Аналого-дискретный преобразователь

Аналого-дискретный преобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е ()493017

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

:Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13,04.73 (21) 1906168/ 26-21 (5т) М Кл

Н 03k 1 3/02 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам кзобретенкй и открыткй (43) Опубликовано 25.11.75Бюллетень №43 (53) УДК 62.1.373., > (088.8) (45) Дата опубликования описания 24,02.76 (72) Авторы изобретения

В. И. Бутенко и И. А. Ерофеева (71) Заявитель (54) А НА ЛОГО-ДИСКРЕТНЫЙ 11РЕОБРАЗОВЛТЕЛЬ

Изобретение относится к области полупроводниковой импульсной техники и может использоваться в аппаратуре автоматики. телеметрии и счетной техники в качестве устройства, преобразующего различные аналоговые величины — сопротивление, ток, освещенность, температуру — в частоту следования импульсов.

Известен аналого-дискретный преобразователь, содержащий релаксатор на одно- 10 переходном транзисторе и два транзистора разного типа проводимости.

Для увеличения коэффициента перекрытия по частоте и повьипение температурной стабильности в предлагаемом аналого-дискрет 15 ном преобразователе эмиттер первого транзистора соединен с коллектором второго, база которот о соединена с первой базой однопереходного транзистора, а к эмиттеру однопереходного транзистора подключен 20 анод диода, коллектор первого транзистора и накопительный конденсатор, катод диода подключен к эмиттеру первого транзистора, ! я база первого транзистора и эмиттер вто-. рого подключен к источнику питания. 25

На чертеже представлена принципиальHEIH схема аналого-дискретного преобразователя.

Он содержит однопереходный транзистор

1, два транзистора 2 и 3 разного тина проводимости, диоды 4 и 5, наконительш,fA конденсатор 6, резисторы 7 и 8, 11ри пода че уира вляющег о и япря же ни я ((1 ) на эмиттер транзистора 2 on открывается и током коллектора заряжает конденсатор 6. При достижении напряжения на конденсаторе 6 достаточной для вкл <. ив ния однопереходного транзистора 1. величины последний включается, разряжает конденсатор и вырабатывает выходной импульс, снимаемый с резистора 8. Эгот импульс является отпиряющим для транзистора 3.

При заряде конденсатора 6 транзистор 3 находится включенным и не влияет на процесс заряда конденсатора 6. Выключенное состояние транзистора 3 обеспечивается тем, что при малой величине резистора 8 напряжение на нем менее напряжения отсечки транзистора 3. Е1ри разряде конденсатора 6 транзистор 3 включается, входи г

493017

Составитель В.Назарова

Редактор иа Ан ее Техред М.Семенов Корректор Л. Врахнииа

Заказ gg Я Изд. И fklS Тираж 902

Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, ll3035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24 в режим насыщения и связывает эмиттер транзистора 2 с "минусом" источника питания Е. Отрицательное напряжение на эмиттере запирает транзистор 2. При этом зарядная цепь отключается от эмиттера. Выключение зарядного транзистора 2 позволяет отключать однопереходный транзистор 1 при зарядных токах, превышающих ток его выключения.

Использование повышенных зарядных токов улучшает температурную стабильность устройства и увеличивает диапазон перекрытия по частоте.

После выключения транзистора 1 ток, коллектора транзистора вновь увеличивает,ся до прежней величины, и в преобразователе повторяются процессы.

Формула изобретения„

Аналого-дйскретный преобразователь, содержащий релаксатор на однопереходном транзисторе и два транзистора разного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента перекрытия по частоте и повышения температурной стабильности, эмиттер первого транзистора соединен с коллектором второго, база которого соединена с первой базой однопереходного транзистора, а к эмиттеру однопереходного транзистора подключен анод диода, коллектор первого транзистора и накопительный конденсатор, катод диода подключен к эмиттеру первого тран1зистора, а база первого транзистора и эмиттер второго подключены к источнику питания.