Формирователь импульсов

Формирователь импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 493922

Союз Советских

Сониалистических

Республик (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 28.03.73 (21) 1900756/26-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.11.75. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 20.02.76 (51) М. Кл. Н 03k 19/08

Н 03k 5/01

Государственный комитет

Совета Министров СССР

IIo делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374(72) (088.8) (72) Авторы изобретения

М. А. Ананян, В. П. Гузий и Т, П. Павлова (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться в устройствах наносекундного и пикосекундного диапазонов.

Известен формирователь импульсов, содержащий источник питания, источник парофазных сигналов, резисторы, по крайней мере первый и второй п-р-п-транзисторы и первый и второй диоды с накоплением заряда.

Однако известный формирователь имеет ограниченное быстродействие, так как его транзисторы могут заходить в области насыщения и отсечки, а также известный формирователь может использоваться в ограниченном диапазоне температур, так как в нем отсутствуют термостабилизация рабочей точки транзисторов.

Целью изобретения является повышение быстродействия и температурной стабильности формирователя.

Для этого в него дополнительно введены первый и второй р-и-р-транзисторы, причем эмиттеры первого и второго р-n-p-транзисторов объединены и через резистор подключены к положительному полюсу источника питания, эмиттеры первого и второго п-р-п-транзисторов объединены и через резистор подключены к отрицательному полюсу источника питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен к коллектору первого n-p-n-транзистора, к аноду первого диода с накоплением заряда и через резистор — к общей шине, коллектор второго р-п-р-транзистора подключен к коллектору второго n-p-n-транзистора, к катоду второго диода с накоплением заря5 да и через резистор — к общей шине, катод первого диода с накоплением заряда непосредственно связан с анодом второго диода с накоплением заряда, с выходом формирователя и через резистор — с общей шиной, 1о базы первого и второго p-n-ð-транзисторов через резисторы подключены к положительному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных сигналов, базы первого и второго п-р-и-транзисторов че15 рез резисторы подключены к отрицательному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных входных сигналов.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема формирователя импуль20 сов.

Формирователь импульсов содержит р-п-ртранзисторы 1 и 2, п-р-п-транзисторы 3 и 4, диоды 5 и 6 с накоплением заряда, резисторы 7 — 19, конденсаторы 20 — 23, входные

25 клеммы 24 и 25, выходную клемму 26, положительную и отрицательную клеммы 27 и

28 питания соответственно, причем эмиттеры транзисторов 1, 2 и 3, 4 соединены между собой попарно и подключены соответственно

30 через резисторы 15 и 16 к клеммам 27 и 28, 493922

15 базы транзисторов 1 и 2 подключены соответственно через резисторы 7 и 11 к клемме

27, а через соединенные параллельно резистор

8 с конденсатором 20 и резистор 12 с конденсатором 22 — соответственно с клеммами 24 и 25, соединенные друг с другом коллекторы транзисторов 1 и 3 и транзисторов 2 и 4 подключены к общей шине соответственно через резисторы 17 и 18 и соответственно к аноду диода 5 и катоду диода 6, общая точка соединенных последовательно диодов 5 и 6 подключена к клемме 26 и через резистор

19 — к общей шине, базы транзисторов 3 и 4 подключены соответственно через резисторы

10 и 14 к клемме 28, а через соединенные параллельно резистор 9 с конденсатором 21 и резистор 13 с конденсатором 23 — соответственно с клеммами 24 и 25.

Формирователь работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы 1 — 4 работают в активном режиме, задаваемом базовыми делителями на резисторах 7 — 10 и

11 14 так, что на их коллекторах устанавливаются близкие к нулю потенциалы, а ток через диоды 5 и 6 отсутствует.

При поступлении на клеммы 24 и 25 соответственно отрицательного и положительного импульсов с источника парафазных входных сигналов коллекторные токи транзисторов 1 и 4 возрастают, а коллекторные токи транзисторов 2 и 3 уменьшаются. При этом потенциал коллекторов транзисторов 1 и 3 возрастает, а транзисторов 2 и 4 понижается. Через диоды 5 и 6 начинают течь прямые токи, при равенстве которых потенциал выходной клеммы 26 практически не изменяется.

При смене полярности входных сигналов потенциал коллекторов транзисторов 2 и 4 повышается, а транзисторов 1 и 3 — понижается. Ток через диоды 5 и 6 меняет свое направление, вызывая ра ссасывание избыточного заряда в их p-n-переходах. При этом потенциал клеммы 26 меняется незначительно. Сопротивления резисторов 15 и 16 подбираются так, что избыточный заряд в р-ипереходе диода 5 рассасывается быстрее, чем в р-и-переходе диода 6, в результате чего на резисторе 19 возникает положительный перепад напряжения. В момент восстановления обратного сопротивления диода 6 близкий к нулю потенциал на резисторе 19 восстанавливается и на выходной клемме 26 формируется задний фронт положительного импульса. 0

Э

ЗО

Длительность и полярность выходных импульсов зависят от соотношения времен рассасывания избыточных зарядов в р-и-переходах диодов 5 и 6, а их фронты определяются временами восстановления обратных сопротивлений упомянутых диодов и составляют доли наносекунды.

Быстродействие формирователя обеспечивается благодаря поддержанию активного токового режима транзисторов 1 — 4 без введения их в режим насыщения.

Температурная стабильность формирователя обуславливается включением транзисторов 1, 2 и 3, 4 по схеме дифференциального усилителя с температурной автобалансировкой.

Предмет изобретения

Формирователь импульсов, содержащий источник питания, источник парафазных входных сигналов, резисторы, по крайней мере первый и второй п-p-n-транзисторы и первый и второй диоды с накоплением заряда, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия и температурной стабильности, в него дополнительно введены первый и второй р-п-р-транзисторы, причем эмиттеры первого и второго р-п-р-транзисторов объединены и через резистор подключены к положительному полюсу источника питания, эмиттеры первого и второго и-р-и-транзисторов объединены и через резистор подключены к отрицательному полюсу источника питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен к коллектору первого n-p-п-транзистора, к аноду первого диода с накоплением заряда и через резистор — к общей шине, коллектор второго р-и-р-транзистора подключен к коллектору второго п-р-п-транзистора, к катоду второго диода с накоплением заряда и через резистор — — к общей шине, катод первого диода с накоплением заряда непосредственно связан с анодом второго диода с накоплением заряда, с выходом формирователя и через резистор — с общей шиной, базы первого и второго р-и-р-транзисторов через резисторы подключены к положительному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных сигналов, базы первого и второго п-p-n-транзисторов через резисторы подключены к отрицательному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных входных сигналов.

493922

Редак;ор В. Булдаков

Заказ 147/18 Изд. № 2015 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель А. Степанов

Гехред А. Камышникова

Корректоры: В. Петрова и О. Данишева