Генератор стирания для магнитной записи
Иллюстрации
Показать всеРеферат
(ii) 49 1149
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 17.01.74 (21) 1989925/18-10 (51) М. Кл. G 11Ь 5/02 с присоединением заявки ¹
Государственный комитет
Совета Министров СССР (23) Приоритет
Опубликовано 05.11.75. Бюллетень ¹ 41
Дата опубликования описания 16.02.76 (53) УДК 621.373.431.1 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения
С. С. Лукьянов и М. С. Маруняк (71) Заявитель (54) ГЕНЕРАТОР СТИРАНИЯ ДЛЯ МАГНИТНОЙ ЗАПИСИ
Предмет изобретения
Изобретение относится к области приборостроения, в частности к устройствам запоминания информации, и может быть использовано в магнитофонах и видеомагнитофонах.
Известны генераторы стирания для магнитной записи, собранные по схеме симметричного мультивибратора на транзисторах, у которых в цепи коллекторов включен колебательный контур. Однако отмечается относительно большая мощность, рассеиваемая на транзисторах.
Цель изобретения — уменьшение мощности, рассеиваемой на транзисторах генератора стирания на симметричном мультивибраторе.
Это достигается в результате того, что коллекторы каждого из транзисторов подключены к колебательному контуру через параллельно включенные индуктивность и резистор.
На чертеже приведена схема генератора стирания.
Она включает транзисторы 1 и 2 симметричного мультивибратора, в цепях обратной связи которого включены делители на резисторах 3, 4, 5 и б. Коллекторы каждого из транзисторов соединены с колебательным контуром 7 через индуктивпостп 8 и 9 и включенные параллельно пм резисторы 10 и 11.
Генератор работает как обычный симмет5 ричпый мультивибратор. Мощность, рассеиваемая на транзисторах, уменьшается благодаря влиянию индуктивностей 8 и 9, приводящему к обострению фронтов импульсов на коллекторах транзисторов. Резисторы 10 и 11
10 небоходимы для устранения опасности паразитного возбуждения схемы в области верхних частот.
Генератор стирания для магнитной записи, собранный по схеме симметричного мультивпбратора с колебательным контуром в цепи коллекторов транзисторов, отл и ч а ю щи и с я
20 тем, что, с целью уменьшения мощности, рассеиваемой на транзисторах, коллекторы каждого из транзисторов подключены к колебательному контуру через параллельно включенные индуктивность и резистор.
491149
Составитель Л. Коваленков
Текред А. Камышникова
Корректор Л. Котова
Редактор О. Филиппова
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 45/10 Изд. № 71 Тираж 648 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5