Гиратор
Патент 486454
Авторы
Классы МПК
Гиратор
Иллюстрации
Реферат
(111 486454
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик ф ) . / (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19.07.73 (21) 1945160/26-9 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 30.09.75. Бюллетень № 36
Дата опубликования описания 02.02.76 (51) М. Кл. Н 03h 7/44
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.372.58 (088.8) (72) Авторы изобретения
H. Е. Ефанин, П. П. Видулин и С. М. Кононов
Воронежский политехнический институт (71) Заявитель (54) ГИРАТОР
15 (2) <г =R,С,;
-., = RC,.
30
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических установках, где требуется создать частотно-избирательное устройство без применения катушек индуктивности.
Известен гиратор, содержащий двуполюсник на реактивном триоде, например полевом транзисторе МДП-структуры с индуцированным каналом р-типа, между стоком и истоком которого, являющимися выводами гиратора, включена фазосдвигающая RC-цепь.
Однако известный гиратор имеет большие активные потери.
Цель изобретения — уменьшение активных потерь.
Для этого между местом соединения элементов упомянутой фазосдвигающей RC-цепи и истоком полевого транзистора включена дополнительная фазосдвигающая RC-цепь, место соединения элементов которой подключено к затвору транзистора.
На чертеже изображена схема предлагаемого гир а тор а.
Гиратор содержит двуполюсник на реактивном триоде, например полевом транзисторе Т, между стоком и истоком которого, являющимися выводами гиратора, включена фазосдвигающая RC-цепь, состоящая из резистора R u конденсатора С. Между местом соединения элементов упомянутой фазосдвигающей RC-цепи и стоком полевого транзистора Т включена дополнительная фазосдвигающая RC-цепь, состоящая из резистора Лт и конденсатора Сь место соединения элементов которой подключено к затвору транзистора Т.
Устройство работает следующим образом.
Включение дополнительной фазосдвигающей RC-цепи приводит к следующим значе10 ниям параметров:
1 — Оз ° 1 .г гК
1 где RH — сопротивление потерь;
S — крутизна транзистора т+ .г+ з э—
7 где L, — эквивалентная гираторная индук20 тивность;
-., =RC;
Добротность контура, образованного индук тивностью L„ и конденсатором С„ равна
1 / (=a + .г + з)
2„ э (1 р-т=г) 486454
c,(,,+-.,+-.,) (4) У 1 1 +,ва (-.1 + а + 3)
I
I !
Составитель Е. Погиблов
Редактор И. Суханова Техред Т. Миронова
Корректор О. Тюрина
Подписное
Заказ 3342/16 Изд. № !855 Тираж 902
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 где тоо — угловая резонансная частота контура, равная
Как следует из формул (1) и (3) включение дополнительной фазосдвигающей RC-цепи обуславливает частичную компенсацию потерь и увеличение добротности контура за счет отрицательного члена — то т1т2.
Для нагруженного контура с учетом шунтирующего воздействия сопротивлений схемы формулы (1) и (3) примут следующий вид: где R — результирующее сопротивление, действующее параллельно контуру.
Добротность нагруженного контура, как следует из этих формул, можно регулировать путем изменения постоянной времени дополнительной фазосдвигающей RC-цепи та — — RiC
Однако устойчивая работа схемы обеспечивается при условии
2 г(+
5 ш э которое следует из необходимости выполнения неравенства Рк,)Q
Таким образом, введение дополнительной фазосдвигающей RC-цепи позволяет получить увеличение фазового сдвига между входным и выходным напряжением транзистора, что приводит к повышению добротности контура.
Предмет изобретения
Гиратор, содержащий двуполюсник на реактивном триоде, например полевом транзисторе МДП-структуры с индуцированным каналом р-типа, между стоком и истоком которого, являющимися выводами гиратора, включена фазосдвигающая RC-цепь, отличающийся тем, что, с целью уменьшения активных потерь, между местом соединения элементов упомянутой фазосдвигающей RC-цепи и истоком полевого транзистора включена дополнительная фазосдвигающая RC-цепь, место соединения элементов которой подключено к затвору транзистора.