Стекло
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ВСИ.оМ -.-:1
У ТЕ11 . - : -"" -т".%ЛЯ
О П лис; a * А
ИЗОБРЕТЕН ИЯ!
"! 493442
СОЮЗ СОВатских
СОЦиалистических
Республи!";
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ т p-. Ф,Ф/;!" (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.12.72. (21) 1852838/29-33 с присоединением заявки М— (23) Приоритет—
Опхбликовапо 30,11.75. Бюллстсн1, Х 44 (51) М.Кл, С 03с 3/04
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР аа делам ивооретеннй и аткрытий (») х!ДК 666.112.6 (088.8) Дата опубликования оппсаш1я 09.12.76 (72) Автор ы пзооретсппя
Н. В. Петровых и В. Э. Шишкина (71) Заявитель (54) СТККЛ0
1хот!по!!юнтI I
SiO>
TiO
В!!О
ОаО д12Оз !!Лз
S,О
4! !
2а
37
33
44
32
2!
38
21
27
SiO
TiO
30 — 43
18 — 25
Изобретение относится к составу стекла, предназначенному для мишеней передающих электроннолучевых трубок.
Известное стекло, вкгпочающее SiOq, Т10е, ВаО, СаО, имеет электронную проводимость
3 10 — - ом — см — .
Целью изобретения является повышение электронной проводимости до 3 10
--3 10- " o» — см — .
Это достигается тем, что стекло содержит вес. /ю. SiOq 30--43, Ti02 18 — 25, Вао 27 — 45, СаО 3 — 11. Стекло также может содержать
А1 03 01 l — 5, ВеО О, 1 — 6> SrO Ор 1 — 1 О.
Предлагаемые бесщелочные высокотитановые составы являются наиболее устойчивыми в кристаллизационном отношении из всех известных высокотитановых составов и выдерiKHBBIoT технологи!1сскис операции повторного расплавления, восстановительной ооработки в формиргазс, вытягивания в тонкую пленку и
2 ее напаивания на металлические кольца на специальных установках предприятия — изготовителя передающих ЭЛТ.
5 В таблице приведены различные составы стекол вес.
Стекло хорошо проваривается и осветлястся при температуре 1350 — 1400 С. Варку следует проводить в пластине, либо в корундизо1р вых тиглях.
Физико-химические свойства стекла: удельное электросопротивление о., 3 10 — 3 10 — ю ом см (после восстановления); температура деформации 650 — 760"С; химстойкость не хуже I I I гидролитического класса; термостойкость не ниже 100 С.
Предмет изобретения
1. Стекло, включающее SiO, Т10е, ВаО, СаО, or,ò÷à!oùååñÿ тем, что, с целью повышения электронной проводимости до 3 10
25 — 3 10 ом см, оно содержит указаIIные компоненты в следующем количестве, вес ю/ю.
7! (1 Д-1 7 >
О г!
) !- —:i г! г- — г, (.,>с!!!)!
Ieкред Е. Поаурушиг)а (0f: cK о! (-:.;(.1<со в;; рслакгор Г. яковлева
Изл. ¹ 106.;
1(11И111111 сула.)c<âcííîã0 ко) !пега Сонеlll М llllc .;. «". !) ll0 .(Е<Н!)I !!Во();), те)гв!г: 0 I K ГВЛ l: ll
113035, ЛI0cf<в:г, 7К-35. Рггггггскан наб. 1, 5
МОТ, Лаг0, «гй ф..лиан (о Н:ll, l
Лак!!а 31 !)0
Бао 7,.7 (ПО, )1 — (1 7 . (, (. <(. О П О ! !, О . í о о ОД с,г) )г(1! т, f (, А. :О. и о (f: . ). < !