей вследствие косого угла падения, от угла между нормалью и пучком атомов при сравнительно малых (порядка

10 при конденсации пленок на подложках шириной до 100 мм) измепеш«ях угла падения близка к линейной.

Магнитные свойства слоев, е разделенных немагнитной прослойкой, вследствие обменной связи между намагниченностями слоев усредняются.

Поле анизотропии в каждом участке двухслойной сплошной пленки или в каждой двухслойной дискретной пленке на общей подложке одно и то же, т. е. от расположения их на подложке ««с зависит.

Предмет изобретения

Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок из пучка атомов на подогретую плоску«о полированную подложку, движу«цуюся поперек щелевого отверстия диафрагмы вдоль силовых линий магнитного

10 поля, отлича ющийся тем, что, с целью повышения однородности магнитных пленок, подложку вначале располагают так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к части поверхности подложки, прилегающей и

15 боковому относительно направления движения краю подложки, и конденсируют слой половинной толщины, затем подложку располагают так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к части поверхности подложки, 20 прилегающей к противоположному ее краю, и конденсируют слой, доращивающий пленку до полной толщи««ы.