Устройство для стабилизации тиратронов

Устройство для стабилизации тиратронов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

21с, 46;

Клаее

21g 4

К авторскому свидетельству Н. Г. Румянцева и Г. С. Вильдгрубе, заявленному 27-апреля 193б года (спр. о перв. № 192780).

О выдаче авторского свидетельства опубликовано 3l августа 1936 года.

Известно, что при повышении температуры окружающей среды пусковые характеристики тиратрона спускаются вниз, т. е. критический потенциал сетки становится более отрицательным при тех же анодных напряжениях.

Особенно надо остановиться на двухсеточных тиратронах, которые имеют, в частности, то преимущество, что характеристика их может быть перемещена параллельно самой себе в неко. 1 торых пределах изменением потенциала экранной сетки. Таким образом, можно всегда получить желаемую точку характеристики для работы.

Изменение характеристик ртутных тиратронов от температуры ограничивает применение тиратронов в ряде областей. Можно различными путями получить стабильность работы тиратронных схем. Ниже рассматриваются схемы, в которых компенсируется действие температуры на характеристику двухсеточного ртутного тиратрона.

Так как характеристики спускаются ниже с увеличением температуры, то можно при соответствующей схеме изменять потенциал экранной сетки так, что действие температуры не будет сказываться. Могут быть предложены различные схемы, в которых на сетку подается потенциал, изменяющийся в зависимости от температуры таким образом, что он будет компенсировать изменение характеристики тиратрона.

Согласно изобретению предлагается для стабилизации тиратронов использовать свойство электроматериалов, изменять сопротивление в зависимости от температуры.

Включая сопротивление с температурным коэфициентом, ббльшим, чем температурный коэфициент добавочного анодного сопротивления, в анодную цепь тиратрона, и подавая с этого сопротивления смещающее напряжение на экранную сетку, можно достигнуть постоянства характеристики тиратрона независимо от окружающей температуры.

Рассматривая схему, изображенную на фиг. 1, видно, что на экранную сетку с сопротивления 1 (R) дается напряжение V, отрицательное относительно катода. Для того, чтобы при росте температуры это напряжение Р увеличилось, надо, как выше указывалось, иметь а, (температурный коэфициент) у сопротивления 1 (R), ббльший, чем температурный коэфициент » у добавочного сопротивления 2 (r). Если величины сопротивлений 1, 2 и температурных коэфициентов а и а.„подобраны соответственно характеристике тиратрона, то данная схема дает полную компенсацию влияния температуры. Это подтверждается простейшим расчетом, который приводится ниже.

Исходя из схемы и известных соотношений, что R, —— Кр (1+а, И) и I — Г, (1 + ар at), получаем формулу для нахождения величины а„при заданных величинах Е; л ; — = К; а, r0 о

RQ = Ир (1 + F ь t) и гg := гр (1 — > .М).

Произведя образования для а„получим следующее выражение

<, (К+ 1)р К (V, (К+ 1)1 а, л1 (.ЕР— л Y (К+1))

Формула выведена с учетом знака i с E=200 V; a V =1 У при л 1=5 ; температурного коэфициента а,„так что а 10 и а == — 0,04, величина Кбыла значение его должно подставляться по получена равной 48. абсолютной величине.. Может быть предложена другая комЕсли считать, что E= 200 У; лУ„==1 V, пенсационная схема, основанная на том при t=5, К=59 и a =- — -0,04, то же принципе. Схема эта изображена на а, получается равным +0,009. При фиг. 2 и, как видно, в этом случае тименьших К величина может получиться I ратрон шунтируется двумя сопротивлеменьше или принять даже отрицатель- ниями 1, 2, причем первое 1 должно ! ное значение, Желаемое значение тем-: иметь положительный температурный пературного коэфициента может быть коэфициент, а второе 2, с которого белегко получено путем комбинирования рется напряжение смещения на вспомодвух сопротивлений с различными зна- гательную сетку„— отрицательный темчениями температурных коэфициентов. пературный коэфициент.

В некоторых случаях удобнее, исходя, В этом случае при увеличении темиз величин температурных коэфициен- пературы потенциал экранной сетки

1 ( тов, находить величину К. Ясно, что будет уменьшаться, а следовательно, преобразовав вышеприведенную фор-, при соответствующем подборе элеменмулу, можно получить выражение тов схемы будет происходить компендля К, как функцию от всех других I сация действия температуры на хавеличин. Так, например, при расчете рактеристику тиратрона.

Произведенные расчеты показывают, что даже при обычных величинах температурного коэфициента (например, Nia=0,0063) вопрос может быть вполне разрешен. При наличии же материала с ббльшим а задача еще больше упрощается.

В отличие от описанно" схемы, в которой температурный коэфициент у первого сопротивления 1 больше, чем у второго 2, во втором варианте схемы, изображенной на фиг, 1, у второго сопротивления должен быть отрицательный температурный коэфициент.

l При повышении температуры величина второго сопротивления (г) уменьшается, а, следовательно, увеличивается отрицательное смещение на экранную сетку. При соответствующем подборе сопро, тивлений и температурных коэфициен тов можно добиться компенсации дей ствия окружающей температуры. Расчет, опять таки подтверждает правильность этого заключения. Из рассмотрения схемы и условия, что температурный коэфициент а,, у второго сопроти вления отрицательный, можно напи сать, что

I (K+1) — лtК (E — (К+1)) и, л t (ЕК вЂ” d V (К+ 1)) (Тип.,Промполкграф . Тамбовская, 12. Зак. 4}47 — 500

Преимущество данной схемы состоит в том, что в ней величины сопротивлений не ограничены, так как ни одно из них не включено в рабочую цепь, Исходя из тех же данных схемы, а именно: Е =200 V; л V =1 V npu л t =- 5"; а, = 3,10 и К = 39 получаем для а, значение, равное — 0,04.

Следовательно, и в этом случае подтверждается реальность схемы в данном варианте.

Предмет изобретения.

1. Устройство для стабилизации тиратронов, работающее независимо от окружающей температуры, отличающееся тем, что в анодную цепь тиратрона включено смещающее сопротивление 1 с температурным коэфицентом, ббльшим, чем температурный коэфициент добавочного анодного сопротивления, от какового сопротивления 1 подано на экранную сетку смещающее напряжение.

2. Форма выполнения устройства по и. 1 отличающаяся тем, что последовательно с сопротивлением 1 включено сопротивление с положительным или отрицательным температурным коэфициентом, а тиратрон шунтирован добавочным сопротивлением 2 с отрицательным температурным коэфициентом.

3. Форма выполнения устройства по и. 1, отлйчающаяся тем, что тиратрон шунтирован двумя последовательно включенными сопротивлениями, из которых одно, приключенное к катоду, имеет отрицательный температурный коэфициент, а второе сопротивление имеет положительный температурный коэфициент, причем с первого сопроУвеличение сопротивления позволяет уменьшить потери холостого хода.

Расчет подтверждает вышеизложенное. Для этого случая формула имеет вид тивления, приключенного к катоду, подано напряжение на экранную сетку.

4. Форма выполнения устройства по пп. 1 — 3, отличающаяся тем, что сопротивление, включенное в рабочую цепь, одновременно служит нагрузкой.

5. Форма выполнения устройства по пп. 1 — 4, отличающаяся тем, что сопротивление, шунтирующее тиратрон, вклю чена за нагрузкой, помещенной в анод ную цепь. !