Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

111) 489049 (61}Дополнительное к aar, свид-ву(22) Заявлено 03.01.74 (21) 1983234/26-25 с присоединением заявки №(23} Приоритет -. (51) M. Кл.1т Olr 31i22

Государственный комитет

Соната 1нинистрав СССР нв делам изссретвний н етирытий

Опубликоваио25.10.75.Бюллетень № 39 (53) У.ЛК 621.382 (088.8) Дата опубликования описания 17.01.76 (72} Авторы изобретения

В, П. Жебрюнайте, И. С. Левитас, К. К. Сталерайтис и Ю. К. Пожела

Ордена Трудового Красного1Знамени институт физики полупроводников AH Литовской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ ПОВЕРХНССТ11ОЙ

РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ св. ЮИ

0 дЯ

Изобретение относится к полупроводни ковой электронике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов, Известен способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока иа псчерхности прямоугольного полу,проводникового образца путем пропускания

;через образец электрического тока и помещения его в магнитное поле с последуюшим измерением изменения сопротивления образца.

Необходимость измерения скорости поверхностной рекомбинации на грани полу проводникового образца, противоположной грани с измеряемой скоростью поверхност,ной рекомбинации, другим независимьтел способом требует дополнитепьной аппарату, ры, а также снижает точность измерения, 4М 1 ,так как при этом меняются условия изме рени я.

Целью изобретения является повышение точности и упрошение измерения скорости оверхностной рекомбинации.

Для этого полупроводн..коный образец ;изготавливают намного толше длины биполярной диффузии носителей ток», а на гр» ни, противоположной грани с измеряемгй

5 1cKopocTblo поверхностной рекомбинации, соз,дают область с большой скоростью реком-! бинации, после чего о величине скорости поверхностной рекомбинации судят по изме нению сопротивления, исходя из формулы где S — скорость поверхностной р комбинации

15 . Я вЂ” сопротивление обрвзц» в отсутст1 вие магнитного поля;, 7 — сила тока через образец; Cf — напряженность магнитного поля, Я - вели:чина изменения сопротивления образца в

20 .магнитном поле; . а е 4 (»г остоянные.

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации заключается в следуюшем, Под воздействием силы Лоренц», процор25 циональной величине силы тока <7 и и»g Р, »{Qg с? . С ГИ МЯГНИТНОГО Г!ОЛЯ !Г» И 11ЯПРЯВ»

7/, :=., .,:!{енд11хуляр?10 к ГРЯ?1ям f скОрость

- ". Бой рекомбинации HB Одной из . Е"1 СЯ, 8 НЯ ПРОТИВОПОЛО?!11!Ой СОЗ

Я х".Ясть с больБIОЙ 0110 !Остью рекорд»

Т!1Х ГРЯНЕй 11РОИС-..OI?B Г 0 КЛО=. Ины кс:1центряиии IOcителей От ...:, с!к. 1"-.!е.-аг1И?1Я От*.с 10неьия, 1,18кск. = PQ$!q", ЭКСПО!»Е?,Ц!., ",!О» У, ?1 б ипсд.","110? диффузии, i;.-:, r.ясс О ".ЕЧ/ IIPO i?!ВРАГ!ОЛО;!1":ЫМИ Г 3;-.,110. .,! Y Н,:-.-.,,:ревышаюшем длину биполярной диф-" ."рость пове{охнос Гной рекомбинации

"з гря! .Зй, определяю{ -!11 Вместе а

:-" .:.?и гаряме Ярами ИОГ.„: -.1роводникя

-. ной силы Лоренца величину от;- ":онцентрации от равновесной, не ня изменение концентрации нос?1теИБОНОложной 1"pÿHè. СОздянке Об» я льшой скоростью ректмбиияции . приводит к тому, что вследствие

: †. ::."..- . генерации и рекомбинации ня

0 ГКДОНЕНИЕ 3ЕЛИЧИНЬ{ ?10НПО!1Т! Я и" .!Ieit От равновесной не и{диско- 25, ; †;,-уль яте этого изменение сопроОбвязт„-я Определяется -Оед:! q:ë из-.уЩ g где 5 — величина измеряемой скорости поверхностной рекомбинации, 35 Я - сопротивление образца в отсутствие магнитного поля;

7 - сила электрического тока через

Обпазец; — напряженность магнитного поля; .! !. !1 Я - изменение сопротивления обряз6 мв1 нитном поле.;

Q, и 8 — постоянные. ({Ц !

Я 4.С-Т11ЯЛЕНИС ."бояз!1Я Б ОТО УТСТ .»ОСТЯВ И 1 Е!IЬ 1..>, "1 OÕ?IНЯ

i ox0åë p;: {1c?-.y>1;; qq КоppeKтор {-1, Ьабурка

= д- ". "Op 1 . Фадее

1 Подписное

1.{ I "i М11!,: !с "г =p Гвенного комитета CoBBT!1 M!I?IHcTpoB ССР ио дЕЛя .: ИЗОбое-О!1Ий И 0",»ВЬ!ТИ1, 1 . -С,-;, М.- к;=., . /КЛЛ, Раушская I!äê, Д.4/5

Ф.:.лия-. 11?11 ."т -!."!", г .товсд, ул. Гагарина, 1. 03.. С!?111Е?!ТВЯЦИ?! НОСИТЕЛЕИ ПРОТИ

::..е: грани с измеряемой скоростью рекомби1!я!ции, Яедич„!На из

-.- !РО -ивдения ЙЯ, одиозна но свя:.".:л!В0 !емОЙ cKOpGcT6!o ИОверхнОст.!?:. 1:-ции и определяется ио 11нрму! !| \Гi! ЧОДЯ ,!1

ИСС. ОЯН1." -{Е, ОИ;-. -:Г{ЕДИЕМЬ|Š—;а .:,!ст1.!ми: 01?у! :,.:,.

Таким образом, в предлагаемом способе обеспечено непосредственное измерение абсолютного значения скорости поверхностной рекомбинации, что значительно упро!Няет технику измерения и повышает ето точность.

Предмет изобретения

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников путем пропускания через прямсьугольную полупроводниковую пластину, исмешенную в магнитное поле электрического тока, и измерения сопротивления, о т л ич " "ю шийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения измерения, пластину изготавливают толщиной, большей длины биполярной диффузии носителей, а на грани, противоположной грани с измеряемой скоростью поверхностной рекомбинации, создают область с большой скоростью рекомбинации носителей, после чего о величине измеряемой скорости поверхностной рекомбинации носителей тока судят по изменению сопро Гивления образца согласно формуле