Способ очистки индиевых электролитов от электроположительных примесей

Способ очистки индиевых электролитов от электроположительных примесей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 011 493437

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (01) Дополнительное к авт. свn ч-В, (22) Заявлено 17.07.73 (21) 1951102/23-26 (51) М Кч г С 01G 15/00 с и р и с г,с - и н е и ц е и 3 а я L 1 . X2

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР (23) Приоритет

Опубликовано 30.11.75. Бюллетень ¹" 44

Дата опубликования описания 09.06.7б (53) УДК 546.682.05 (088.8) по делам изобретений и открытий, (72) Авторы изобретения

И. А. Шека и В. Ф. Козин (71) Заявитель

Институт общей и неорганической химии АН Украинской ССР (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ИНДИЕВЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ ОТ

ЭЛЕКТРОПОЛОЖИТЕЛЬНЫХ ПРИМЕСЕЙ

fnC1+2H- = InCI, + H .

Изобретение относится к способу очистки индиевых электролитов от электроположительных примесей, используемому в гидрометаллургии индия.

Известен способ очистки индиевых электролитов от электроположительных примесей с использованием в качестве восстановителя металлического индия или металлической индиевой губки.

Недостатком известного способа является большая продолжительность очистки из-за малой поверхности соприкосновения металлраствор и малая степень очистки. В процессе очистки губка слипается, что приводит к уменьшению рабочей поверхности и снижению степени очистки.

С целью повышения степени очистки предлагается в качестве индийсодержащего материала использовать раствор, содержащий, моль/л:

CaCIг 2 — 4

Zn CIг 10 — 12

IпС!з 1 2

НС1 5 — 10

Низшие соединения индия JnCI3 при контакте с электролитом образуют по реакции диспропорционирования металлический индий высокой степени дисперсности и трихлорид индия.

Полученный металлический индий обладает развитой поверхностью, которая обновляется с прпливанием низших соединений индия.

Роль вводимых компонентов заключается в том, чтобы стабилизировать ионы низшей ва5 лентности, потому что в обычных условиях ионы низшей валентности неустойчивы. При концентрации компонентов, моль/л:

С аС1г 2 — 4

ZnC1 10 — 12

10 1п С)з 1 — 2

НС1 5 — 10. в процессе взаимодействия трнхлорида индия с ппрпе» по реакции

fnCI, + 2ln- «3fnC1 происходит стабилизация ионов одновалентного индия. Образующиеся ионы одновалентного индия стабилизируются хлоридами цинка и кальция. Прп уменьшении концентрации вводимых компонентов (например, моль/л: СаС1г

0,5 — 1, ZnCI 0,5 — 1, JnCI3 0,1, НСI 0,5) образующиеся ионы одновалентного индия взаимодействуют с компонентами раствора по ре25 а 1,-цнп

Таким образом, вводимые хлорнды цинка н кальция обладают большой энергией гцтра30 тации (Zn = 479, Са = 373 ккал/г-ион) при

493437

Таблица 2

Содержание примесей электроположительных металлов в электролите

Название п р и м е с с 14 lo обрабогк 1 l после обработки г, л

100,0 1,9 1О

99,98

99,"0

99,68

0,12

Медь

Ртуть

1,2 10

1,5 10

О, 0-1

100,0

0,04

15 Свш1ец

100,0

0,02

1,8 10 4, 99,10

Олово

100,0

Таблица 1

Содержание примесей электропо loжительнык мета. плов в э.пектpолпте

Название примесей после обработки до обработки г/л о.

Предмет изобретения

1 6.10 — 4

1,3 1О

0,12

99,87

99,68

96,5

Медь

Ртуть

Свинец

CuO1IO

100,0

0,04

100,0

-1 1О 3

0,04

100,0

2 1Π— 3

0,02

100,0

94,0

-10

2 4

10--12

1 . 2

5- 10

С аС1

ZnC1 !

nCl;l

IC1

Составитель В. Козин

Корректор Е. Хмелева

Тскрсд 3. Тараненко

Реда.стор Е. Шепелева

Заказ 1026/15 Изд. X- 1030 Тираж 593 11одппсное

ЦНИИГ1И Государственного комитета Сонета Министров СССР по, 1елам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раугпская иаб.. д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

h0kIII0HTpEIIIk1H CO. 1ÑÈ, паЧИная с 5 МОль/л в водно-солевом растворе. Свободная вода находится в связанном состоянии и поэтому образующиеся ионы одновалентного индия в водно-солевом растворе устройчивы.

Пример. Готов11т водно-солевой раствор низших соединений индия, моль/л: СаС1

2 — 4, ZnC1 10 — 12, InClä 1 -2, НС! 5- — 1О.

Водно-солевой раствор псремспгивают индиевой металлической мешалкой при 110

140 С в течение 10 — 30 мин. Полученный стабильный водно-солевой раствор концентрации 2 моль/л одновалентного индия помещHют в бюретку и приливают в электролит, солержащий положительныс примеси, прп интенсивном перемешивании. Для каждой .ерии опытов берут по 100 мл исходного раствора с примесями Сп, Pb, Hg, In; рН 1 — 2, При приливании 5 мл водно-солсвого раствора, содержащего низшие соединения индия в течение 10 мин, электролит анализиру1от на микропримеси. В табл. 1 приведены результаты очистки.

Из полученных данных видно, что при при— ливании 5 мл водно-солевого раствора. содержащего низшие сосдHHcHHB ш1дия концентрация меди в электролите умсн1.1пастс11 750 раз, свинца — в 29 раз, Олова — в 16 раз, ртути — в 300 раз.

С увеличением объема вливаемого водно-солевого раствора, увеличивается степень очистки электролита. В табл. 2 приведены данные очистки электролитов от электроположительных примесей. Так при приливании 10 м.1 водно-солевого раствора, содержащего низшие соединения индия, концентрация примесей резко уменьшается: меди — в 6300 раз, рт1ти — в 3000 раз, свинца — в 260 раз, олова — в 110 раз.

Способ очистки индиевых электролитов от электроположительных примесей введением

1шдийсодсржащих материа IQB, о т:I и:I а юшийся тем, что, с целью повышения стспс. пи Очистки, в ка ICOTBC индийсодерж ащего . 1а— тсриала используют раствор, содержащий, моль/л: