Электрофотографическое устройство

Электрофотографическое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Сотою Советсиия

Социо листииесиих

Ресттубнии (и) 493152 с

{61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51) М. Кл®ОЗИ5/04

{22) Заявлено 15.01 74 (Я) 2003693/28 — 12 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет

{43) Опубликовано 25.07.76. Бтоллетень Ю 27 (45) Дата опубликования описания 21.12.76

Гавударстванв и квинтет

Веаата Икнаатрвв СССР аа деяам изобретений и втхрьиий (53) УДК 772.93:681.62 (088.8 ) (72) Авторы изобретения

А. А. Багданавичюс, Г. Б, Горлин, Л, Г. Партщкий и С. М. Рьтвкин

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области инфракрасной фотографии и предназначается для получения изображения в тцироком диапазоне: от видимого до субмиллиметрового участков электромагнитного спектра. 5

Известно электрофотографическое устройство, содержащее камеру, установленные в ней фотоприемную и диэлектрическую пластины и электроды, а также источник напряжения. В качестве фотоприемного слоя используется слой фотонолупроводника, 1р нанесенный методом вакуумного напыления на жесткую подложку„имеющую проводящее покрытие, Приемным слоем служит тонкая диэлектрическая пленка с напыленным на одну из сторон проводящим покрытием, При приведении в контакт фотоприем- р ного и диэлектрического слоев и подаче напряжения н» электроды система приобретает фоточувствительность, которая выключается размыканием цепи источника питания, т.е. является электроуправляемой.

Световое изображение, проецируемое на поверх- чо . ность фотоприемного слоя, генерирует неравцовссиые носители тока в иолупрово цщке, что проявляется в снижении сопротивления в освещснпых местах и приводит к перераспределению напряжений в системе "полупроводник — диэлектрик". Вследствие щ повьццения напряжения происходит пробой газового зазора между полупроводником и диэлектриком и на поверхности диэлектрика осаждается электростатический заряд, создающий скрытое изображение.

Диэлектрик затем проявляется обычным электрографическим способом. Известное устройство имеет чувствительность в области 0,4 — 0,55 мкм и работает прн комнатной температуре.

Целью изобретения является увеличение фотографической чувствительности устройства при фотографировании в инфракрасной области спектра.

Для этого фотоприемная пластина выполнена в виде монокристаллического фотополупроводника, а камера представляет собой крностат с рабочей я зарядной полостями.

На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.

0Н0 содержит фоточувствительный фотополупро. водник 1 с напылецным ца олпу из сторон полупт озрачцым злсктродом 2, диэлектрическую пленку 3 с электродом 4, источник питания 5 и криостат 6.

Криостат выполнен в виде сосуда Лыоара, в верхней части которого находится резервуар 7 щя хладаген.

ra, а в нижней — двойная камера для фото рафического устройства. Рабочая полость Й камеры спабже493152 на системами подачи 9 и контроля 10 давления и каналом для откачки рабочего газа 11, а также имеет оптическое окно 12. Зарядная полость 13 камеры служит для подачи диэлектрика и имеет отверстие 14, герметически закрываемое крышкой 15. Устройство также включает хладопровод 16, прижимной элемент

17 и герметическую заслонку 18. Прижимной элемент

17 служит также держателем диэлектрика для перевода в зарядную полость, 10

Устройство работает следующим образом.

При подготовке устройства к работе резервуар 7 криостата заполняется хладагентом, вследствие чего температура фотоприемника понижается до требуемой и обеспечивает фоточувствительность фотополу- 15 проводника в определенной области спектра. Прижимной элемент 17 обеспечивает равномерный контакт между рабочими поверхностями диэлектрика 3 и фотополупроводника 1. Оптическое изображение, проецируемое через окно 12 криостата на поверхность фо- р тополупроводника 1, в освещенных местах уменьшает сопротивление полупроводника, что приводит к перераспределению напряжения в системе "полупроводник — диэлектрик", поданного во время экспозиции на систему, и образованию скрытого электростатичес- р кого изображения на поверхности диэлектрика 3, Затем диэлектрическая пленка 3 при помощи прижимного элемента 17 перемещается в зарядную полость 13 криостата, С помощью заслонки 18 полость 13 герметически изолируется от рабочей охлажденной полос- 30 ти 8. Затем открывают крышку 15 и через отверстие

14 извлекают диэлектрический слой со скрытым электростатическим изображением.

Диэлектрический слой со скрытым электростатическим изображением может быть проявлен как в по- 35 лости криостата, так и извлечен наружу, отогрет и проявлен, причем изображение при отогреве деградирует незначительно. После этого производится замена диэлектрика 3. Затем отверстие 14 герметично закрывается крышкой 15, из полости 13 откачивается воздух, открывается заслонка 18, диэлектрик переводится в рабочую полость 8 и прижимается к фотополупроводнику, Путем подачи газа из резервуара давление в полости 8 доводится до требуемого, и устройство готово к следующей съемке.

Чувствительность известных устройств работающихна селен,достигаете= 5 10 джпри il = 0,6

-а мкм. При использовании в данном устройстве в качестве приемного слоя кремния, компенсированного гамма — излучением, чувствительность ютографического устройства составляла S = 5 10 дж при фотографировании в области спектра до Л =1,1 мкм.

Таким образом, чувствительность увеличивается приблизительно в десять раз. При использовании таких полупроводников, как легированный германий, возможно продвижение в далекую ИК вЂ” область со значительным увеличением чувствительности. Например, в случае От Rv /1 = 10 мкм V

5=5.10 дж, Т =77оК; Ga: 2n, Л-, =ФОлк

Я=1,2 10 8 дж, Y =4,2 К.

Формула изобретения

Электрофотографическое устройство, содержащее камеру, установленные в ней фотоприемную и диэлектрическую пластины и электроды, а также источник напряжения, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения фотографической чувствительности устройства при фотографировании в инфракрасной области спектра, фотоприемная пластина выполнена в виде монокристаллического фотополупроводника, а камера представляет собой криостат с рабочей и зарядной полостями.

493152

Редактоо А. Бер

Заказ 4565/314

Тираж 575

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Е. Буренко

Техред И. A P " K

Корректор Д. Мельниченко

Подписное