Фазоимпульсный многоустойчивый элемент

Фазоимпульсный многоустойчивый элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Р

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 08.06.7 3 (21) 1931748/26-21 (51) М. Кл Н 03k 25/00

Н 03k 3/42 с присоединением заявки _#_»(23) ПриоритетГосударственный комнтет

Совета Инннстроо СССР по делам нэооретоннй

N OTKPblTNN (43) Опубликовано 25.11 75Бюллетеяь Х»43 (53) УДК 621.317 (088.8) (45) Дата опубликования описания 13.О4.76 (72) Авторы изобретения А. Л.,,Злотии Н. Ф. Ковтанюк, В. М. Тузов и Г. Н. Муратов (71) Заявитель Московский ордена Трудового Красного Знамени электротехнический институт связи (54) ФАЗОИМПУЛЬСНЫИ МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области импу. льсной техники.

Известен фазоимпульсный многоустойчнвый элемент, содержащий схему объединения, накопитель, компаратор, разрядную цепь и источник питания.

Бель изобретения — упрощение устройства, и увеличение числа устойчивых состояний.

Для этого в предлагаемом фазоимпуль сном многоустойчивом элементе (ФИМЭ) накопитель выполнен в виде оптоэлектрон. ной пары светодиод-двухполюсная структура: металл-диэлектрик-полупроводник-! а диэлектрик-металл (МДПДМ), причем анод светодиода подсоединен к выходу схемы объединения, катод через разгрузочный резистор — к общей шине, один полюс двухполюсной структуры МДПДМ подсоединен .через резисторы к обшей шине, ко входу

,компаратора и выходной шине элемента, а другой полюс — через резистор к источнику питания и через конденсатор к выходу ком-. (паратора.

2

На чертеже изображена принципиальная схема оптоэлектронного ФИМЭ. (В его состав входят световой анод 1, двухполюсник 2 с многослойной структурой - металл-диэлектрик-полупроводникдиэлектрик-металл (МДПДМ), диоды 3 и

4, резисторы 5 и 6 и транзистор 7.

Фазоимпульсный многоустойчивый элемент работает следующим образом. На диоды 3 н 4 поступают последовательно импульсы И и И (). С резистора 5 импульсы поступают на световой диод 1.

Последний при этом излучает световую энергию, направленную на двухполюсник

2 (МДПДМ).

Если на вход схемы поступают только импульсы И„;, то световой импульс, вызванный каждым импульсом этой последователь« ности, вызывает появление соответствующего количества электронно-дырочных пар в объеме полупроводника, что, в свою очередь, обеспечивает приращение абсолютной величины поля в диэлектрике диода.

По поступлении ов-зй порции световой энергии поле в диэлектрике достигает такой величи- °

\ Я

1 ны, что вызывают лавинообразный пробой

МДПЛМ. Через двухполюсник 2 начинает протекать ток, образуя при этом падение напряжения на резисторе 6. При появлении, напряжения на резисторе 6 открывается ранее закрытый ключ на транзисторе 7.

На коллекторе транзистора 7 возникает перепад напряжения, примерно равный по величине непряжению источника питания Е

Через конденсатор 8 этот перепад посту- " )р дает на МДПДМ, нейтрализуя питающее напряжение Е - 3a счет этого пробой двухполюсника 2 прекращается, поле в диэлектрике падает, притянутые ранее дейс-;

1 твием поля к границам диэлектрик-полупро- у водник носители рассасываются, вновь равномерно распределяясь в объеме полу проводника. В результате этого МДПДМ вновь готов повторить процесс накаплнва -, ния энергии, получаемой от светового ди- 20 ода l. В то же времч напряжение светово- го диода 1 упало до нуля, транзистор 7

:закрывается. Следовательно, на коллекторе ! транзистора 7 от каждого Pl-ro импульса, Ит формируется последовательность отри- 25 дательных импульсов, следующих с периодом

, = ВТ

Эту последовательность импульсов прн- I, ннмаем за опорную последовательность И ., О

1 о, Если на вход схемы поступают только импульсы И (t ), то выходная последова- . 4

r тельность импульсов будет сдвинута отно.сительно И по фазе на время; о, ;-!т =о,<,г ... -! ).

Схема может находиться в одном нз устой-, чивых сосюяний, характеризующихся фазой (сдвигом Й ) выходных импульсов относительно опорнои последовательности импе льсов Ио. Считываемые импульсы И (t ) могут появляться только в моменты вре- мени, сдвинутые относительно импульсов последовательности Ит на 0,5Т., Формула изобретения

Фазоимпульсный многоустойчивый элеме нт, содержащий схему. объединения, како ! питель, компаратор, разрядную цепь, ястс чник питания, отличающийся тем, что, с IleJIbIo упрощения устройства и увеличения числа устойчивых состояний, накопитель выполнен в виде оптоэлектрон- ной пары светодиод»двухполюсная структу.-., ра: металл-диэлектрик-полупроводник-ди-, электрик-металл (МДПДМ), причем анод светодиода подсоединен к выходу схемы объединения,катод-через нагрузочный резистор к общей шине, один полюс двухполюсной структуры МДПДМ подсоедннен через резисторы к обшей шине, ко входу комнаратора н выходной шине элемента, 1 а другой полюс- через резистор к источнику питания н через конденсатор к вы о+ ду компаратора. I

493034

Изд, М g ) f Тираж $©g : Р здннсное

Заказ ÉÁ92

ПНИИПИ Гос удар твенного комитета Сонета Министров СССР по дела"i изобретений h открытий

Москва, 113035, Раушскак наб., 4 @aagazt щщ "патент», т Ужгород,;а ИроеГ иаич 4

1 ф Редактор Андрее Т р Камьпинюкова рр " " Л Npахннна