Управляемый мультивибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

бибп ек Ь (!!! 492ОЗО

Сок!з Ссаетских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ фа@ " (61) Дополнительное к авт. свнд-ву 425320 (22) Заявлено 19.12.73 (21) 1979415/24-7 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 15.11.75. Бюллетень "«42

Дата опубл!!кован!(я 011tici!ння 01.04.76 (51) М. Кл. H 03k 3/10

Н 031 3/281

Н 02р 13/16

Гссудгрстве!!кыа комитет

Совета Ыииистрае СССР пс делам изойретеиий и открытий (53) УД1, 621.373.531.1 (088.8) (72) Авторы изобретения

F.. В. Мельников и В. Ф. Егоркин (71) Заявитель (54) УПРАВЛЯЕМЫЙ МУЛЪТИВИБРАТОР

Г1о основному BiBT. GB. № 425320 известен управляемый мультивибратор, содержащий управляющий транзистор, база которого подключена к источнику управляющего напряжения, и два других транзистора, коллекторы которых подключены через резисторы к источнику питания, а эмиттеры — к общему выводу источника питания; база первого транзистора через резистор подключена к первому источнику напряжения смещения и через первый диод соединена с коллектором второго транзистора, база которого через времязада!отций конденсатор соединена с коллектором первого транзистора, через резистор подключена iÄo второму источнику напряжения смещения и подсоединена к аноду второго диода, при этом коллектор управляющего транзистора подключен к общему выводу источника питания, а эмиттер соединен с катодом вт! рого диода.

Однако такой мультивибратор имеет низкую кратность регулирования в,связи со значительным минимальным временем задержки и обладает низким быстродействием.

Для повышения быстродействия в предлагаемом мультивибраторе эмиттер первого транзистора подключен к третьему источнику смещения, полярность которого проти!воположна полярности !источника питания.

На фиг. 1 дана схема описываемого мультивибратора; на фиг. 2 — временные диаграммы его работы.

До поступления запускающего импульса транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт, 5 емкость 3 заряжена до потенциала Ui, причем плюс на левой обкладке.

При подаче запускающего импульса U33II (см. фиг. 2, а) транзистор 2 открывается, а транзистор 1 закрывается напряжением на

10 конденсаторе 3 на время его разряда.

Допустим, что напряжение управления U . равно нулю, тогда конденсатор разряжается через управляющий транзистор 4 с минималь15 ной постоянной времени. Падение напряжения

Уо на резисторе 5 эквивалентно источнику напряжения, полярность которого противоположна полярности источника питания и действует в направлении отпирания первого тран20 зистора.

При некотором напряжении U„íà конденсаторе 3 не обеспечивается режим насыщения транзистора 4 и дозаряд конденсатора до нулевого уровня и перезаряд его до уров25 ня включения транзистора 1 происходит с заданной постоянной времени по цепи: резистор 6 — транзистор 2 — общая шина. Так как постоянная времени разрядного контура может быть большой, то время задержки появлеЗ0 ния выходного импульса 4,-,,„„„может быть

492030

Допустим, что при подаче запускающего импульса происходит скачкообразное изменение сигнала упра вления до нуля, тогда выходной импульс выдается по истечении времени

I paq, мин.

Таким образом, 4ап „„„определяет максимальное время запаздывания в выдаче выходного импульса после скачкообразного изменения сигнала управления.

Управляемый мультивибратор по авт. св.

15 ¹ 425320, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, эмиттер первого транзистора подключен к третьему источнику смещения, полярность которого противоположна полярности источника питания.

У„,п иг7

1 — — - -, з

tz

,Iy зад ми»

t зад макс

1

1

Т

Vp а чиг2

Составитель Л. Сакаева

Текред Е. Митрофанова Корректор И. Позняковская

Редактор А. Пейсоченко

Изд. № 2020

Подписное

Тираж 902

Заказ 569 8

Типография, пр. Сапунова, 2 значительным по абсолютной величине (см. фиг. 2).

Г1ри наличии же дополнительно введенного напряжения Up, выбранного из условия Up) U»+ с внл, где U„„,„. — напряжение чения транзистора 1 при достижении напряжения на конденсаторе, равного суп= савв — U„;:, транзистор 1 включается до момента выхода транзистора 4 из режима насыщения, чем обеспечивается на1именьшее время задержки 4ап, „„» (см. фиг. 2, 6).

О величисне быстродействия можно судить, например, по тому, как быстро происходит выдача выходного импульса (см. фиг. 2, в) при скачкообразном изменениями сигнала управления от максимального значения до минимального уровня, соответствующего полному изменению времени задержки от максимального уровня до минимального.

Формула изобретения