Термочувствительный материал для резисторов

Термочувствительный материал для резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е ()49Н63

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 09.10.73 (21) 1964077/24-7 (51) М. Кл. H 01c 7i 04 с присоединением заявки—

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 05.11.75. Бюллетень М 41

Дата опубликования описания 23.02.76 (53) УДК 621.316.825 (088.8) (72) А,вторы изобретения

В. К. Капусткин, В. Л. Волков и А. A. Фотиев (71) Заявитель Институт химии Уральского научного центра AH СССР (54) ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫИ МАТЕРИАЛ

ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к ооласти электротехники и электроники, в частности к изготовлению полупроводниковых термнсторов на основе кислородных соединений ванадия.

Известные термочувствительные резистнвные материалы (на ример, 702 и VOi ) имеют Моттовский переход (полупровод:шк— металл) или скачок значения сопротивления в области температур ниже 70 С. В связи с этим они не могут быть использованы при изготовлении полупроводниковых резисторов, имеющих переход полупроводник — металл при температурах выше 70 С.

Цель изобретения — получить Моттовский переход в области температур 400 вЂ

600 С и с повышенным гистерезисом.

Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала полупроводниковых термисторов используются кислородные ва1 т надиевые бронзы типа Ме., Vg015 и Ме, V>qOgp.

Проведенный цикл физико-химических исследований установил, что в области температур 400 — 600 С за счет миграции ионов кислорода происходят незначительные структурные изменения в бронзах данного типа.

Это приводит к перекрыванию 3d орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.

Пример 1. Из мелкокристаллического порошка кислородной ванадиевой бронзы натрия XaVqO ; грессуют под давлением — 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:.и н длш;ой 10 лл:. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в б течение — 25 час. После этого образец помешают в вакуум — 10 им рт. ст. и потенциометрическим методом на постоянном токе измеряют его электропроводность в зависимости от температуры.

На графике (фиг. 1). где по оси ордннаг отложен логарифм электросопротивлсння (в о.и сл), а по осн абсцисс — единица, деленная на абсолютную температуру (в Т, К ), кривая 1 получена при нагревании об15 разца н 2 при его охлаждении. Этн данные показывают, что в области температур 400—

600 С резко возрастает электропроводцость и полупровод. шковый характер проводимости переходит в металлический (наблюдается так

20 называемый Моттовский переход). Прн охлаждении имеет место значительный гнстсрсзис электропроводности.

П р н ме р 2. То же, что и в примере 1.

Только при измереннп электросопротнглсння

25 в атмосфере воздуха. Переход полупроводник — металл наблюдается в области температур 400 — 500 С (фиг. 2).

П р и и е р 3. Из мелкокрнсталлнчсского порошка кислородной ванадневой бронзы стронция SrV> O„-.p прессуют под давлением

491163

5,0 50>/7,K

Фиг 1

1,5

2,0

f,0

У,0 /СЗ/", У0 $0 /T K

2,0 — 10000 кг/см таблетку диаметром б м.я и длиной 10 мм. Таблетку спекают в вакуумпрованной ампуле при температуре бо0 С в течение — 20 час. После этого образец помещают в вакуум — 10- мм. рт. ст. и потенциометрическим методом на постоянном токе измеряют его элеквросопротивление в зави симости от температуры. Согласно полученным даниным (фиг. 3) в области температур

450 — 550 С наблюдается как и в примерах

1 и 2 изменение типа проводимости.

Hpeдмет изобретения

Термочувствительный материал для резисторов на основе кислородных соединений ванадия, отличающийся тем, что, с целью получения перехода полупроводник — металл в области температур 400 — 600 С и с повышенным гистерезисом, в качестве указанных соединений используются кислородные вана10 диевые бронзы типа Ме, V,Î, и Ме,. Ч Озо.

1 и