Способ выращиваниякристаллов иодата лития гексагональной модификации

Способ выращиваниякристаллов иодата лития гексагональной модификации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11)

ИЗОБВКТЕН ИЯ союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.01.74 (21) 1988004/23-26 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.06.77. Бюллетень ¹ 23 (45) Дата опубликования описания 31.08.77 (51) М Кч е В 01 J 17/04

;осуаарствениый комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений (53) УДК 548.55 (088.8) и открытий (72) Авторы изобретения Б. И. Кидяров, П. Л. Митницкий и Д. В. Шелопут (71) Заявители Институт физики полупроводников Сибирского отделени

АН СССР

„?" . ?i °

° .-„? -.cI

? (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА

ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ

Формула изобретения

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов иодата гексагональной модификации, которые находят широкое применение в акустоэлектронике, акустооптике и нелинейной оптике.

Известен способ выращивания кристаллов иодата лития .гексагональной модификации из водных растворов путем температурного и концентрационного перепада. Недостатком этого способа является нестабильность процесса выращивания кристаллов.

С целью устранения этого недостатка предложен способ, по которому в качестве исходного продукта используют иодат лития тетрагональной модификации, который загружают?в растко?р, имеющий температуру 15—

25 С и рН 2 — 2,5, а рост кристаллов ведут в зоне с те мпер а тур ой 40 — 50 С.

Пример. В кристаллизатор объемом 6 л устанавливают 16 затравочных пирамидальHbIx кристаллов гексагональной модификации иодата лития диаметром 15 лм. При 45 С п рН раствора 2 — 2,5 ведут рост кристаллов со скоростью 0,5 х?л/сутки вдоль осп Z.

Через трп месяца получают 15 оптически однородных кристаллов со средним диаметром 25 ??.?? и длиной 40 — 45 лл.

Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации с использованием метода температурного и концен15 трационного перепада, о т л и ч а ю щ п и с я тем, что, с целью повышения стабильности процесса выращивания, в качестве исходного продукта используют иодат лития тетрагональной модификации, который загружают в

20 раствор, имеющий температуру 15 — 25 С и

?pH 2 — 2,5, а рост кристаллов ведут в зоне с температурой 40 — 50 С.