Способ контроля дефектов полупроводниковых приборов

Способ контроля дефектов полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пщ 491879

Союз Советских

Социалистических

Реснублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.04.73 (21) 1911146/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.11.75. Бюллетень № 42

Дата опубликования описания 27.01.76 (51) М. Кл. G Oln 21/16

Государственнь и комитет

Совета Министров СССР ла делам изобретений и открытий (53) УДК 535.242(088.8) (72) Авторы изобретения

А. Ю. Кононович и Ю. С. Парняков (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Изобретение OTI осится к визуальным методам обнаружения и определения различного характера дефектов, осуществляемым путем наблюдения изображения объекта с помощью оптических приборов.

Известен визуальный способ контроля дефектов полупроводниковых приборов, в котором используется изменение характера освещения, например, поочередное включение освещения по методу «темного» или «светлого» поля.

Для повышения качества контроля по предлагаемому способу освещение исследуемого объекта производят одновременно с сканированием полученных зон, т. е. при этом согласовано перемещают сформированные зоны по объекту, и во время этого смещения зон визуально определяют дефекты на поверхности объекта.

Предложенный способ может быть реализован как в отраженном, так и в проходящем

5 свете.

Способ контроля дефектов полупроводнико10 вых приборов, заключающийся в том, что исследуемый объект освещают по методу «светлого» и «темного» поля и регистрируют световой поток после его взаимодействия с объектом, отличающи и с я тем, что, с целью

15 повышения качества контроля, освещение исследуемого объекта производят одновременно с сканированием полученных зон.