Усилитель мощности
Иллюстрации
Реферат
(и>49И89
ОП ИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 14.03.74 (21) 2004940 26-21 с присоединением заявки— (32) Приоритет—
Опубликовано 05.11.75. Бюллетень № 41
Дата опубликования описания 18.03.76
151) М. Кл. Н 03f 3/20
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.375 (088.8) (72) Авторы изобретения A. P. Пригожин, Ю. В. Клюев, 3. M. Метель и H. В. Радкевич (71) Заявитель (54) УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано для усиления сигналов звуковой частоты в радиоаппаратуре различного:назначения.
Известен усилитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого выходного транзистора непосредственно, а к его базе— через встречно включенные стабилитроны, точка соединения которых подключена к коллектору второго выходного транзистора.
Цель изобретения — уменьшение,искажен ий в области больш их сигналов.
С этой целью в предлагаемый усилитель введен дополнительный транзистор, переход эмиттер — коллектор которого подключен параллельно коллекторному резистору входliîãо транзистора, а база через дополнительно введенный резистор делителя напряжения подключена к точке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.
На чертеже приведена схема устройства.
Усилитель построен на четырех транзисторах: входном 1, включенном по схеме с общим эмиттером, двух входных 2 и 3, включенных по схеме с общим эмиттером и общим коллектором соответственно и дополнительном транзисторе 4, включенном по схеме с общим эмиттером.
База транзистора 1 подключена ко входу усилителя, а его эмиттер — к выходу усилителя. Коллектор транзистора 1 подкгночен непосред твенно к базе транзистора 2 и колб лектору дополнительного транзистора 4, а через резистор 5 — к выводу источника питания 6. К тому же полюсу источника питания подключены эмиттеры транзисторов 2 и 4. База транзистора 4 подключена к выходу уси1в лителя через резистор 7, а через резистор 8— к выходу источника питания 6. Коллектор транзистора 2 подключен к базе и эмиттеру транзистора 8 через стабплитро lbl 9 и 10 соответственно. Параллельно стабилитрону 10 включен резистор 11.
База транзистора 3 подключена через два последовательно включенных резистора 12 и
13 к выводу источника питания 14. К тому же выводу подключен, коллектор транзистора 3.
Общая точка резисторов 12 и 13 подключена через .конденсатор 15 к выходу усилителя.
В режиме покоя ток через транзисторы 1 и 8 определяются напряжением HB участке база — эмиттер транзистора 2 и током коллектора транзистора 4, который задается с помощью резисторов 5, 7 и 8 и напряженнем на участке база — эмпттер транзистора 2.
Ток покоя транзистора 2 определяется резисторами 12 и 13 и цепью смещения, подключенной ко входу усилителя.
491189
Напряжение на,стабилитроне 9 выбрано близким к напряжению на участке база — эмиттер транзистора 3. Если оно несколько превышает по абсолютной величине .напряжение на участке база — эмиттер транзистора 8, через резистор 11 протекает так в направлении от эмиттера транзистора 3 к коллектору транзистора 2. При этом стабилитран 10 не должен быть, пробитым.
Дрейф тока, покоя транзисторов 1 — 3 компенсируется в данном усилителе так же, как в известном. Дрейф тока покоя транзистора
4 компенсируется за,счет изменения токов покоя транзисторов 1,и 3. Чтобы исключить этот дрейф, транзистор 4 в режиме покоя можно закрыть, выбором резистора 8. При этом база транзистора 4 должна быть подключена к выходу усилителя через дополнительные резистор и конденсатор, соединенные последавательно.
В д инамическом режиме,при работе усилителя в области малого сигнала нелинейные искажения уменьшают .выбором небольшого сопротивления резистора 11 с компенсацией напряжения на участке база — эмиттер транзистора 8 при помощи стабилитрана 9.
При работе усилителя в области большого сигнала,в отрицательный полупериод на выход работают транзисторы I,è 2, стабилитрон
10 пробит. Ток через резистор 7 уменьшается, тра изHcTolpbI 4 и 3 закрываются и не влияют на работу усилителя. iB другой полупериод на выход усилителя работают транзисторы
1 — 4.
В этот период с ростам тока эмиттера тра нзистора 3 растут ток через резистор б и коллектарный ток транзистора 4. При этом ток эмиттера транзистора 1 нарастает на величину изменения тока коллектора транзистора 4.
Увеличение тока через транзистор 1, который,включен в петле отрицательной обратной связи по схеме с общей базой, эквивалентно уменьшению общего сопротивления базовой цепи транзистора 1 и соответственно увеличению коэффициента усиления по току входного каскада в петле, который приближается при этом к коэффициенту усиления по таку.
Коэффициент усиления по току,в петле
5 транзистора 1 может быть учтен в коэффициенте усиления (К;з) по току в петле транзистора 8, который находится из выражения:
1 з—
p„(1 — а1) 10 где l „— сопротивление,источника сигнала;
R; — сопротивление базовой цепи для для выходного транзистора 3;
К;4 — коэффициент усиления по току каскада,на дополнительном транзисторе 4;
aI,àç — коэффициенты усиления тра нзисторов 1 и 8 в схеме с общей оазой.
B связи с этим, растет глубина отрица25 тельной обратной связи в,петле, в которую входят транзисторы 1 — 8, что уменьшает искажения усилителя в области большого сигнала.
Формула изобретения
У силитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого выходного транзистора непасредсввен но, а к его базе — через встречно включенные .стабилитроны, точка соединения которых подключена к коллектору второго,выходного транзистора, отличающийся тем, что,,с целью уменьшения искажений в области больших cHDHBJIQB, iB него введен допол40 нительный транзистор, переход эмиттер — коллектор которого подключен лараллельно .коллекторному резистору входного транзистора, а база через дополнительно:введенный резистор делителя на пряжения подключена к точ45 ке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.
Редактор Б. Федотов
Составитель М. Аудринг
Техред 3. Тараненко
Корректор И. Симкина
Заказ 141/205 Изд. ¹ 105 Тираж 902 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харью. фил. пред. «Патент»