Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью
Патент 492951
Авторы
Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью
Иллюстрации
Реферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
БАТгБТИ- "":"":!" -- С!.- а6 ф 4 ° Э
Союз Советских
Социалистических
Республик (») 492951
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 03.01.74(21) 1989568/26-21 с присоединением заявки №(23) Приоритет(5Ц М. Кл.
Н 01 C 19/00
Н 03,Ь 11/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.11.75Бюллетень № 43 (53) УДК 621.382 (088.8) (45) Дата опубликования описания О9.02.76
В, П. Попов, Ю, П. Деркач, Н. А. Тимошенко и О. С. Фролов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) АНАЛОГОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПРИБОРАХ
С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах.
Известная аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью, содержащая полупроводниковую пластину, стробируюший, дозируюший электроды, электроды переноса заряда, отделенные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика, входную легированную область, выпол- )p пенную в полупроводниковой пластине и соединенную зарядовой связью с объемом полупроводниковой пластины под первым электродом переноса заряда, первый и второй источники тактовых импульсов и источ- 15 ник стробируюших импульсов, не дает возможности аналогового векторного суммирования входных сигналов с задержкой относительно первого входного сигнала на k
1, ... периодов тактовой частоты. 20
Цель изобретения — аналоговое векторное суммирование входных сигналов с.задержкой относительно первого входного сигнала »a k, к ... периодов тактовой часто1 ты. 25
Для этого в предлагаемом устройстве на полупроводниковой пластине дополнительно выполнены (щ -1) входные цепи, каж; дая из которых имеет легированную область, стробируюший и дозируюший электроды, причем стробируюшие электроды (т — 1) входных цепей подключены к источнику стробируюших импульсов, их дозируюшне электроды к первому источнику тактовых импульсов, а легированные области соединены зарядовой связью с объемами полупроводниковой пластины, расположенны ми под 2 Й1, 2k электродами перено «т -1 са заряда.
На фиг. 1 приведена электрическая схема предлагаемой аналоговой линии задержки; на фиг., 2 . - схема конструкции линии задержки; на фиг. 3 — эпюры поверхностного потенциала, в полупроводнике.
Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью содержит полупроводниковую пластину (на чертеже не показана), стробируюший 1 и дозирующий 2 электроды, электроды 3-8 переноса заряда, от392951 деленные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика (на чертеже не показан), входную легированную область
9, источники тактовых импульсов 10, 11 и стробирующих импульсов 12.
Входы 13 — 13 подключены к со1, щ-1 ответствукнцим входным цепям, имеющил соответственно легированные области
14 — 14, стробирующие электроды
15 — 15, дозирующие электроды
1 т-1
16 — 16
ill -1
Устройство работает следующим об разо м.
Если к легированной области 9 приложе-но входное напряжение IJ, подаваемое вх па вход 17, то в ней устанавливается потенциал () . Под действием импульса вх
Р от источника тактовых импульсов 10
1 потенциалы распределяются, как показано на фиг. За.
Под действием стробирукнцего импульса
1 от источника 12 под электродом 1
1 устанавливается потенциал $, и по1 тенциальная ялы под электродами 1 и 2 заполняется неосновными носителями. В результате под электродами 1 и 2 потенциал поднимается до уровня ф, = 0
2 вх (см. фиг. 2б). Далее потенциальный барье между легированной областью 9 и электро., дом 2 восстанавливается, и под электро дол 2 остается заряд неосновных носителей (см. фиг. 2в).
Под действием импульса от источника 11 заряд передается в потенциальную яму под электродом Э, и так. далее.
Конструкция электродов 3-8 или профиль
5, окисла под ними должен быть таким, что1 бы обеспечивалось ступенчатое распределение потенциала для однонаправленного распространения заряда.
Предмет изобретения
Аналоговая линия задержки на приборах с зарядовой связью, содержащая полупроводниковую пластину, стробирующий, дози15 рующий электроды, электроды переноса заряда, отделенные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика, входную легированную область, выполненную в
20 полупроводниковой пластине и соединенную зарядовой связью с объемом полупроводниковой пластины под первым электродом переноса заряда, первый и второй источники тактовых импульсов и источник стробирующих импульсов, о т л и ч а ю щ а я—
25 с я тем, что, с целью аналогового векторного суммирования входных сигналов с задержкой относительно первого входного сигнала на k,,k,... периодов тактовой
1 2
30 частоты, на — полупроводниковой пластине дополнительно выполнены (пГ -1 ) входные цепи, каждая из которых имеет легированную область, стробирующий и дозирующий электроды, причем стробирукнцие элект35 роды ((П -1 ) входных цепей подключены к источнику стробирующих импульсов, их дозирующие электроды — к первому источнику тактовых импульсов, а легированные области соединены зарядовой связью с объ40 емами полупроводниковой пластины, расположенными под 2k, 2k электродами переноса заряда
49 Э51! !
1 т J p!
1 2
Фх !
Составитель К).Гркин
Редактор т .Иванова
ТехредИ К .рандашова КоРРектоР Л.Орлова
ЦНИИПИ Государственного:омптета Совета Министров СССР по делам изоб етепий и открытий
Москва, 1l303!, Раушская иаб., 4
Предприятие «Патент», Moci ва, Г-59, Ьережковская наб., 24
Заказ Щ Иза. Ра ЩТТТ. Тираж
Подписное