Материал для чувствительного элемента датчика температуры

Материал для чувствительного элемента датчика температуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п> 493806

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09.08.74 (21) 2058823/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.11.75. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 23.02,76 (51) М. Кл. Н 01с 7/04

G 011< 7/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 536.51(088.8) (72) Авторы изобретения Н. С. Болтовец, А. В. Воицеховскии, С. Н. Еидржевская, В. А. Ищук, С. К. Петрусенко, В. И. Серый и И. И. Тычина

Институт проблем материаловедения AH Украинской ССР и Киевский государственный педагогический институт им. А. М. Горького (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА

ДАТЧИКА ТЕМПЕРАТУРЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к разработке материала для чувствительного элемента, датчика температуры, например, термистора.

Известны материалы для чувствительных элементов датчиков температур, представляющих собой смесь окислов.

Однако такие датчики температуры с чувствительным элементом, изготовленным из указанных материалов, имеют низкую чувствительность и узкий температурный диапазон.

Цель изобретения — разработка материала, позволяющего повысить чувствительность и расширить рабочий температурный диапазон да тч и к а тем пер а тур ы.

Это достигается тем, что предлагаемый материал для чувствительного элемента датчика температуры состоит из Cd, Ge, P> при следующем соотношении компонентов, вес. О/О.

Cd 45 — 45,5

Ge 27,8 — 31,9

Р2 23,5 — 26,3

Этот материал представляет собой полупроводниковое стеклообразное вещество CdGePq.

Вещество такого состава синтезируется в вакуумированных до 10 — мм рт. ст. ампулах методом двухтемпературного синтеза из исходных веществ чистоты класса ОСЧ.

Далее производится стеклование полученного вещества путем погружения тонкостенной кварцевой ампулы в закалочную среду при

20 — 250 С. Напряжения снимают путем отжига при температуре, близкой к температуре размягчения.

Наличие примесей Sb, Bi, Se, Те в количестве до 10/О, а также отклонение компонентов от стехиометрического состава в пределах 0,5 /О для Cd и -4 /О для Ge и Р> существенно не влияет на изменение электрических парамет10 ров датчика температуры.

Высокая устойчивость материала к агрессивным средам позволяет для ряда применений избежать изготовление герметичного корпуса.

15 Сопротивление материала Cd Ge P2 при

20 С составляет 10 ом см.

Рабочий температурный диапазон материала 0 — 450 С, чувствительность 8500 в/ К.

Материал Cd Ge P2 обладает высокой стой20 костью к радиации. При облучении дозой

10т рентген его сопротивление изменяется на

15% и через 30 час полностью восстанавливается до исходного значения.

Материал для чувствительного элемента датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительно